英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業(yè)和汽車領(lǐng)域?qū)Ω吣苄Ш凸β拭芏鹊牟粩嘣鲩L需求。這款產(chǎn)品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源
2024-03-15 16:31:45
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用DFN封裝的 TPS63802 2A、高效率、低IQ降壓/升壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-07 10:11:32
0 Qorvo SiC 電源產(chǎn)品線市場總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達四個分立式 SiC FET，從而簡化熱機械設(shè)計和裝配。
2024-02-29 12:50:34139 Nexperia（安世半導體）再次在 APEC 上展示產(chǎn)品創(chuàng)新，宣布發(fā)布幾款新型 MOSFET，以進一步拓寬其分立開關(guān)解決方案的范圍，可用于多個終端市場的各種應(yīng)用。
2024-02-29 11:44:53223 DFN封裝是一種先進的電子元件封裝工藝，與SMD封裝相比，DFN封裝提供了更高的靈活性和穩(wěn)定性。
2024-01-28 17:24:551388 了一款 100V MOSFET—— AONA66916 ，該器件采用AOS創(chuàng)新型雙面散熱DFN 5 x 6 封裝?？蛻粝到y(tǒng)研發(fā)人員一直以來把 AOS 產(chǎn)品作為其方案設(shè)計的重要組件之一，幫助客戶實現(xiàn)各種高性能應(yīng)用
2024-01-25 15:18:42617 
新發(fā)布的RX23E-B MCU配備125kSPS速率的ΔΣADC，其性能與分立式產(chǎn)品相當，可支持大多數(shù)工業(yè)傳感設(shè)備。
2024-01-04 18:23:53650 
作者：Bill Schweber 投稿人：DigiKey 北美編輯 所有的分立式開關(guān)功率器件都需要驅(qū)動器，無論這些器件是分立式金屬氧化物硅場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC
2024-01-01 13:25:00401 
型號：APM3020PUC-TRL-VB絲?。篤BE2317品牌：VBsemi參數(shù)說明：- MOSFET類型：P溝道- 額定電壓：-30V- 最大電流：-40A- 導通電阻（RDS(ON)）：18m
2023-12-14 15:59:51
該分立式穩(wěn)壓器具有與現(xiàn)代穩(wěn)壓器集成電路（IC）等效的完整功能。
2023-12-13 17:32:56289 
型號：DMP3020LSS-13-VB絲印：VBA2311品牌：VBsemi詳細參數(shù)說明：- 類型：P溝道MOSFET- 額定電壓（Vds）：-30V- 額定電流（Id）：-11A- 導通電
2023-12-13 15:40:04
基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 圖1顯示Littelfuse在HV分立Si MOSFET市場具有領(lǐng)導地位，特別是在1700V以上產(chǎn)品。作為業(yè)界最高電壓阻斷能力（高達4700V）器件的制造商
2023-12-01 11:04:49337 
加拿大蒙特利爾 - 11月27日 - 全球知名的電子元器件分銷商富昌電子最近榮獲 Diodes 公司頒發(fā)的2023年最佳全球分銷商獎。 Diodes公司是全球領(lǐng)先的高品質(zhì)模擬、分立、邏輯和混合信號
2023-11-30 15:52:51131 
) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia
2023-11-30 09:12:02432 
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2023-11-29 11:36:070 高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應(yīng)用
2023-11-24 14:57:39195 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《建立FETching分立式放大器的提示.pdf》資料免費下載
2023-11-23 15:05:170 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《集成壓控振蕩器的寬帶鎖相環(huán)能取代分立式解決方案嗎.pdf》資料免費下載
2023-11-22 16:15:030 英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進一步擴展其TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續(xù)流二極管，以滿足對環(huán)保和高效電源解決方案日益增長的需求
2023-11-21 08:14:06255 
分立式封裝中還有一種叫作壓接封裝(Press Packs)或餅形封裝(Capsules)的，主要應(yīng)用于功率模塊尚不能達到的高功率范圍。在極高功率范圍，功率芯片的大小可以是一個整晶圓，如下圖，所以具有圓形管腳的培養(yǎng)皿型封裝是圓形芯片的理想封裝形式。
2023-11-19 17:36:02455 
，并具有良好的冷卻系統(tǒng)。 通過 直接銅鍵合 （DCB） 安裝在水冷散熱器上的分立器件是設(shè)計工程師可用的一種解決方案，假設(shè)分立器件可以像表面貼裝器件 （SMD） 一樣安裝。 TO 247PLUS分立式封裝的回流焊 TO-247PLUS是一種理想的封裝，可
2023-11-16 17:26:531059 
設(shè)計供電網(wǎng)絡(luò) (PDN) 時，決定使用電源模塊還是自研分立式電源解決方案，需要仔細考慮設(shè)計變量。
2023-11-16 16:32:51304 ) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開發(fā)，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。 三菱電機的功率半導體產(chǎn)品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設(shè)備和牽引電機等眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)
2023-11-14 10:06:00101 
在分立式封裝中，650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可輸出高達150A的電流。該產(chǎn)品系列電流等級為40A至150A，有四種不同封裝類型：TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。
2023-11-10 15:36:22265 器件，能夠像IGBT一樣進行高壓開關(guān)，同時開關(guān)頻率等于或高于低壓硅MOSFET的開關(guān)頻率。之前的文章中，我們介紹了 SiCMOSFET特有的器件特性 和 如何優(yōu)化SiC柵極驅(qū)動電路 。今天將帶來本系列文章的第三部分 SiC MOSFET的封裝、系統(tǒng)性能和應(yīng)用 。 封裝 WBG半導體使高壓轉(zhuǎn)換器能夠在更接近
2023-11-09 10:10:02333 
無過熱危險的情況下實現(xiàn)充電速率最大化的熱調(diào)節(jié)功能? ESOP8/DFN2x2-8/DFN2x3-8/DFN3x3-8封裝? 符合RoHS標準描述PC3221是一款適用于單節(jié)鋰電池的完整恒流/恒壓
2023-11-08 10:12:35
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，進一步擴展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7
2023-11-03 11:40:49644 
列文章的第二部分 SiC柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵要求 和 NCP51705 SiC 柵極驅(qū)動器的基本功能 。 分立式 SiC 柵極驅(qū) 動 為了補
2023-11-02 19:10:01361 
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
（UVLO）；
前緣沖裁（LEB）；
逐周期過電流保護（OCP）；
輸出開路/短路保護（OVP/OSP）；
熱折返保護（TFP）；
超溫保護（OTP）；
SO-7封裝；
應(yīng)用
電源可調(diào)光LED燈；
脫機LED電源驅(qū)動程序；
2023-10-12 15:09:18
設(shè)計者提供了實現(xiàn)項目管理策略的機會，從而降低了開發(fā)成本并加快了上市速度。本文重點介紹分立式微控制器（MCU） 和分立式現(xiàn)場可編程門陣列 （FPGA）的組合，展示了這種架構(gòu)如何適合高效和迭代的設(shè)計過程。利用研究資料、實證結(jié)果和案例研究，探討這種架構(gòu)的好處，并提供示范性的應(yīng)用。讀完本文，嵌入式系
2023-10-03 22:05:00733 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DFN2020MD-6:帶有側(cè)邊可濕焊盤的無引腳封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-27 10:06:111 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:36:081 5mm×5mm表貼封裝中。相比于要在尺寸和帶寬之間艱難取舍的傳統(tǒng)分立式定向耦合器，該器件具有明顯的優(yōu)勢，尤其是在1GHz以下的頻率。使用ADL5920測量水位非常簡單。測量時，會使用一根由黃銅條制成
2023-09-20 07:06:00
LED 有幾種解決方案。較完善的分立式方案是將精密并聯(lián)穩(wěn)壓器和功率雙極性晶體管組合，采用電流吸收器配置。 ? 分立式LED驅(qū)動電路圖 在升壓轉(zhuǎn)換器的輸出級使用線性調(diào)節(jié)，可將 24 V 電源電壓轉(zhuǎn)換為 72 V，為兩個并聯(lián)的 LED 燈串提供所需的高電壓。兩
2023-09-19 03:17:18156 
DMT3020LFCL 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMT3020LFCL 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) )，同時保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效
2023-09-18 14:14:28
和功率水平。這些快速恢復(fù)硅基功率MOSFET的器件適用于工業(yè)和汽車應(yīng)用，提供廣泛的封裝選項，包括長引線TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。
2023-09-08 06:00:53
DMN3020UFDF 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMN3020UFDF 這種MOSFET被設(shè)計為最小化導通電阻（RDS（ON）），同時保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理
2023-09-07 10:20:41
? 【 2023 年 8 月 3 日，德國慕尼黑訊】 小型分立式功率MOSFET在節(jié)省空間、降低成本和簡化應(yīng)用設(shè)計方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。此外，更高的功率密度還能實現(xiàn)靈活的布線并縮小系統(tǒng)的整體尺寸
2023-09-06 14:18:431202 
的傳統(tǒng)解決方案由多個分立功率 MOSFET 和多個輔助組件組成。 在傳統(tǒng)的分立式解決方案中，設(shè)計人員至少需要兩個功率 MOSFET 用于充電器的 DC/DC 變換器：一個功率 MOSFET 用于防止電池電源回流到輸入端；如果需要電池的電源路徑管理功能，則還需要另一
2023-08-23 14:55:04289 產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
由微控制器中的定時器/計數(shù)器模塊產(chǎn)生，但如果您不想在電路中包含微控制器，那么使用分立邏輯組件生成信號也非常簡單。所示電路的擴展可以從 8 位數(shù)字輸入字產(chǎn)生兩個 PWM 波形。每個信號有 15 個值。例如
2023-08-09 15:55:18984 
。 通常，當在熱插拔和電熔絲應(yīng)用中使用分立式 MOSFET 時，會假設(shè)只有一個 MOSFET 會傳導整個軟啟動電流。這是由于每個 MOSFET 的柵極閾值電壓存在多樣性。因此，即使并聯(lián)了多個 MOSFET，所有的功率損耗也只會發(fā)生在一個器件里。那么就需要加大 MOSFET 的額定值和封裝尺寸，
2023-07-28 16:25:51413 
QFN、DFN封裝是一種先進的封裝形式，即雙框架芯片封裝。它具有小體積、高密度、熱導性好等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于集成電路封裝領(lǐng)域。QFN、DFN封裝工藝包括以下幾個步驟：芯片切割：使用劃片機等設(shè)備將芯片
2023-07-24 09:30:23950 
通過AEC-Q101認證且可承受的接面溫度高達175°C，強茂P溝道MOSFET是汽車設(shè)計工程師理想的選擇，可實現(xiàn)簡化電路而又不犧牲性能。提供DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L和TO-252AA多種封裝。
2023-07-20 15:57:45526 3020 CNC + Arduino + GRBL + CN固件
2023-07-17 15:51:395 本文將介紹在設(shè)計分立式寬帶全差分PGIA時要注意的關(guān)鍵事項，并展示PGIA在驅(qū)動高速信號鏈μModule?數(shù)據(jù)采集解決方案時的精密性能。
2023-07-10 15:40:47265 
在現(xiàn)今電力電子領(lǐng)域，高壓（HV）分立功率半導體器件變得越來越重要，Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產(chǎn)品系列以滿足發(fā)展中的需求。
2023-07-07 10:11:47483 
工廠后續(xù)還將開始更多產(chǎn)品型號碳化硅器件的樣品申請，并批量出貨中國市場。 C3M0040120K是一款1200 V/40 mΩ/66 A第三代分立式碳化硅MOSFET，采用TO-247-4封裝
2023-07-06 10:35:14373 在本文中，我將對不同的電機控制實現(xiàn)方案進行比較，包括分立式和完全集成式選項，從而幫助您找到適合您設(shè)計的方法。表 1 比較了各種電機控制選項的集成度。
2023-07-04 10:27:42427 
可穿戴設(shè)備只是可以從分立式RTC中受益的應(yīng)用的一個例子。醫(yī)療設(shè)備是另一個領(lǐng)域。例如，糖尿病患者的胰島素筆由紐扣電池供電。如果這些筆中的微控制器必須始終保持打開狀態(tài)才能使內(nèi)置RTC運行，則電池將很快
2023-06-28 15:41:26322 ，以及用于小型Li+電池的電源路徑充電器。Mital解釋了PMIC如何為真無線立體聲（TWS）耳塞提供“一站式電源解決方案”。這種耳塞非常先進，通常具有用于主動降噪的附加麥克風、生物識別傳感器和微小外形的實時語言翻譯。“分立式或半分立式電源解決方案很難滿足這些要求，”Mital說。
2023-06-28 09:50:13227 1ns
DFN10封裝有使能引腳，待機時靜態(tài)功耗低至7uA
SOP8、HSOP8、DFN10、DFN8封裝
結(jié)溫范圍-40°C~150°C
NSD1224典型應(yīng)用框圖納芯微NSD1224半橋驅(qū)動性能優(yōu)異
2023-06-27 15:14:07
目錄 ⊙擊穿電壓 ⊙導通電阻 ⊙跨導 ⊙閾值電壓 ⊙二極管正向電壓 ⊙功率耗散 ⊙動態(tài)特性 ⊙柵極電荷 ⊙dv/dt 能力 盡管分立式功率MOSFET的幾何結(jié)構(gòu)，電壓和電流電平與超大規(guī)模集成電路
2023-06-17 14:24:52591 
請問新唐ARM內(nèi)核的QFN32封裝2腳5V供電的單片機?謝謝
2023-06-16 06:38:16
引言：和上一節(jié)不同的逆變器（傳送門：FCD-6：逆變器）不同的是，本節(jié)簡述的整流器是和逆變器相反的一個過程，即將交流電AC轉(zhuǎn)換為直流電DC。小功率輸入的可以由集成方案解決，功率稍大的都是采用分立方案，本節(jié)主要簡述分立式整流器的整流原理，集成式同理。
2023-06-14 16:45:31501 
引言：逆變器，inverter，即將直流電DC轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換為交流電AC的裝置，小功率輸出的可以由集成方案解決，功率稍大的都是采用分立方案，本節(jié)主要簡述分立式逆變器的逆變原理，集成式同理。
2023-06-13 17:11:311257 
MOS類型高低邊開關(guān)固有其優(yōu)勢，比如壓降小，損耗低，控制簡易，使用場景也比BJT類型的高低邊開關(guān)廣泛
2023-06-07 17:15:38467 
在深入研究關(guān)鍵參數(shù)之前，我們先來看看不同類型的負載開關(guān)。高壓側(cè)負載開關(guān)將負載與電源連接或斷開，由外部啟用信號控制開關(guān)將高壓側(cè)電源電流切換到負載。
2023-06-07 16:12:171355 
基于單個MOSFET拓撲的負載開關(guān)只能阻斷一個方向的電流，由于MOSFET有一個固有的體二極管，如果存在反向電流，它們的作用就像處于導通狀態(tài)的二極管
2023-06-07 16:09:252204 
需要通過負載開關(guān)將電路或子系統(tǒng)與電源斷開有幾個原因，一個非常簡單和常見的原因是，它有助于節(jié)省電力。
2023-06-07 15:35:32877 引言：當傳統(tǒng)設(shè)備與使用較小電平的新設(shè)備連接時，需要進行邏輯電平轉(zhuǎn)換。
2023-06-07 15:32:48621 
PRISEMI芯導產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58824 
理由相信潮流正在轉(zhuǎn)變。正如TechInsights在不久前發(fā)布的PCIM Europe 2023 -產(chǎn)品公告和亮點博客[4]文章中所討論的那樣，英飛凌宣布推出采用3.3 kV SiC MOSFET芯片的CoolSiCTM XHPTM 2大功率模塊[5]。
2023-06-03 12:30:58382 
技術(shù)的不斷提升，國內(nèi)的終端應(yīng)用客戶也更加趨向于實施國產(chǎn)化采購，給國內(nèi)半導體分立器件企業(yè)帶來更多的發(fā)展機遇。
根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會發(fā)布的《中國半導體行業(yè)發(fā)展狀況報告》顯示，2019 年中國半導體分立
2023-05-26 14:24:29
TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點，已經(jīng)在電動自行車、電動摩托車、鋰電保護、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
2023-05-13 17:38:521981 
是否可以獲得HVQFN148 SOT2111-1封裝的3D STEP模型？
2023-05-12 07:21:34
TGF3021-SM 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGF3021-SM 是一款 30 W (P3dB) 寬帶無可比擬的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，可在 DC 至 4 GHz
2023-05-11 10:54:16
TGF3020-SM 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGF3020-SM 是一款 5W (P3dB)、50 歐姆輸入匹配的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，工作頻率范圍為 4.0 至
2023-05-11 10:47:06
TGF3015-SM產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGF3015-SM 是一款 10W (P3dB)、50 歐姆輸入匹配的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，工作頻率范圍為 30 MHz 至 3.0
2023-05-11 10:39:42
TGF2979-SM產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGF2979-SM 是一款 25 W (P3dB) 寬帶無可比擬的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，可在 DC 至 12 GHz 和 32V
2023-05-11 10:20:37
TGF2978-SM產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGF2978-SM 是一款 20 W (P3dB) 寬帶無可匹敵的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，可在直流至 12 GHz 和 32V 電源軌
2023-05-11 10:13:01
TGF2977-SM產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGF2977-SM 是一款 5 W (P3dB) 寬帶無可比擬的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，可在 DC 至 12 GHz 和 32V 電源
2023-05-11 10:04:40
TGF2954產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGF2954 是一款分立式 5.04 mm GaN on SiC HEMT，工作頻率為 DC-12 GHz。TGF2954 通常提供 44.5 dBm 的飽和
2023-05-11 09:42:55
TGF2933 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGF2933 是一款 7 W (P3dB) 分立式 GaN on SiC HEMT，可在 DC 至 25 GHz 和 28 V 電源下工作。該器件
2023-05-11 09:32:02
TGF2023-2-20 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGF2023-2-20 是基于 SiCHEMT 的分立式 20 mm GaN，工作頻率范圍為 DC 至 14 GHz
2023-05-10 20:18:21
TGF2023-2-10產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGF2023-2-10 是一款分立式 10 mm GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 DC 至 14 GHz。TGF2023-2-10
2023-05-10 20:07:14
TGF2023-2-05 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGF2023-2-05 是一款分立式 5.0 mm GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 DC 至 18 GHz
2023-05-10 20:00:44
TGF2023-2-02產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGF2023-2-02 是一款分立式 2.5 mm GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 DC 至 18 GHz。TGF2023-2-02
2023-05-10 19:52:31
TGF2023-2-01產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGF2023-2-01 是一款分立式 1.25 mm GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 DC 至 18 GHz。該器件通常提供 38
2023-05-10 19:13:39
QPD9300產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD9300 是一款 30 W (P3dB) 內(nèi)部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 9.2 至 9.7 GHz，電源軌為 28 V
2023-05-10 13:11:25
QPD1425L產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD1425L 是一款 375W 分立式 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 1.2 至 1.4 GHz，通常提供 56.3dBm 的飽和
2023-05-10 13:04:06
QPD1425產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD1425 是一款 375W 分立式 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 1.2 至 1.4 GHz，通常提供 56.3dBm 的飽和輸出功率
2023-05-10 12:57:11
QPD1019產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD1019 是一款 500 W (P3dB) 內(nèi)部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 2.9 至 3.3 GHz 和 50V 電源
2023-05-10 11:47:25
QPD1018 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD1018 是一款 500 W (P3dB) 內(nèi)部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 2.7 至 3.1 GHz
2023-05-10 11:40:23
QPD1017產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD1017 是一款 450 W (P3dB) 內(nèi)部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 3.1 至 3.5 GHz，采用 50V
2023-05-10 11:31:32
QPD1006產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD1006 是一款 450 W (P3dB) 內(nèi)部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 1.2 至 1.4 GHz 和 50V 電源
2023-05-09 19:01:23
QPD2160D 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD2160D 是一款分立式 1600 微米 pHEMT，工作頻率范圍為直流至 20 GHz。QPD2160D 采用 Qorvo 經(jīng)驗證的標準
2023-05-09 10:39:57
QPD2120D產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD2120D 是一款分立式 1200 微米 pHEMT，工作頻率范圍為直流至 20 GHz。QPD2120D 采用 Qorvo 經(jīng)驗證的標準 0.25um
2023-05-09 10:27:39
QPD2080D產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD2080D 是一款分立式 800 微米 pHEMT，工作頻率范圍為直流至 20 GHz。QPD2080D 采用 Qorvo 經(jīng)驗證的標準 0.25um
2023-05-09 10:15:57
QPD2060D產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD2060D 是一款分立式 600 微米 pHEMT，工作頻率范圍為直流至 20 GHz。QPD2060D 采用 Qorvo 經(jīng)驗證的標準 0.25um
2023-05-09 10:08:09
QPD2040D產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD2040D 是一款分立式 400 微米 pHEMT，工作頻率范圍為直流至 20 GHz。QPD2040D 采用 Qorvo 經(jīng)驗證的標準 0.25um
2023-05-09 09:57:54
QPD2025D產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD2025D 是一款分立式 250 微米 pHEMT，工作頻率范圍為直流至 20 GHz。QPD2025D 采用 Qorvo 經(jīng)驗證的標準 0.25um
2023-05-09 09:48:26
QPD2018D產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD2018D 是一款分立式 180 微米 pHEMT，工作頻率范圍為直流至 20 GHz。QPD2018D 采用 Qorvo 經(jīng)驗證的標準 0.25um
2023-05-09 09:37:38
Vishay 推出三款新系列汽車級表面貼裝標準整流器，皆為業(yè)內(nèi)先進的薄型可潤濕側(cè)翼 DFN3820A 封裝器件。
2023-04-28 09:09:53390 
溫濕度傳感器DFN封裝芯片管腳焊點保護防振動補強用底部填充膠應(yīng)用由漢思新材料提供客戶的產(chǎn)品是DFN封裝IC芯片（雙邊無引腳扁平封裝）的溫濕度傳感器，尺寸為2.5*2.5*0.9(長寬高)客戶需要
2023-04-17 16:10:03495 
像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場效應(yīng)晶體管）是切換負載最常見的方式，其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管（BJT）/第二個場效應(yīng)晶體管）圍繞的功率MOSFET）。但在多數(shù)情況下，使用全面集成的負載開關(guān)具有更顯著的優(yōu)點。
2023-04-15 09:17:39512 
Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出碳化硅(SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。
2023-04-13 16:30:16215 KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進的溝槽工藝技術(shù)來取得能夠和SOT-523等大上許多封裝
2023-04-04 16:10:39987 
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