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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt資訊

飛虹半導(dǎo)體FHA75T65A IGBT在太陽(yáng)能逆變器的應(yīng)用

根據(jù)數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)可知,在未來數(shù)年中,風(fēng)光儲(chǔ)領(lǐng)域的IGBT市場(chǎng)增長(zhǎng)速度將超過汽車行業(yè),其市場(chǎng)份額有望在2025年達(dá)到9.7%。目前雖然全球IGBT市場(chǎng)還是呈現(xiàn)...

2024-08-07 標(biāo)簽:太陽(yáng)能逆變器IGBT 620 0

第7代IGBT正開始在儲(chǔ)能領(lǐng)域大放異彩

第7代IGBT正開始在儲(chǔ)能領(lǐng)域大放異彩

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)在儲(chǔ)能技術(shù)高速發(fā)展的今天,更強(qiáng)的發(fā)電與蓄電能力,更高的能源管理效率,更穩(wěn)定的輸送能力都是相關(guān)企業(yè)追求的方向,這就需要功...

2024-08-05 標(biāo)簽:IGBT儲(chǔ)能 2942 0

功率半導(dǎo)體價(jià)格觸底,下游需求回暖!多家廠商上半年業(yè)績(jī)預(yù)期實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)近日,華潤(rùn)微在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示,公司代工及自有產(chǎn)品的產(chǎn)能利用率均滿載,產(chǎn)品價(jià)格觸底企穩(wěn);同時(shí),公司上半年已針對(duì)部分 MO...

2024-08-01 標(biāo)簽:MOSFETIGBT士蘭微 4277 0

直面IGBT模塊封裝壁壘:難點(diǎn)在于高可靠性

直面IGBT模塊封裝壁壘:難點(diǎn)在于高可靠性

近幾年,隨著新能源汽車的快速發(fā)展,作為新能源汽車內(nèi)用控制器的主要成本構(gòu)成器件IGBT也迎來了爆發(fā),預(yù)計(jì)到2025年,中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到522億元...

2024-07-24 標(biāo)簽:新能源汽車模塊封裝 615 0

瑞能半導(dǎo)體攜多元成果打造全新“品牌基石”   馭領(lǐng)可持續(xù)篇章  為功率器件注入強(qiáng)勁動(dòng)力

瑞能半導(dǎo)體攜多元成果打造全新“品牌基石” 馭領(lǐng)可持續(xù)篇章 為功率器件注入強(qiáng)勁動(dòng)力

2024年7月19日,中國(guó)上海 ?— 日前,全球領(lǐng)先的國(guó)際化功率器件品牌瑞能半導(dǎo)體(以下可簡(jiǎn)稱為:瑞能)以“高效節(jié)能,奔赴零碳”為主題參展2024慕尼黑...

2024-07-19 標(biāo)簽:二極管光伏IGBT 4497 0

安建團(tuán)隊(duì)赴廣汽集團(tuán)拜訪交流

2024年7月17日,安建董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理單建安教授與投資人代表胡強(qiáng)先生帶隊(duì)拜訪廣汽集團(tuán),與廣汽集團(tuán)馮興亞總經(jīng)理、廣汽埃安采購(gòu)及技術(shù)團(tuán)隊(duì)進(jìn)行了友好交流,探討合作。

2024-07-19 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT廣汽 637 0

飛虹半導(dǎo)體出席2024慕尼黑上海電子展

2024慕尼黑上海電子展已經(jīng)正式落下帷幕,在這個(gè)亞洲最具影響力的電子技術(shù)展會(huì)上,飛虹半導(dǎo)體作為領(lǐng)先的功率器件生產(chǎn)廠家,憑借其創(chuàng)新的IGBT、MOS管及其...

2024-07-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT功率器件 647 0

陸芯科技推出650V60A GEN3 IGBT單管

陸芯科技推出650V60A GEN3 IGBT單管

陸芯科技正式推出650V60A GEN3的IGBT單管,產(chǎn)品型號(hào)為YGW60N65FMA1,產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench GEN3平臺(tái)TO24...

2024-07-14 標(biāo)簽:封裝光伏IGBT 922 0

揚(yáng)杰科技在上海慕展精彩回顧

2024年7月8-10日,為期三天的慕尼黑上海電子展圓滿落幕,揚(yáng)杰科技憑借卓越先進(jìn)的展品、行業(yè)應(yīng)用解決方案、獨(dú)具一格的展臺(tái)設(shè)計(jì),現(xiàn)場(chǎng)銷售人員、FAE、P...

2024-07-14 標(biāo)簽:逆變器IGBT揚(yáng)杰科技 662 0

功率半導(dǎo)體IGBT模塊的封裝工藝及芯片封測(cè)技術(shù)發(fā)展

功率半導(dǎo)體IGBT模塊的封裝工藝及芯片封測(cè)技術(shù)發(fā)展

共讀好書 前言 作為新型功率半導(dǎo)體器件的主流器件,IGBT應(yīng)用非常廣泛,如家用電器、電動(dòng)汽車、鐵路、充電基礎(chǔ)設(shè)施、充電樁,光伏、風(fēng)能,工業(yè)制造、電機(jī)驅(qū)動(dòng)...

2024-07-10 標(biāo)簽:芯片IGBT功率半導(dǎo)體 1335 0

晶臺(tái)光耦亮相2024慕尼黑上海電子展

全球矚目的慕尼黑上海電子展(electronica China)在上海新國(guó)際博覽中心盛大啟幕,匯聚了來自全球各地的電子科技精英與前沿創(chuàng)新成果。在這個(gè)科技...

2024-07-09 標(biāo)簽:IGBT光耦觸發(fā)器 536 0

揚(yáng)杰科技亮相2024慕尼黑上海電子展

7月8日,為期3天的2024年慕尼黑上海電子展(electronica China)在上海新國(guó)際博覽中心盛大開幕。作為全球電子行業(yè)盛會(huì),本次展會(huì)匯聚國(guó)內(nèi)...

2024-07-09 標(biāo)簽:IGBT光伏逆變器揚(yáng)杰科技 512 0

安世IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用

安世IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用

近年來,我國(guó)年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高,但能耗比卻居高不下,高能耗比已成為制約我國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸,為此國(guó)家投入大量資金支持節(jié)能降耗項(xiàng)目,變頻調(diào)速技術(shù)已越來越...

2024-07-02 標(biāo)簽:變頻器仿真IGBT 332 0

Vishay 改良設(shè)計(jì)的 INT-A-PAK 封裝 IGBT 功率模塊

Vishay 改良設(shè)計(jì)的 INT-A-PAK 封裝 IGBT 功率模塊

Vishay推出五款采用改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊。新型器件由VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、...

2024-06-29 標(biāo)簽:Vishay封裝IGBT 291 0

人工智能架構(gòu)將推動(dòng)未來硅基IGBT和碳化硅材料的改進(jìn)

人工智能架構(gòu)將推動(dòng)未來硅基IGBT和碳化硅材料的改進(jìn)

直到最近,電力轉(zhuǎn)換行業(yè)在效率、尺寸、重量和成本方面的進(jìn)步主要都是由半導(dǎo)體晶體管技術(shù)的改進(jìn)推動(dòng)的。為了實(shí)現(xiàn)這些改進(jìn),新型晶體管的工程目標(biāo)很明確:提高額定電...

2024-06-25 標(biāo)簽:IGBT人工智能硅基 672 0

TRINNO特瑞諾1200V太陽(yáng)能逆變器專用IGBT助力光伏發(fā)電

TRINNO特瑞諾1200V太陽(yáng)能逆變器專用IGBT助力光伏發(fā)電

在當(dāng)今快速發(fā)展的可再生能源領(lǐng)域,太陽(yáng)能作為一種清潔、無限的能源,正受到越來越多人的關(guān)注和利用。為了最大化太陽(yáng)能的轉(zhuǎn)換效率,選擇一款高性能的逆變器IGBT...

2024-06-24 標(biāo)簽:IGBT光伏發(fā)電太陽(yáng)能逆變器 401 0

特瑞諾(TRINNO)采用最新技術(shù)的1350V高頻IGBT器件

特瑞諾(TRINNO)采用最新技術(shù)的1350V高頻IGBT器件

隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,IGBT的設(shè)計(jì)和制造也在持續(xù)優(yōu)化?,F(xiàn)代IGBT模塊不僅提高了效率和可靠性,還減小了尺寸和重量,這對(duì)于空間受限的應(yīng)用尤為重要。此外,通...

2024-06-21 標(biāo)簽:封裝IGBT開關(guān)器件 531 0

特瑞諾TRINNO高性能IGBT說明介紹

特瑞諾TRINNO高性能IGBT說明介紹

今天為大家介紹一款特瑞諾(TRINNO)堅(jiān)固耐用、性能卓越的IGBT,這款I(lǐng)GBT器件TGH80N65F2DS的額定電壓為650V,具有快速恢復(fù)反并聯(lián)二...

2024-06-20 標(biāo)簽:二極管IGBT額定電壓 478 0

招生通知|IGBT基礎(chǔ)培訓(xùn)班

招生通知|IGBT基礎(chǔ)培訓(xùn)班

對(duì)于每一位從事電力電子技術(shù)的工程師來說,功率半導(dǎo)體,包括二極管和三極管,雖然其基本功能看似簡(jiǎn)單,但要真正掌握并駕馭其特性卻是一項(xiàng)極具挑戰(zhàn)性的工作。IGB...

2024-06-19 標(biāo)簽:三極管二極管電子系統(tǒng) 578 0

V0阻燃等級(jí)氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片

V0阻燃等級(jí)氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片

IGBT是一種晶體管結(jié)構(gòu),由MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)控制Bipolar雙極晶體管的開關(guān)動(dòng)作。發(fā)熱量巨大的電子器件、芯片、MOSFET...

2024-06-18 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 474 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
  • 海思
    海思
    +關(guān)注
  • STM32F103C8T6
    STM32F103C8T6
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場(chǎng)總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中,尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場(chǎng)合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號(hào)和開關(guān)量信號(hào)的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件(或人)免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn),選型及應(yīng)用,各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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    做單片機(jī)的工程師相比都堆循跡小車有所認(rèn)識(shí),它是自動(dòng)引導(dǎo)機(jī)器人系統(tǒng)的基本應(yīng)用,那么今天小編就給大家介紹下自動(dòng)自動(dòng)循跡小車的原理,智能循跡小車的應(yīng)用,智能循跡小車程序,循跡小車用途等知識(shí)吧!
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    光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的,在2009年10月1日天安門廣場(chǎng)舉行的國(guó)慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國(guó)成立六十周年國(guó)慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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    K60
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    LM2596
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    LM2596是降壓型電源管理單片集成電路的開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器,能夠輸出3A的驅(qū)動(dòng)電流,同時(shí)具有很好的線性和負(fù)載調(diào)節(jié)特性。固定輸出版本有3.3V、5V、12V,可調(diào)版本可以輸出小于37V的各種電壓。
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    光模塊
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    光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成,光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡(jiǎn)單的說,光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換,發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào),通過光纖傳送后,接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
  • STM32單片機(jī)
    STM32單片機(jī)
    +關(guān)注
    STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
  • 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器
    步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器
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    步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào),它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度(稱為“步距角”),它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的??梢酝ㄟ^控制脈沖個(gè)數(shù)來控制角位移量,從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的;同時(shí)可以通過控制脈沖頻率來控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度,從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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    Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家,這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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    CD4046
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    TMS320F28335
    +關(guān)注
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  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • OBD
    OBD
    +關(guān)注
    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫,中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開發(fā)工具包,軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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