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標(biāo)簽 > MOS
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source(源極)和drain(耗盡層)是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
場(chǎng)效應(yīng)管分為PMOS管和NMOS管,屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source(源極)和drain(耗盡層)是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
場(chǎng)效應(yīng)管分為PMOS管和NMOS管,屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
臺(tái)懋科技TM50G03NF:大功率掃地機(jī)器人性能升級(jí)的優(yōu)選方案
隨著科技的不斷進(jìn)步和人們對(duì)生活品質(zhì)的追求提高,智能家居設(shè)備變得越來越普及。其中,大功率掃地機(jī)器人已成為主流。在大功率掃地機(jī)器人的核心部件——直流無刷電機(jī)...
1A線性鋰電池充電管理芯片應(yīng)用于電動(dòng)牙刷IP4054
一、概述IP4054是一款5V輸入,支持單節(jié)鋰電池充電管理芯片。IP4054集成功率MOS,使其在應(yīng)用時(shí)僅需極少的外圍器件,并有效減小整體方案的尺寸,降...
異步內(nèi)置MOS升壓恒壓芯片F(xiàn)P6293,最高輸出5-12V/7-9W,輸入限流可調(diào)
芯片概述FP6293是一個(gè)電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。它的PWM電路內(nèi)置0.14Ω功率MOSFET使該調(diào)節(jié)器高效。內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)還可以最小化多達(dá)6個(gè)外部...
2024-12-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器PWMMOS 109 0
學(xué)習(xí)開關(guān)電源,我們從基本的非隔離拓?fù)鋵W(xué)起,最終會(huì)來到LLC的軟開關(guān)拓?fù)洌琇LC需要的基礎(chǔ)知識(shí)比較多,很多入門者都覺得比較難,是很多人的攔路虎,包括做了很...
仁懋MOS產(chǎn)品助力智能門鎖,安全升級(jí),續(xù)航無憂!
隨著科技的不斷發(fā)展,智能家居產(chǎn)品已然走進(jìn)千家萬戶。智能門鎖作為高頻使用的家居產(chǎn)品,其電池盒的性能直接影響到門鎖的使用壽命和安全性能。一款優(yōu)質(zhì)的電池盒,不...
MOS管在電池管理系統(tǒng)(BMS)中應(yīng)用的解析
隨著電動(dòng)汽車(EV)、可再生能源存儲(chǔ)和便攜式半導(dǎo)體電子設(shè)備的快速發(fā)展,電池管理系統(tǒng)(BMS)在保障電池安全、延長(zhǎng)使用壽命和提高效率方面的作用變得越來越重...
2024-12-04 標(biāo)簽:電池管理系統(tǒng)MOSbms 366 0
異步內(nèi)置MOS升壓恒壓芯片 FP6291C,最高輸出5-12V/6-8W,輸入限流可調(diào),易過EMI
概述FP6291C是一個(gè)電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。它的PWM電路內(nèi)置0.2Ω功率MOSFET使該調(diào)節(jié)器高效。內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)還可以最小化多達(dá)6個(gè)外部組件...
2024-11-23 標(biāo)簽:芯片轉(zhuǎn)換器MOS 129 0
MOSFET規(guī)格書中單脈沖雪崩能量EAS如何理解?電路設(shè)計(jì)咋用它計(jì)算MOS會(huì)損壞嗎?
單脈沖雪崩能量簡(jiǎn)稱是EAS,這一參數(shù)是描述MOSFET在雪崩模式下能承受的能量極限的參數(shù),我們一般在電路設(shè)計(jì)中拿這個(gè)參數(shù)來評(píng)估MOSFET 的瞬態(tài)過壓耐...
2024-11-25 標(biāo)簽:MOSFET電路設(shè)計(jì)MOS 1670 0
三相逆變電路 2.導(dǎo)通原理 如上圖所示,為一相的逆變橋。上下MOS管不能同時(shí)導(dǎo)通,那么可以有幾種控制方式: PWM控制上管,下管電平控制(恒高或者橫低)...
2024-11-19 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)PWMMOS 1378 0
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TPA31102D2 VIN是電池電壓通過MOS開關(guān)打開后得到的電壓,開機(jī)瞬間VIN得電,電池電壓會(huì)瞬間跌落怎么解決?
標(biāo)簽:MOS音頻轉(zhuǎn)換器vin 323 2
Toshiba東芝TPN11003NL MOSFETs硅N溝道MOS規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-11-13 標(biāo)簽:MOSFETMOSN溝道
TOSHIBA東芝TPH3R704PC MOSFETs硅N溝道MOS規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-11-12 標(biāo)簽:MOSFETMOSN溝道
TPH4R50ANH1 MOSFETs硅N溝道MOS規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-11-11 標(biāo)簽:MOSFETMOSN溝道
IP2315高效同步降壓轉(zhuǎn)換充電IC中文手冊(cè)立即下載
類別:IC中文資料 2024-10-24 標(biāo)簽:充電MOS降壓轉(zhuǎn)換
Toshiba東芝TPN3R704PL MOSFET硅N溝道MOS產(chǎn)品規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-09-14 標(biāo)簽:MOSFET東芝MOS
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芯聯(lián)集成SiC MOS主驅(qū)芯片榮獲中汽協(xié)創(chuàng)新成果獎(jiǎng)
芯聯(lián)集成控股子公司芯聯(lián)動(dòng)力的SiC MOS主驅(qū)芯片,在近日舉辦的中國(guó)汽車工業(yè)協(xié)會(huì)(簡(jiǎn)稱“中汽協(xié)”)頒獎(jiǎng)典禮上,成功斬獲“2024中國(guó)汽車芯片創(chuàng)新成果”獎(jiǎng)...
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新潔能12-200V N-Channel Trench MOSFET系列產(chǎn)品覆蓋了12V至200V的電壓范圍,主要適用于中低壓場(chǎng)合,特別是在低壓領(lǐng)域具有...
深入探索TK160F10N1L MOSFET:性能、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用
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聚焦羅湖區(qū)企業(yè)家日,仁懋電子展現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新力量
2024年11月2日,在這金秋時(shí)節(jié),深圳市羅湖區(qū)迎來了備受矚目的2024年“企業(yè)家日”。值此盛會(huì)之際,仁懋電子科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“仁懋電子”)與業(yè)界...
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NS1705SC是一款外圍電路簡(jiǎn)單的Buck型平均電流檢測(cè)模式的 LED 恒流驅(qū)動(dòng)器,適用于 8-100V電壓范圍的非隔離式大功率恒流 LED 驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域...
2024-11-01 標(biāo)簽:ledMOS恒流驅(qū)動(dòng)器 216 0
ATA-2161高壓放大器在量子點(diǎn)顯示器發(fā)光MOS結(jié)中的應(yīng)用
實(shí)驗(yàn)名稱:用于超高分辨率量子點(diǎn)顯示器的發(fā)光MOS結(jié)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:為了避免亞微米級(jí)別發(fā)光像素之間的電學(xué)串?dāng)_和多層功能層之間的精確對(duì)準(zhǔn),我們提出了一種基于量子點(diǎn)...
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