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  HBM與GDDR內(nèi)存技術(shù)全解析

  在高性能圖形處理領(lǐng)域，內(nèi)存技術(shù)起著至關(guān)重要的作用。本文介紹兩種主要的圖形內(nèi)存技術(shù)：高帶寬內(nèi)存（HBM）和圖形雙倍數(shù)據(jù)速率

  2024-11-15 標(biāo)簽： 內(nèi)存 HBM GDDR 856 0

• 今日看點(diǎn)丨臺(tái)積電A14制程將于2026年上半年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)；SK海力士推出全球最高性能的GDDR7

  1. 傳蘋果將于明年3 月在印度生產(chǎn)iPhone 16 Pro 系列 ? 蘋果正在擴(kuò)大在印度的制造足跡。據(jù)報(bào)道，蘋果計(jì)劃

  2024-07-30 標(biāo)簽： 臺(tái)積電 SK海力士 GDDR 549 0

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  Micron美光科技揭開新一代顯存的神秘面紗：GDDR7

  “游戲加載中……” 假如您是一位游戲玩家，在游戲中面對(duì)突然彈出的“加載中……”提示框時(shí)，會(huì)是怎樣的心情？假如您是一位數(shù)據(jù)

  2024-07-10 標(biāo)簽： DRAM Micron 美光科技 378 0

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  一句話概括DDR、LPDDR、GDDR的區(qū)別

  以DDR開頭的內(nèi)存適用于計(jì)算機(jī)、服務(wù)器和其他高性能計(jì)算設(shè)備等領(lǐng)域，目前應(yīng)用廣泛的是DDR3和DDR4；

  2024-05-10 標(biāo)簽： SDRAM DDR 圖形處理器 6503 0

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  GDDR和DDR代表什么？GDDR和DDR內(nèi)存有什么區(qū)別？

  DDR 代表雙倍數(shù)據(jù)速率double data rate，GDDR 代表圖形雙倍數(shù)據(jù)速率graphics double

  2024-03-17 標(biāo)簽： SDRAM DDR CAS 2798 0

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  DDR3讀寫平衡、GDDR時(shí)鐘訓(xùn)練與鎖相技術(shù)闡述

  如圖所示，內(nèi)存控制器與顆粒相連接，并通過(guò)DQ（數(shù)據(jù)線）反饋。

  2023-10-30 標(biāo)簽： DDR3 鎖相技術(shù) 數(shù)字芯片 2029 0

• 三星電子將推出圍繞汽車多方位需求的車載半導(dǎo)體解決方案

  德國(guó)慕尼黑–2023年9月4日–三星電子今日宣布，其包括半導(dǎo)體在內(nèi)多個(gè)業(yè)務(wù)部門，將共同亮相備受期待的德國(guó)汽車及智慧出行博

  2023-09-04 標(biāo)簽： 三星電子 電源管理 汽車微控制器 546 0

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  不同的存儲(chǔ)器技術(shù)介紹 如何選擇正確的存儲(chǔ)器技術(shù)

  存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的主要功能是在云計(jì)算和人工智能 (AI)、汽車和移動(dòng)等廣泛應(yīng)用中盡可能快速可靠地為主機(jī)（CPU 或 GPU）

  2023-08-17 標(biāo)簽： DRAM 存儲(chǔ)器 DDR 971 0

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  EUV光刻DDR5內(nèi)存狂飆 單條1TB不是夢(mèng)

  隨著制程工藝的進(jìn)步，DRAM內(nèi)存芯片也面臨著CPU/GPU一樣的微縮難題，解決辦法就是上EUV光刻機(jī)，但是設(shè)備實(shí)在太貴，

  2023-07-31 標(biāo)簽： DRAM芯片 EUV光刻機(jī) DDR5 1244 0

• 競(jìng)逐HBM，三星競(jìng)爭(zhēng)力在下降？

  7月5日，在三星每周三舉行的員工內(nèi)部溝通活動(dòng)期間，三星電子負(fù)責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的 DS 部門總裁 Kyung Kye-hyun

  2023-07-10 標(biāo)簽： 三星電子 存儲(chǔ)器 超級(jí)計(jì)算機(jī) 828 0

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