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標(biāo)簽 > 場(chǎng)效應(yīng)管
場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。
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電子元件也有壽命,電子元件的壽命除了與它本身的結(jié)構(gòu)、性質(zhì)有關(guān),也和它的使用環(huán)境和在電路中所起作用密切相關(guān)。 冬天快到來(lái)時(shí),突來(lái)一股寒流,一部分人體格較差...
飛虹MOS管FHP1906V在全橋拓?fù)潆娐分械膽?yīng)用
全橋拓?fù)湎啾扔诎霕蚧蛲仆焱負(fù)?,具有更高的功率處理能力、?duì)稱的電壓轉(zhuǎn)換特性以及更好的效率,常常適用于高功率和高效率要求的應(yīng)用場(chǎng)景。比如:不間斷電源(UPS...
2024-12-17 標(biāo)簽:放大器場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 114 0
飛虹半導(dǎo)體FHP1906V場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)和應(yīng)用
飛虹半導(dǎo)體針對(duì)逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)的廠商需求,推出國(guó)產(chǎn)MOS管新產(chǎn)品:FHP1906V型號(hào)。
2024-11-26 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管晶體管 182 0
三極管在電路設(shè)計(jì)與維修中無(wú)處不在,從簡(jiǎn)單的開關(guān)控制到復(fù)雜的信號(hào)放大,三極管都有其獨(dú)特的應(yīng)用場(chǎng)景。初學(xué)者往往只看到“它有三個(gè)腳”,但從實(shí)際應(yīng)用來(lái)看,不同類...
在現(xiàn)代電子技術(shù)中,三極管和場(chǎng)效應(yīng)管是兩種基本的放大和開關(guān)器件。它們?cè)谠O(shè)計(jì)和應(yīng)用上有著顯著的差異,這些差異影響了它們的性能和適用領(lǐng)域。 工作原理 三極管(...
2024-11-01 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管pnp 313 0
開關(guān)管,也稱為場(chǎng)效應(yīng)管(FET),是一種半導(dǎo)體器件,其核心工作原理主要基于電場(chǎng)對(duì)電荷的控制,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電路中電流的開關(guān)控制。
2024-10-25 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)管 632 0
N通道和P通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)之間的區(qū)別是什么?
晶體管是現(xiàn)代電子電路中至關(guān)重要的半導(dǎo)體器件。它們可以執(zhí)行兩種主要功能。首先,作為其真空管前身三極管,晶體管可以放大電信號(hào)。其次,晶體管可以作為計(jì)算機(jī)的信...
2024-10-25 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管晶體管FET 1031 0
場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作機(jī)制和命名方式介紹
場(chǎng)效應(yīng)晶體管以其獨(dú)特的電壓控制特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在電子技術(shù)領(lǐng)域中占據(jù)著舉足輕重的地位。它主要分為兩種類型:JFET(結(jié)型)和MOS-FET(金屬-氧...
2024-09-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管電壓 284 0
共源共柵放大器的偏置電壓取值是一個(gè)相對(duì)復(fù)雜的過(guò)程,需要考慮多個(gè)因素以確保放大器能夠穩(wěn)定且高效地工作。以下是一個(gè)大致的步驟和考慮因素: 一、確定工作點(diǎn)電流...
2024-09-27 標(biāo)簽:放大器電流場(chǎng)效應(yīng)管 441 0
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管(P-channel Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱P-FET)的電流方向是半導(dǎo)體器件工作中的一個(gè)基本特性,它決定了...
2024-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管漏極 740 0
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通條件
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管(P-channel Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱P-FET)的導(dǎo)通條件是其能夠正常工作的關(guān)鍵要素。以下是關(guān)于P溝...
2024-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管p溝道 1553 0
P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管有哪些特點(diǎn)
P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...
2024-09-23 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 581 0
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)稱P-MOSFET(P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor F...
2024-09-23 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管p溝道 881 0
什么是N溝道場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管
場(chǎng)效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是一種通過(guò)改變電場(chǎng)來(lái)控制半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的電子器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道中載流子的類型,...
2024-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管p溝道 1055 0
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管有什么區(qū)別
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET)和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管(P-Channel ...
2024-09-23 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管N溝道p溝道 1671 0
N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用有哪些
N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(N-Channel Junction Field Effect Transistor, N-Channel JFET)作為半導(dǎo)體器件...
2024-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管N溝道 469 0
N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理
N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(N-Channel Junction Field Effect Transistor, N-Channel JFET)的工作原理是半...
2024-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管N溝道 973 0
廣電計(jì)量|功率場(chǎng)效應(yīng)管過(guò)壓失效機(jī)理及典型特征分析
失效分析最常觀察到的現(xiàn)象是EOS過(guò)電失效,分為過(guò)壓失效及過(guò)流失效的兩種失效模式。對(duì)于以功率器件為代表的EOS過(guò)電失效樣品,其失效表征往往表現(xiàn)為芯片的大面...
2024-09-18 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS失效機(jī)理 909 0
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源極之間的pn結(jié)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)柵源極之間的PN結(jié)是其核心組成部分之一,對(duì)于理解JFET的工作原理和特性至關(guān)重要。以下是對(duì)該P(yáng)N結(jié)的介紹: 一、PN結(jié)的形成與特...
2024-09-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管源極 453 0
場(chǎng)效應(yīng)管和雙極型晶體管的區(qū)別
場(chǎng)效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)和雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor,簡(jiǎn)稱BJT...
2024-09-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管雙極型晶體管 1141 0
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