資料介紹
德州儀器 (TI) 為汽車級 LMG352x 系列 650V 氮化鎵 (GaN) 功率級開發(fā)了一種新型頂部冷卻四方扁平無引線 (tsQFN) 封裝。它具有與其底部冷卻 QFN 對應(yīng)器件 (LMG342x) 相同的 12mm x 12mm x 0.9mm 緊湊尺寸。這種新 型 ts-QFN 表面貼裝封裝在其安裝引腳的另一側(cè)有一個裸露的銅質(zhì)散熱焊盤。通過將散熱片或冷板直接附貼在封裝 頂部,實現(xiàn)了熱性能的增強(qiáng),同時不會出現(xiàn)印刷電路板引起的熱障礙。在實現(xiàn)直接驅(qū)動和功能集成的同時,TI 的 新型 ts-QFN 12x12 封裝與競爭對手為分立式 GaN 器件開發(fā)的頂部冷卻封裝相比,表現(xiàn)出了更低的器件結(jié)到系統(tǒng) 冷卻平面的熱阻。利用頂部冷卻配置,可以為車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器等汽車應(yīng)用改善系統(tǒng)熱性能和設(shè)計靈 活性。
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