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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>利用NSI810X高效快速實(shí)現(xiàn)IIC設(shè)備隔離兼容替代ADUM1250/ISO1540/SI8600A

利用NSI810X高效快速實(shí)現(xiàn)IIC設(shè)備隔離兼容替代ADUM1250/ISO1540/SI8600A

2022-10-31 | pdf | 1.83 MB | 次下載 | 免費(fèi)

資料介紹

 

利用NSI810X高效快速實(shí)現(xiàn)IIC設(shè)備隔離

IIC總線(xiàn)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單且易于實(shí)現(xiàn),廣泛應(yīng)用于設(shè)備或模塊間的連接。在某些數(shù)據(jù)采集和電源控制設(shè)備中,必須把IIC主設(shè)備與一個(gè)或多個(gè)從設(shè)備隔離開(kāi)來(lái),以便解決噪聲、接地、安全等問(wèn)題。本文主要介紹如何利用納芯微電子(NOVOSENSE)生產(chǎn)的NSi810x系列芯片高效快速的實(shí)現(xiàn)IIC設(shè)備隔離。

首先我們先來(lái)了解下NSi810x系列芯片。NSi810x系列芯片為兼容IIC接口的高可靠性雙向數(shù)字隔離器,其符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn),具有高電磁抗擾度和低輻射的特性。NSi810x系列產(chǎn)品的主要性能指標(biāo)如下:

-高達(dá)5000VRMS隔離電壓

-I2C時(shí)鐘速率:高達(dá)2MHz

-供電電壓范圍:2.5V~5.5V

-高CMTI:150kV/us

-芯片級(jí)ESD:HBM高達(dá)±6kV

-高系統(tǒng)級(jí)EMC性能:增強(qiáng)型系統(tǒng)級(jí)抗ESD、EFT、浪涌能力

-隔離帶壽命:>60年

高可靠性雙通道雙向I2C數(shù)字隔離器

NSi8100x系列是高可靠性的雙向l2C數(shù)字隔離器。提供符合UL1577的多種電氣隔離耐壓(3.75kVrms, 5kVrms),且具有高電磁抗擾度和低輻射的特性。支持I2C時(shí)鐘高達(dá)2MHZ,共模瞬態(tài)抗干擾度(CMTI)高達(dá)150kV/μs。寬供電范圍可直接對(duì)接大多數(shù)MCU等數(shù)字接口,并且可以方便的提供雙向電平轉(zhuǎn)換功能。出色的系統(tǒng)級(jí)電磁兼容(EMC)性能,增強(qiáng)了使用的可靠性和穩(wěn)定性。

產(chǎn)品特性

?高達(dá)3750Vrms的隔離電壓

?I2C時(shí)鐘速率: 高達(dá)2MHz

?寬電源供電范圍:2.5V至5.5V

?高共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI):±150kV/μs

?高系統(tǒng)級(jí)EMC性能:系統(tǒng)級(jí)靜電放電(ESD),快速群脈沖(EFT),抗浪涌保護(hù)

?芯片級(jí)ESD性能: HBM: ±6kV

?隔離柵壽命:>60年

?超低功耗:1.5mA/通道(1Mbps)

?低傳輸延時(shí):<15ns

?寬工作溫度范圍:-40C~125C

?符合RoHS的封裝:SOP8, SOW16

 

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