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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子元器件應(yīng)用>寄生效應(yīng)和Via及Ground Bounce的詳細(xì)介紹和綜合應(yīng)用資料概述

      寄生效應(yīng)和Via及Ground Bounce的詳細(xì)介紹和綜合應(yīng)用資料概述

      2018-10-22 | pdf | 2.36 MB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      　　寄生效應(yīng)

      　　除了前述有形的電感與電容外，在高頻下，更是會(huì)出現(xiàn)無(wú)形的電感與電容，亦即所謂的寄生效應(yīng)。接下來(lái)將探討寄生效應(yīng)之注意事項(xiàng)。前述可知，當(dāng)兩個(gè)金屬很靠近時(shí)，便形成了電容。

      　　因此放大器在閘極與汲極之間，會(huì)存在一個(gè)既有的寄生電容，又稱為米勒電容，即Cgd。當(dāng)電壓極低時(shí)，其Cgd會(huì)變大。

      　　因此放大器在閘極與汲極之間，會(huì)存在一個(gè)既有的寄生電容，又稱為米勒電容，即Cgd。當(dāng)電壓極低時(shí)，其Cgd會(huì)變大。

      　　下式是Cgd的容抗，當(dāng)Cgd變大時(shí)，則容抗會(huì)變小，因此部分輸入訊號(hào)，會(huì)直接透過(guò)Cgd，由閘極穿透到汲極，即上圖中的Feedthrough現(xiàn)象。因此供給電壓不宜過(guò)低，否則訊號(hào)會(huì)有嚴(yán)重的AMAM與AMPM失真［89］。

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