在工程實(shí)踐中，有許多生產(chǎn)機(jī)械

　　如銑床電機(jī)要求在一定的范圍內(nèi)進(jìn)行速

　　度的平滑調(diào)節(jié)，并且要求有良好的靜、

　　動(dòng)態(tài)性能。由于直流電動(dòng)機(jī)具有極好的

　　運(yùn)行性能和控制特性，盡管它不如交流

　　電動(dòng)機(jī)那樣結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、價(jià)格便宜、制造

　　方便、維護(hù)容易，但是長(zhǎng)期以來(lái)，直流

　　調(diào)速系統(tǒng)一直占據(jù)壟斷地位。當(dāng)然，近

　　年來(lái)，隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)、電力電子技術(shù)

　　和控制技術(shù)的發(fā)展，交流調(diào)速系統(tǒng)發(fā)展

　　很快，大有取代直流調(diào)速系統(tǒng)的趨勢(shì)，

　　由于全數(shù)字直流調(diào)速系統(tǒng)的出現(xiàn)，目

　　前，直流調(diào)速系統(tǒng)仍然是自動(dòng)調(diào)速系統(tǒng)

　　的主要形式。直流調(diào)速系統(tǒng)在理論上和

　　實(shí)踐上都比較成熱，從控制技術(shù)的角度

　　來(lái)看，它又是交流調(diào)速系統(tǒng)的基礎(chǔ)。因

　　此，直流調(diào)速系統(tǒng)的應(yīng)用研究具有實(shí)際

　　IR640的最小漏源擊穿電壓為200V，最

　　大柵源電壓為±20V，超過(guò)此限度值，

　　即使電流被限制在很小值，也可能擊穿

　　柵源間的氧化層而造成損壞。為此，在

　　IRF640的柵源間加了15V的齊納二極管

　　IN4744和一個(gè)20KΩ的無(wú)感電阻，用以

　　降低振蕩和減小峰值電流。由于MOSFET

　　內(nèi)部的續(xù)流二極管在高頻PWM開(kāi)關(guān)下

　　恢復(fù)時(shí)間不甚理想，為此，分別在4個(gè)

　　IRF640的漏源之間各接了一個(gè)快恢復(fù)

　　二極管，即VD1、VD2、VD3、VD4，選用

　　MUR820，驅(qū)動(dòng)電路見(jiàn)圖1。