--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMN2019UTS
- 名稱 N溝道MOSFET
- 產(chǎn)地 臺灣
- 封裝 TSSOP-8
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN2019UTS 這種新一代MOSFET的設計目的是最大限度地降低現(xiàn)場電(RDS(on)),同時保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理的理想選擇應用程序。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMN2019UTS
名稱 N溝道MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 TSSOP-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.4 A
PD @TA = +25°C (W) 0.78 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 18.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 21 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 24 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 31 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.35 V
|VGS(TH)| Max (V) 0.95 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.8 nC
CISS Typ (pF) 143 pF
主要特征
低導通電阻
低輸入電容
切換速度快
高達2KV的ESD保護
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上傳時間:2024-11-15 16:02
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