TPS8802 模擬前端（AFE） 接口 評估板
2024-03-14 23:22:14
全球知名半導體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102 近日，全球知名的半導體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 Vishay近期發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊，其改良設(shè)計的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均運用Vishay領(lǐng)先
2024-03-08 11:45:51266 對于CCG2 （CYPD2122）+8802 做成的power bank,PD無論是空載還是滿載，IPWM和VPWM占空比都是100%，可否改為93%？如果可以話，能否告知在代碼哪個地方修改嗎？
2024-02-29 07:33:09
在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級。
2024-02-23 09:38:53343 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
功率MOSFET是一種廣泛應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換器的高性能開關(guān)器件。它具有高輸入阻抗、低導通電阻、快速開關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點，因此在各種高壓、高頻、高效率的電源系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。 結(jié)構(gòu)
2024-01-17 17:24:36294 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FP6151內(nèi)置內(nèi)部功率MOSFET產(chǎn)品手冊》資料免費下載
2024-01-15 14:47:23
0 自2021年起，芯聯(lián)集成與比亞迪在多個領(lǐng)域展開深度合作，涵蓋晶圓電力MOSFET、IGBT、Si基MOSFET等功率器件及車載主驅(qū)功率模塊、模擬IC等多個板塊。
2024-01-08 09:36:26194 功率等級的功率轉(zhuǎn)換、更快的開關(guān)速度、傳熱效率上也優(yōu)于硅材料。 本篇博客探討了SiC材料如何提升產(chǎn)品性能以超越基于硅材料的領(lǐng)域，從而為我們?nèi)碌臄?shù)字世界創(chuàng)造下一代解決方案。 硅基MOSFET、碳化硅（SiC）MOSFET、氮化鎵（GaN）HEMT或
2023-12-21 10:55:02182 據(jù)悉，國聯(lián)萬眾公司已研發(fā)出具備指標性能堪比國外知名廠商的1200V SiC MOSFET產(chǎn)品，部分型號產(chǎn)品已開始供應(yīng)市場。另一方面，針對比亞迪在內(nèi)的多方潛在客戶，該公司的電動汽車主驅(qū)用大功率MOSFET產(chǎn)品正在進行進一步洽談。
2023-12-12 10:41:48229 碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導體化合物，屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結(jié)合力非常強，使半導體具有很高的機械、化學和熱穩(wěn)定性。
2023-12-11 11:29:35196 
如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導通?
2023-12-06 18:22:24522 
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
2023-12-05 14:31:21258 
功率MOSFET在電力電子設(shè)備中應(yīng)用十分廣泛，因其故障而引起的電子設(shè)備損壞也比較常見。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，對于MOSFET的進一步推廣應(yīng)用具有重要意義。
2023-12-04 15:57:241113 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
問題1：在功率MOSFET管應(yīng)用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負載開關(guān)的功率MOSFET管導通時間計算，通常取多少比較好？相應(yīng)的PCB設(shè)計，銅箔面積布設(shè)多大散熱會比較好？漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣？有公式可以計算嗎？
2023-12-03 09:30:40408 
圖1顯示Littelfuse在HV分立Si MOSFET市場具有領(lǐng)導地位，特別是在1700V以上產(chǎn)品。作為業(yè)界最高電壓阻斷能力（高達4700V）器件的制造商
2023-12-01 11:04:49337 
Si對比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法
2023-11-29 16:16:06149 
高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應(yīng)用
2023-11-24 14:57:39195 
功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認識
2023-11-23 09:06:38407 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列設(shè)計更綠色、更小的電源.pdf》資料免費下載
2023-11-13 15:11:290 一、友商的nRF24L01+不要求芯片底部的金屬焊盤接地，Si24R1規(guī)格書上也沒要求接地，這是因為發(fā)射功率較低只有0dbm的情況，當芯片發(fā)射功率大于0dbm以后，芯片底部的金屬焊盤會有很多白噪聲
2023-11-06 10:27:02
MOSFET中文名為金屬-氧化物半導體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級的MOSFET器件，通常工作電流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196 
功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開關(guān)電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過
2023-11-01 08:24:31345 
功率MOSFET選型的幾點經(jīng)驗在此，根據(jù)學到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對實際
2023-10-26 08:02:47373 
在此，根據(jù)學到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
2023-10-25 10:43:16765 
和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個大類又分為增強型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
能。?功率半導體芯片：如IGBT、FRD、MOSFET等等，傳統(tǒng)Si基和新興的第三代半導體SiC等，它們的特性受制于其本身的設(shè)計，同時也需要看于其搭配的封裝材料和
2023-10-24 09:45:033032 
英飛凌科技、現(xiàn)代汽車公司和起亞公司達成了一項為期多年的SiC和Si功率半導體供應(yīng)協(xié)議。英飛凌將建設(shè)并儲備制造能力，為現(xiàn)代/起亞提供SiC和Si功率模塊和芯片，直至2030年。現(xiàn)代/起亞將提供資金支持
2023-10-23 15:40:35436 汽車電子MOSFET發(fā)展的一個最終方向是提高感測、控制和保護功率開關(guān)的性能。功率器件正集成到智能化車載系統(tǒng)中?，F(xiàn)在在最低功率級別，MOSFET可以與功率器件上的感測元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58148 
眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率，且開關(guān)速度優(yōu)異?？梢哉f具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類型。一般來說，MOSFET更適合高頻開關(guān)應(yīng)用，而IGBT更適合高功率應(yīng)用。
2023-10-17 14:46:401025 
MOSFET功率損耗的詳細計算
2023-09-28 06:09:39
在碳化硅電力電子器件的研究中，SiC-MOSFET是最受關(guān)注的器件。在Si材料接近理論性能極限的今天，SiC功率器件由于具有耐壓高、損耗低、效率高等特點，一直被視為理想器件而備受期待。不過，與以往
2023-09-27 15:37:191392 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《P溝道增強模式功率MOSFET G040P04M規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2023-09-19 17:29:110 如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導通?
2023-09-18 16:54:35590 
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報價設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
在高功率應(yīng)用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項優(yōu)勢。其中包括更低的傳導和開關(guān)損耗以及更好的高溫性能。
2023-09-11 14:55:31347 
這些超結(jié)快速恢復硅基功率MOSFET兼具超低恢復電荷（Qrr）和超快快恢復時間（trr），以及出色的品質(zhì)因數(shù)（RDS(on) x Qg），能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開關(guān)電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個30A單相的分布計算示例，詳細說明了上述概念。
2023-09-06 09:14:32446 
功率半導體自20世紀50年代開始發(fā)展起來，至今形成以二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等為代表的多世代產(chǎn)品體系。新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生拓寬了原有產(chǎn)品和技術(shù)的應(yīng)用范圍，適應(yīng)更多終端產(chǎn)品的需求，MOSFET同樣衍生出GaN，SiC新型材料的產(chǎn)品去覆蓋更高功率密度、更高電壓、以及高開關(guān)速度的應(yīng)用場景。
2023-08-31 14:14:071044 
雪崩強度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過VDSS的電壓，但是MOSFET的性能沒有被破壞。此時施加在其上的能量稱為雪崩能量[Avalanche energy]，流過的電流稱為雪崩電流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保證雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24501 
為了劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更多功率的器件，開關(guān)、電阻器和 MOSFET 并聯(lián)連接。
2023-08-29 11:47:48302 
功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 09:13:06552 
2023 年8 月18 日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 供應(yīng)多款Vishay針對汽車應(yīng)用設(shè)計的產(chǎn)品
2023-08-18 14:56:07372 
用途 PW-8802-2K手動輾壓滾輪適用于膠粘帶剝離力，持粘性等試驗用試件的準備，利用滾輪本身之重量，使試片能完全密合貼于試驗板上，以做為粘著保持力與剝離力之用。
2023-08-04 14:56:54
這是600W MOSFET功率放大器的電路圖。該電路將為阻抗為 4 歐姆的揚聲器提供超過 600 瓦的音頻輸出。該高功率放大器電路僅在輸出級使用6個N溝道MOSFET IRFP450，即可為您提
2023-07-28 17:04:191357 
ZL8802 數(shù)據(jù)表
2023-07-11 20:10:500 在現(xiàn)今電力電子領(lǐng)域，高壓（HV）分立功率半導體器件變得越來越重要，Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產(chǎn)品系列以滿足發(fā)展中的需求。
2023-07-07 10:11:47483 
及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導體功率器件研發(fā)項目等。 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計、封裝測試、銷售為主的半導體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520 
? 根據(jù)Wolfspeed的最新消息，隨著其在紐約州莫霍克谷工廠的投產(chǎn)，Wolfspeed已經(jīng)開始向中國終端客戶批量出貨碳化硅MOSFET，首批供應(yīng)的產(chǎn)品型號為C3M0040120K。莫霍克谷器件
2023-07-06 10:35:14373 研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導體功率器件研發(fā)項目等。 ? 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計、封裝測試、銷售為主的半導體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
一般說明SI4606采用先進的溝槽技術(shù)，以提供優(yōu)良的活性氧（導通），低柵極電荷柵極電壓低至4.5V的操作。該裝置適用于筆記本電腦、便攜式設(shè)備和電池供電系統(tǒng)的電源管理。??深圳市奧科迪科技有限公司
2023-07-05 17:37:140 MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對應(yīng)GTR的截止區(qū)）;飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的放大區(qū)）;非飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）。功率MOSFET在開關(guān)狀態(tài)下工作，即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉(zhuǎn)換
2023-07-04 16:46:37974 
PS8802-1,-2 數(shù)據(jù)表
2023-07-03 19:51:050 ，需要更多的制造測試能力。除了成熟的半導體ATE供應(yīng)商之外，許多公司正在開發(fā)產(chǎn)品以滿足功率MOSFET測試需求。
2023-06-30 11:26:16878 
功率MOSFET的UIS雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導通損壞和VGS尖峰誤觸發(fā)導通損壞。
2023-06-29 15:40:541276 
功率 MOSFET 即金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個管腳，分別為柵極（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。
2023-06-27 17:41:20369 
供應(yīng)DP4021反激副邊同步整流芯片內(nèi)置60V功率MOSFET，提供DP4021規(guī)格書關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-15 17:08:092 UTC 10N65-ML是一款高壓功率MOSFET，它結(jié)合了先進的溝槽MOSFET，設(shè)計具有更好的特性，如快速開關(guān)時間、低柵極電荷、低導通狀態(tài)電阻和高崎嶇雪崩特性。這種功率MOSFET通常用于開關(guān)電源和適配器的高速開關(guān)應(yīng)用。?
2023-06-14 16:45:450 Vishay VOMDA1271 器件通過 AEC-Q102 認證 開關(guān)速度和開路輸出電壓（8.5V）達到業(yè)內(nèi)先進水平 Vishay? 推出一款業(yè)內(nèi)先進的新型汽車級光電壓輸出光耦，用于 MOSFET
2023-06-09 10:10:01426 
Vishay VOMDA1271 器件通過 AEC-Q102 認證 開關(guān)速度和開路輸出電壓（8.5V）達到業(yè)內(nèi)先進水平 Vishay? 推出一款業(yè)內(nèi)先進的新型汽車級光伏 MOSFET 驅(qū)動器
2023-06-08 19:55:02374 
功率MOSFET即金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
我們將討論設(shè)計MOSFET功率放大器電路時必須考慮的各種參數(shù)，還分析了雙極結(jié)型晶體管（BJT）和MOSFET特性之間的差異，并了解了為什么MOSFET更適合功率放大器應(yīng)用并使其更有效。
2023-06-05 09:07:19737 
Vishay ?MCB ISOA 器件通過 AEC-Q200 認證 采用 SOT-227 小型封裝 可直接安裝在散熱器上 具有高脈沖處理能力 功率耗散達 120 W Vishay? 推出一款通過
2023-06-03 08:25:02533 
Vertical MOSFET（垂直MOSFET） 5. Power MOSFET（功率MOSFET） 6. Junction Field Effect Transistor (JFET)（結(jié)型場效應(yīng)晶體管
2023-06-02 14:15:36937 以對 MOSFET 使用單個控制輸入。這種拓撲結(jié)構(gòu)中的Si4501DY MOSFET的主元件在5A時表現(xiàn)出小于0.1V的壓降，并且兩個MOSFET都采用SO-8封裝。
2023-05-31 17:49:243200 
1.基本參數(shù)對比 以上圖片是成都億佰特科技有限公司基于SI4463、SI4438和SI4432三款芯片設(shè)計的相關(guān)產(chǎn)品，上述列表是基于三款產(chǎn)品的測試據(jù)。 2.功能簡述 SI4432 ： SI
2023-05-31 15:54:430 在這篇文章中，我們將討論設(shè)計MOSFET功率放大器電路時必須考慮的各種參數(shù)。我們還分析了雙極結(jié)型晶體管（BJT）和MOSFET特性之間的差異，并了解了為什么MOSFET更適合功率放大器應(yīng)用并使其更有效。
2023-05-24 17:25:422111 
。與其他類型的晶體管相比，MOSFET具有更高的功率密度，這是一個明顯的優(yōu)勢。此外，與BJT（雙極結(jié)型晶體管）相比，MOSFET需要最少的輸入電流來控制負載電流。
2023-05-24 11:19:06720 分享功率MOSFET驅(qū)動保護電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
基于Siliconix應(yīng)用以及串聯(lián)插入運算放大器驅(qū)動器電壓供應(yīng)商的2個電阻的電壓變化。MosFET晶體管必須安裝在至少1K/W的散熱器上。
2023-05-23 16:50:331164 
同步整流技術(shù)就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進行整流,所以,研究同步整流技術(shù),就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-05-18 09:10:06421 
ZL8802 數(shù)據(jù)表
2023-05-15 19:00:100 功率MOSFET的雪崩強度限值是衡量器件針對于感性負載在開關(guān)動作應(yīng)用中的重要參數(shù)。 清楚地理解雪崩強度的定義，失效的現(xiàn)象及評估的方法是功率MOSFET電路設(shè)計必備的能力。 本文將以下面三個方面進行探討。
2023-05-15 16:17:451133 
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)手冊中會有一個看似復雜的SOA（Safe Operation Area）圖片，這個安全工作區(qū)域圖告訴我們只有MOSFET工作在曲線內(nèi)才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA圖。
2023-05-15 16:16:311174 
數(shù)據(jù)手冊就是電子元件的使用說明書，在電路設(shè)計之前，十分有必要通讀數(shù)據(jù)手冊，并了解產(chǎn)品的重要性能參數(shù)。在MOSFET的數(shù)據(jù)手冊中極限值表格中的總功率損耗Ptot就是一個十分有趣的參數(shù)。說它有趣是因為
2023-05-15 16:10:25626 
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實現(xiàn)？怎樣實現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
在本文中，我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動電路。
2023-04-29 09:35:005288 
R1LV0816ABG-5SI 7SI 數(shù)據(jù)表
2023-04-20 18:42:210 碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161468 DRV8802 1.6A DUAL BRUSHED DC MOT
2023-04-06 10:22:12
EVAL BOARD FOR AP8802
2023-03-30 11:57:30
EVAL BOARD FOR AP8802
2023-03-30 11:57:30
EVAL BOARD FOR AP8802
2023-03-30 11:57:30
EVAL BOARD FOR AP8802H
2023-03-30 11:57:30
EVAL MODULE FOR DRV8802
2023-03-30 11:41:24
88732-8802
2023-03-29 21:35:39
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
2023-03-28 22:20:30
SC8802QDER
2023-03-28 18:10:07
PS8802-1-F3-AX
2023-03-28 13:22:31
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