只有體單晶材料難以滿足日益發(fā)展的各種半導(dǎo)體器件制作的需要。因此，1959年末開(kāi)發(fā)了薄層單晶材料生長(zhǎng)技外延生長(zhǎng)。那外延技術(shù)到底對(duì)材料的進(jìn)步有了什么具體的幫助呢？
2024-02-23 11:43:59
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近日，廣東致能科技團(tuán)隊(duì)與西安電子科技大學(xué)廣州研究院/廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)等等合作攻關(guān)，通過(guò)采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層AlGaN / GaN外延片，基于廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心中試平臺(tái)，成功在6英寸藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)了1700V GaN HEMTs器件。
2024-01-25 10:17:24365 
電子科技領(lǐng)域中，半導(dǎo)體襯底作為基礎(chǔ)材料，承載著整個(gè)電路的運(yùn)行。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體襯底材料的選擇和應(yīng)用要求也越來(lái)越高。本文將為您詳細(xì)介紹半導(dǎo)體襯底材料的選擇、分類以及襯底與外延的搭配方案。
2024-01-20 10:49:54474 碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其寬禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在眾多高端應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出色，已成為半導(dǎo)體材料技術(shù)的重要發(fā)展方向之一。SiC襯底分為導(dǎo)電型和半絕緣型兩種，各自適用于不同的外延層和應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-01-17 09:38:29309 
近日，華大半導(dǎo)體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國(guó)第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)，其生產(chǎn)的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)”。這一榮譽(yù)充分體現(xiàn)了中電化合物在第三代半導(dǎo)體外延領(lǐng)域的卓越實(shí)力和領(lǐng)先地位。
2024-01-04 15:02:23523 碲鋅鎘（CZT）單晶材料作為碲鎘汞（MCT）紅外焦平面探測(cè)器的首選襯底材料，其表面質(zhì)量的優(yōu)劣將直接影響碲鎘汞薄膜材料的晶體質(zhì)量以及成品率，故生產(chǎn)出外延級(jí)別的碲鋅鎘襯底表面是極其重要的。
2024-01-02 13:51:18157 
導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過(guò)在導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層，得到碳化硅外延片后進(jìn)一步加工制成，品種包括SBD（肖特基二極管）、MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）等，主要用于電動(dòng)汽車、光伏、軌道交通、數(shù)據(jù)中心、充電等基礎(chǔ)建設(shè)。
2023-12-27 10:08:56305 
碳化硅襯底有諸多缺陷無(wú)法直接加工，需要在其上經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn)，高質(zhì)量的碳化硅同質(zhì)外延材料是碳化硅器件研制的基礎(chǔ)，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實(shí)現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:53607 
近日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)。期間在“碳化硅襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)”分會(huì)上，Nitride
2023-12-09 14:47:15567 
晶盛機(jī)電公司決定從2017年開(kāi)始，碳化硅
生長(zhǎng)設(shè)備及技術(shù)研發(fā)（r&d）開(kāi)始，通過(guò)
研究開(kāi)發(fā)組的技術(shù)攻堅(jiān)，2018年，公司成功開(kāi)發(fā)了6英寸
生長(zhǎng)碳化硅決定，2020年長(zhǎng)征及加工研發(fā)試驗(yàn)生產(chǎn)線建立?！?/div>
2023-12-06 14:08:17379 ，結(jié)合分子束外延技術(shù)，在InAs襯底上生長(zhǎng)帶間級(jí)聯(lián)激光器材料，制備的窄脊器件室溫激射波長(zhǎng)接近4.6μm和5.2μm。
2023-12-06 10:18:00255 
清軟微視是清華大學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)化的高新技術(shù)企業(yè)，專注于化合物半導(dǎo)體視覺(jué)領(lǐng)域量檢測(cè)軟件與裝備研發(fā)。其自主研發(fā)的針對(duì)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的襯底和外延無(wú)損檢測(cè)裝備Omega系列產(chǎn)品，
2023-12-05 14:54:38767 
外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長(zhǎng)的方法介紹。
2023-11-30 18:18:16878 
通過(guò)有效控制AlN薄膜與Si襯底之間的界面反應(yīng)，利用脈沖激光沉積（PLD）在Si襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量的AlN外延薄膜。英思特對(duì)PLD生長(zhǎng)的AlN/Si異質(zhì)界面的表面形貌、晶體質(zhì)量和界面性能進(jìn)行了系統(tǒng)研究。
2023-11-23 15:14:40232 
半導(dǎo)體器件為什么要有襯底及外延層之分呢？外延層的存在有何意義？ 半導(dǎo)體器件往往由襯底和外延層組成，這兩個(gè)部分在制造過(guò)程中起著重要的作用，并且在器件的性能和功能方面具有重要意義。 首先，襯底是半導(dǎo)體
2023-11-22 17:21:281509 半導(dǎo)體的外延片和晶圓的區(qū)別？ 半導(dǎo)體的外延片和晶圓都是用于制造集成電路的基礎(chǔ)材料，它們之間有一些區(qū)別和聯(lián)系。在下面的文章中，我將詳細(xì)解釋這兩者之間的差異和相關(guān)信息。 首先，讓我們來(lái)了解一下
2023-11-22 17:21:252332 背景 András Deák博士的研究重點(diǎn)是了解分子如何相互作用并附著在納米顆粒表面背后的物理學(xué)。許多應(yīng)用依賴于以預(yù)定方式附著在納米顆粒表面的引入分子。然而，如果納米顆粒已經(jīng)有分子附著在其表面，則不
2023-11-15 10:33:52174 
我的設(shè)計(jì)中使用了 ADA4530 這款芯片，用于科學(xué)研究，目前已經(jīng)進(jìn)行到了驗(yàn)證階段。
其用戶指南（UG865）中提到要使用高純度的異丙醇溶劑在超聲波水浴機(jī)中清潔。
我準(zhǔn)備購(gòu)買一款市面上常見(jiàn)的普通
2023-11-13 13:03:48
HVPE主要是利用生長(zhǎng)過(guò)程中的化學(xué)反應(yīng)，如歧化反應(yīng)、化學(xué)還原反應(yīng)以及熱分解反應(yīng)等實(shí)現(xiàn)外延晶體薄膜的制備，具有生長(zhǎng)溫度高、源爐通氣量大、生長(zhǎng)速率大的特點(diǎn)，一般用來(lái)制備厚膜以及自支撐襯底，如GaN、AlN等。
2023-10-22 10:41:081212 
科友半導(dǎo)體8英寸碳化硅（SiC）中試線在2023年4月正式貫通后，同步推進(jìn)晶體生長(zhǎng)厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線建設(shè)，加快襯底加工設(shè)備調(diào)試與工藝參數(shù)優(yōu)化。
2023-10-18 17:43:40722 SiC 襯底是由 SiC 單晶材料制造 而成的晶圓片。襯底可以直接進(jìn)入 晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也 可以經(jīng)過(guò)外延加工，即在襯底上生 長(zhǎng)一層新的單晶，形成外延片。
2023-10-18 15:35:39
4 硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業(yè)照明領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)模商用?；诠?b class="flag-6" style="color: red">襯底GaN材料的Micro LED微顯技術(shù)和低功率PA正在進(jìn)行工程化開(kāi)發(fā)。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架構(gòu)尚處于早期研究階段。
2023-10-13 16:02:31317 
FPC電鍍的前處理 柔性印制板FPC經(jīng)過(guò)涂覆蓋層工藝后露出的銅導(dǎo)體表面可能會(huì)有膠黏劑或油墨污染，也還會(huì)有因高溫工藝產(chǎn)生的氧化、變色，要想獲得附著力良好的緊密鍍層必須把導(dǎo)體表面的污染和氧化層去除，使導(dǎo)體表面清潔。
2023-10-12 15:18:24342 SOI是Silicon-On-Insulator的縮寫。直譯為在絕緣層上的硅。實(shí)際的結(jié)構(gòu)是，硅片上有一層超薄的絕緣層，如SiO2。在絕緣層上又有一層薄薄的硅層，這種結(jié)構(gòu)將有源硅層與襯底的硅層分開(kāi)。而在傳統(tǒng)的硅制程中，芯片直接在硅襯底上形成，沒(méi)有使用絕緣體層。
2023-10-10 18:14:031123 
碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:06525 
此外，研磨技術(shù)的缺點(diǎn)還有統(tǒng)一性不高，多片加工時(shí)對(duì)外延片的厚度的組合比較苛刻，并且加工效率較低。如果將研磨后的外延片再進(jìn)行CMP處理，則需要較長(zhǎng)的時(shí)間才能去除掉損傷層。并且由于襯底的厚度不同，外延的厚度也不同，因此每一片外延片的減薄要求也不同，整體加工效率較低。
2023-09-27 16:35:43430 
由SiC 粉經(jīng)過(guò)長(zhǎng)晶、加工、切割、研磨、拋光、清洗環(huán)節(jié)最終形成襯底。其中SiC晶體的生長(zhǎng)為核心工藝，核心難點(diǎn)在提升良率。類型可分為導(dǎo)電型、和半絕緣型襯底，分別用于功率和射頻器件領(lǐng)域。
2023-09-26 16:12:371063 
碲鎘汞材料具有截止波長(zhǎng)在紅外波段內(nèi)可調(diào)節(jié)、光學(xué)吸收系數(shù)高、量子效率高等特點(diǎn)，是重要的紅外探測(cè)器應(yīng)用材料之一。近年來(lái)分子束外延生長(zhǎng)碲鎘汞技術(shù)的快速發(fā)展，使用分子束外延制備高性能、多色紅外焦平面
2023-09-26 09:18:14283 
，另一方面需要控制材料表面的缺陷密度，減少由缺陷導(dǎo)致的碲鎘汞外延片可用面積損失。研究人員已經(jīng)對(duì)碲鎘汞薄膜的表面缺陷進(jìn)行了大量研究。液相外延碲鎘汞材料表面出現(xiàn)的貫穿型缺陷深度超過(guò)10 μm，與碲鎘汞材料的厚度相近，可達(dá)碲鋅鎘襯底界面
2023-09-10 08:58:20368 
導(dǎo)電型襯底Wolfspeed一家獨(dú)大，絕緣型襯底天岳先進(jìn)入圍前三。2020年全球?qū)щ娦蚐iC襯底依舊被Wolfspeed、II-VI、羅姆壟斷，CR3高達(dá)90%，其中Wolfspeed市占率高達(dá)62
2023-09-07 16:26:321577 
近日，晶能光電發(fā)布12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍(lán)全系列三基色Micro LED外延技術(shù)成果。
2023-09-01 14:07:44737 CVD因具有可控、高質(zhì)量生長(zhǎng)石墨烯的優(yōu)點(diǎn)而引起國(guó)內(nèi)外關(guān)注，據(jù)報(bào)道石墨烯薄膜可在多個(gè)襯底上生長(zhǎng)，如Fe、Cu和Ni、 Pt等。研究表明，采用CVD工藝生長(zhǎng)單層石墨烯，可實(shí)現(xiàn)晶?？烧{(diào)、降低石墨烯固有強(qiáng)度、降低碳原料分解的能量屏障，一定條件下，CVD工藝能帶來(lái)可擴(kuò)展、經(jīng)濟(jì)、可重復(fù)且易于使用的優(yōu)點(diǎn)。
2023-09-01 11:12:53338 
半導(dǎo)體激光器外延材料生長(zhǎng)技術(shù)是半導(dǎo)體激光器研制的核心。高質(zhì)量的外延材料生長(zhǎng)工藝，極低的表面缺陷密度和體內(nèi)缺陷密度是實(shí)現(xiàn)高峰值功率輸出的前提和保證。另外雜質(zhì)在半導(dǎo)體材料中也起著重要的作用
2023-08-29 16:40:20473 
近日，日本化工企業(yè)旭化成（Asahi Kasei）旗下的高性能LED制造商Crystal IS宣布，公司生產(chǎn)出了首款4英寸氮化鋁（AlN）襯底，展示了公司生長(zhǎng)氮化鋁塊狀單晶工藝的可擴(kuò)展性，以滿足各類應(yīng)用的生產(chǎn)需求。
2023-08-29 14:37:29847 氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、高頻率和高溫應(yīng)用。
使用氮化鎵襯底可以在上面生長(zhǎng)
2023-08-22 15:17:312376 重建物體的三維模型。這種測(cè)量方式具有非接觸性、高精度、高速度等優(yōu)點(diǎn)，非常適合用于金屬等材料的表面測(cè)量。
光學(xué)3D表面輪廓儀可以測(cè)量金屬的形狀、表面缺陷、幾何尺寸等多個(gè)方面：
1、形狀測(cè)量。光學(xué)3D表面
2023-08-21 13:41:46
第三代半導(dǎo)體材料擁有硅材料無(wú)法比擬的材料性能優(yōu)勢(shì)，從決定器件性能的禁帶寬度、熱導(dǎo)率、擊穿電場(chǎng)等特性來(lái)看，第三代半導(dǎo)體均比硅材料優(yōu)秀，因此，第3代半導(dǎo)體的引入可以很好地解決現(xiàn)如今硅材料的不足，改善器件的散熱、導(dǎo)通損耗、高溫、高頻等特性，被譽(yù)為光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)新的發(fā)動(dòng)機(jī)。
2023-08-18 09:37:14428 氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、可低成本制作大尺寸襯底等突出優(yōu)點(diǎn)。
2023-08-17 14:24:16412 
制造業(yè)的全面智能化發(fā)展對(duì)工業(yè)產(chǎn)品的質(zhì)量檢測(cè)提出了新的要求。本文總結(jié)了機(jī)器學(xué)習(xí)方法在表面缺陷檢測(cè)中的研究現(xiàn)狀，表面缺陷檢測(cè)是工業(yè)產(chǎn)品質(zhì)量檢測(cè)的關(guān)鍵部分。首先，根據(jù)表面特征的用途，從紋理特征、顏色特征
2023-08-17 11:23:29529 
碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-15 14:43:341001 
自動(dòng)清潔離子風(fēng)機(jī)是一種能夠自動(dòng)清潔空氣中的離子，并同時(shí)進(jìn)行空氣凈化的設(shè)備。它采用先進(jìn)的離子生成技術(shù)，可以釋放負(fù)離子并吸附空氣中的污染物，如細(xì)菌、病毒、灰塵、花粉等，將它們沉積在設(shè)備表面。當(dāng)設(shè)備偵測(cè)
2023-08-11 09:32:30237 
GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計(jì)→器件制造。其中，襯底是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底，GaN自然是最適合用來(lái)作為GaN外延膜生長(zhǎng)的襯底材料。
2023-08-10 10:53:31664 
在光伏發(fā)電系統(tǒng)中，光伏組件表面積聚灰塵、異物，會(huì)很大程度上影響光電轉(zhuǎn)換效率。為此，設(shè)計(jì)了一種光伏組件智能清潔機(jī)器人，包括對(duì)其硬件系統(tǒng)和清潔方案的設(shè)計(jì)，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)光伏組件的自動(dòng)清掃。同時(shí)，針對(duì)智能清潔
2023-08-08 14:27:251651 
液相外延是碲鎘汞（MCT）薄膜生長(zhǎng)領(lǐng)域最成熟的一種方法，被眾多紅外探測(cè)器研究機(jī)構(gòu)和生產(chǎn)商所采用。
2023-08-07 11:10:20734 
對(duì)于摻雜的SiC外延片，紅外光譜測(cè)量膜厚為通用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。碳化硅襯底與外延層因摻雜濃度的不同導(dǎo)致兩者具有不同的折射率，因此試樣的反射光譜會(huì)出現(xiàn)反映外延層厚度信息的連續(xù)干涉條紋。
2023-08-05 10:31:47913 
SiC晶體具有與GaN材料高匹配的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)，有著優(yōu)良的熱導(dǎo)率，是GaN基的理想襯底材料。SiC襯底加工技術(shù)已然成為器件制作的重要基礎(chǔ)，其表面加工的質(zhì)量和精度，直接影響外延薄膜的質(zhì)量以及器件的性能。
2023-08-04 15:09:30420 
SiC 生產(chǎn)過(guò)程分為 SiC 單晶生長(zhǎng)、外延層生長(zhǎng)及器件制造三大步驟，對(duì)應(yīng)的是產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件與模組四大環(huán)節(jié)。 主流制造襯底的方式首先以物理氣相升華法，在高溫真空環(huán)境下將粉料升華，通過(guò)溫場(chǎng)的控制在籽晶表面生 長(zhǎng)出碳化硅晶體。
2023-08-04 11:32:13398 
碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-03 11:21:03286 
金剛石異質(zhì)外延已發(fā)展 30 年有余,而基于 Ir 襯底的大面積、高質(zhì)量的異質(zhì)外延單晶金剛石已取得較大進(jìn)展。本文主要從關(guān)于異質(zhì)外延單晶金剛石及其電子器件兩個(gè)方面對(duì)異質(zhì)外延單晶金剛石的發(fā)展進(jìn)行了闡述。
2023-07-12 15:22:23843 
上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源 KDC 40 應(yīng)用于雙腔室高真空等離子 ALD 系統(tǒng), 實(shí)現(xiàn)小規(guī)模試驗(yàn)中 2-4 英寸硅片等半導(dǎo)體襯底表面的清潔, 確保樣品表面清潔無(wú)污染, 滿足 TiN, ZnO, Al2O3, TiO2 等制備.
2023-07-07 14:55:44439 
7月3日，中國(guó)商務(wù)部、海關(guān)總署發(fā)布公告，表示對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制，其中包含金屬鎵、氮化鎵（多晶、單晶、晶片、外延片等多種形態(tài)）、鍺外延生長(zhǎng)襯底等，出口商如果想開(kāi)始或繼續(xù)出口，將需要向中國(guó)商務(wù)部申請(qǐng)?jiān)S可證，并需要報(bào)告海外買家及其申請(qǐng)的詳細(xì)信息。該規(guī)定自2023年8月1日起正式實(shí)施。
2023-07-05 10:16:46550 該公告規(guī)定了涉及金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵、磷化鎵、砷化鎵、銦鎵砷、硒化鎵、銻化鎵，以及金屬鍺、區(qū)熔鍺錠、磷鍺鋅、鍺外延生長(zhǎng)襯底、二氧化鍺、四氯化鍺等相關(guān)物項(xiàng)的出口許可要求。
2023-07-04 17:21:35935 
計(jì)算機(jī)、人工智能等新興領(lǐng)域。由于硅（Si）材料發(fā)光效率低，因此將發(fā)光效率高的III-V族半導(dǎo)體材料如砷化鎵（GaAs）外延在CMOS兼容Si基襯底上，并外延和制備激光器被公認(rèn)為最優(yōu)的片上光源方案。由于Si與GaAs材料間存在大的晶格失配、極性失配和熱膨
2023-06-26 15:46:04310 
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底、外延、器件和應(yīng)用四大環(huán)節(jié)，襯底與外延占據(jù) 70%的碳 化硅器件成本。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，碳化硅器件的成本構(gòu)成中，襯底、外延、前段、 研發(fā)費(fèi)用和其他分別占比為 47%，23%，19%，6%，5%，襯底+外延合計(jì)約 70%
2023-06-26 11:30:56733 
廣義而言，半導(dǎo)體基板即為晶圓。我們可以直接在晶圓表面堆疊晶體管，即半導(dǎo)體電路的基本元件，也可以構(gòu)建新的一層，將其作為基板并在上面形成器件。特別是用于通信、軍事和光學(xué)元件等特殊用途的晶體管，或是高性能
2023-06-26 10:05:29417 
SiC薄膜生長(zhǎng)方法有多種，其中化學(xué)氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較少、生長(zhǎng)速度適中、過(guò)程可自動(dòng)控制等優(yōu)點(diǎn)，是生長(zhǎng)用于制造器件的SiC 外延膜的最常用的方法。
2023-06-19 09:35:52644 
最重要的器件之一，在功率器件和射頻器件領(lǐng)域擁有廣泛的應(yīng)用前景。HEMT器件通常是在硅(Si)、藍(lán)寶石(Al2O3)、碳化硅(SiC)等異質(zhì)襯底上通過(guò)金屬有機(jī)氣象外延(MOCVD)進(jìn)行外延制備。由于異質(zhì)
2023-06-14 14:00:551652 
HVPE（氫化物氣相外延法）與上述兩種方法的區(qū)別還是在于鎵源，此方法通常以鎵的氯化物GaCl3為鎵源，NH3為氮源，在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長(zhǎng)出GaN晶體。
2023-06-11 11:11:32276 由于GaN在高溫生長(zhǎng)時(shí)N的離解壓很高，很難得到大尺寸的GaN單晶材料，因此，為了實(shí)現(xiàn)低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人員經(jīng)過(guò)幾十年的不斷研究，并不斷嘗試?yán)貌煌?b class="flag-6" style="color: red">外延生長(zhǎng)方法在Si
2023-06-10 09:43:44681 研究機(jī)構(gòu)TECHCET日前預(yù)測(cè)，盡管全球經(jīng)濟(jì)普遍放緩，但2023年SiC襯底市場(chǎng)將持續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。
2023-06-08 10:12:34436 
隨著半導(dǎo)體科技的發(fā)展，在固態(tài)微電子器件制造中，人們對(duì)清潔基底表面越來(lái)越重視。濕法清洗一般使用無(wú)機(jī)酸、堿和氧化劑，以達(dá)到去除光阻劑、顆粒、輕有機(jī)物、金屬污染物以及硅片表面上的天然氧化物的目的。然而，隨著硅電路和器件結(jié)構(gòu)規(guī)模的不斷減小，英思特仍在專注于探索有效可靠的清潔方法以實(shí)現(xiàn)更好的清潔晶圓表面。
2023-06-05 17:18:50437 
一種是通過(guò)生長(zhǎng)碳化硅同質(zhì)外延，下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領(lǐng)域的導(dǎo)電型襯底，外延層上制造各類功率器件； 另一種是通過(guò)生長(zhǎng)氮化鎵異質(zhì)外延，下游應(yīng)用于5G通訊、國(guó)防等射頻領(lǐng)域的半絕緣型襯底，主要用于制造氮化鎵射頻器件。
2023-06-03 10:28:35924 
第三代半導(dǎo)體設(shè)備 第三代半導(dǎo)體設(shè)備主要為SiC、GaN材料生長(zhǎng)、外延所需的特種設(shè)備，如SiC PVT單晶生長(zhǎng)爐、CVD外延設(shè)備以及GaN HVPE單晶生長(zhǎng)爐、MOCVD外延設(shè)備等。
2023-06-03 09:57:01787 
外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092826 
在新能源行業(yè)中應(yīng)用起來(lái)。表面清潔度檢測(cè)儀是一種常用于檢測(cè)各種材料表面污染及清洗效果的儀器。它可以測(cè)量并分析物體表面的粒徑、形狀、顏色和表面勢(shì)能等數(shù)據(jù)，從而確定其表面的清
2023-05-30 10:54:17336 
近期，美國(guó)南卡羅來(lái)納大學(xué)報(bào)道了在AlN單晶襯底上通過(guò)MOCVD生長(zhǎng)的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSHFET）器件。
2023-05-25 10:13:09679 
上海伯東代理美國(guó) KRi 考夫曼離子源適用于安裝在 MBE 分子束外延, 濺射和蒸發(fā)系統(tǒng), PLD 脈沖激光系統(tǒng)等, 在沉積前用離子轟擊表面, 進(jìn)行預(yù)清潔 Pre-clean 的工藝, 對(duì)基材表面有機(jī)物清洗, 金屬氧化物的去除等, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等！
2023-05-25 10:10:31378 
在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中，氣相外延發(fā)揮了重要作用，該技術(shù)已廣泛用于Si半導(dǎo)體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。
2023-05-19 09:06:462464 
從保障外延片品質(zhì)入手，提升Micro LED生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本外，應(yīng)用更大尺寸的外延片也是Micro LED成本考量的關(guān)鍵。傳統(tǒng)的LED行業(yè)普遍在4英寸，而Micro LED的生產(chǎn)工藝會(huì)擴(kuò)大到6乃至8英寸，更大的襯底尺寸可以更好控制Micro LED的成本。
2023-05-10 09:50:04543 碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。
2023-05-09 09:36:483426 
集成設(shè)備制造的縮小圖案要求濕化學(xué)加工的表面清潔度和表面光滑度，特別是對(duì)于常見(jiàn)的清潔技術(shù)RCA清潔（SC-1和SC-2）。本文討論了表面制備參數(shù)的特性和影響。
2023-05-06 14:25:04407 
由于成本優(yōu)化工藝是光伏行業(yè)的主要目標(biāo)，簡(jiǎn)單的、具有內(nèi)聯(lián)能力的清潔可以替代成本和時(shí)間密集型的濕化學(xué)清潔方法，如來(lái)自微電子應(yīng)用的RCA清潔。
2023-05-06 11:06:40501 
SIC晶體具有與GaN材料高匹配的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)以及優(yōu)良的熱導(dǎo)率，是GaN基的理想襯底材料，如LED,LD。因此，SiC襯底加工技術(shù)是器件制作的重要基礎(chǔ)，其表面加工的質(zhì)量和精度，直接會(huì)影響外延
2023-05-05 07:15:001154 
一、設(shè)備的清潔 1、操作前需要細(xì)致檢查設(shè)備的表面，如果發(fā)現(xiàn)有任何污垢，就要及時(shí)清潔，以免影響設(shè)備的正常操作。 2、清潔設(shè)備的時(shí)候，可以用凈水把表面的污垢浸泡一下，再用軟布擦拭，這樣可以有效的清潔設(shè)備
2023-04-26 15:18:05411 
SiC器件產(chǎn)業(yè)鏈與傳統(tǒng)半導(dǎo)體類似，一般分為單晶襯底、外延、芯片、封裝、模組及應(yīng)用環(huán)節(jié)，SiC單晶襯底環(huán)節(jié)通常涉及到高純碳化硅粉體制備、單晶生長(zhǎng)、晶體切割研磨和拋光等工序過(guò)程，完成向下游的襯底供貨。
2023-04-25 10:44:081396 
污染物的問(wèn)題正日益突出。盡管傳統(tǒng)表面貼裝技術(shù)（SMT）很好地利用了低殘留和免清洗的焊接工藝，在具有高可靠性的產(chǎn)品中，產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)致密化和部件的小型化裝配使得越來(lái)越難以達(dá)到合適的清潔等級(jí)，同時(shí)由于清潔問(wèn)題導(dǎo)致
2023-04-21 16:03:02
實(shí)驗(yàn)名稱：高壓放大器交變電場(chǎng)作用下骨表面溫升的實(shí)驗(yàn)研究實(shí)驗(yàn)?zāi)康模汗堑奈⒂^結(jié)構(gòu)十分復(fù)雜,到目前為止對(duì)骨的力電性質(zhì)尚未完全了解﹐這是利用電信號(hào)影響骨生長(zhǎng)的研究進(jìn)展相對(duì)緩慢的主要原因。要解決此問(wèn)題,唯有從
2023-04-10 10:35:40
近期，黃祖芳研究員和王靜研究員研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)將機(jī)器學(xué)習(xí)和直接表面增強(qiáng)拉曼光譜（SERS）檢測(cè)技術(shù)相結(jié)合，開(kāi)發(fā)了一種可檢測(cè)早期肺癌與良性肺部疾病患者的全局DNA甲基化信息的方法。
2023-04-04 10:29:231142 碳化硅襯底產(chǎn)品通過(guò)外延和核心器件企業(yè)，制成的終端產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車、光伏、軌道交通、電力電子等核心系統(tǒng)。
2023-03-29 14:55:20555 讀數(shù)中獲得良好的解剖學(xué)細(xì)節(jié)。近紅外光譜技術(shù)(nIRS)與功能磁共振成像(fMRI)類似，它監(jiān)測(cè)含氧血液的流動(dòng)，以此來(lái)估計(jì)神經(jīng)元的活動(dòng)。一個(gè)主要的區(qū)別在于，近紅外光譜儀只能用于測(cè)量大腦表面附近的活動(dòng)，而不能
2023-03-29 11:06:08
我正在研究 IMX8MP evk，我想實(shí)現(xiàn)篡改保護(hù)，當(dāng)篡改發(fā)生時(shí)，ZMK 將被清除。在我看來(lái)SNVS是工作在power-always-on域，所以我們需要放置一個(gè)cell battery。 我的問(wèn)題是當(dāng)電池沒(méi)電時(shí)，ZMK 會(huì)被清洗嗎？我有沒(méi)有辦法在不清潔 ZMK 的情況下更換新電池？
2023-03-24 08:27:35
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