大電容由于容量大，所以體積一般也比較大，且通常使用多層卷繞的方式制作，這就導(dǎo)致了大電容的分布電感比較大（也叫等效串聯(lián)電感，英文簡(jiǎn)稱(chēng)ESL）。

　　電感對(duì)高頻信號(hào)的阻抗是很大的，所以，大電容的高頻性能不好。而一些小容量電容則剛剛相反，由于容量小，因此體積可以做得很?。s短了引線(xiàn)，就減小了ESL，因?yàn)橐欢螌?dǎo)線(xiàn)也可以看成是一個(gè)電感的），而且常使用平板電容的結(jié)構(gòu)，這樣小容量電容就有很小ESL這樣它就具有了很好的高頻性能，但由于容量小的緣故，對(duì)低頻信號(hào)的阻抗大。

　　所以，如果我們?yōu)榱俗尩皖l、高頻信號(hào)都可以很好的通過(guò)，就采用一個(gè)大電容再并上一個(gè)小電容的方式。

　　常使用的小電容為 0.1uF的CBB電容較好（瓷片電容也行），當(dāng)頻率更高時(shí)，還可并聯(lián)更小的電容，例如幾pF，幾百pF的。而在數(shù)字電路中，一般要給每個(gè)芯片的電源引腳上并聯(lián)一個(gè)0.1uF的電容到地（這個(gè)電容叫做退耦電容，當(dāng)然也可以理解為電源濾波電容，越靠近芯片越好），因?yàn)樵谶@些地方的信號(hào)主要是高頻信號(hào)，使用較小的電容濾波就可以了。

　　理想的電容，其阻抗隨頻率升高而變?。≧＝1/jwc）， 但理想的電容是不存在的，由于電容引腳的分布電感效應(yīng)， 在高頻段電容不再是一個(gè)單純的電容，更應(yīng)該把它看成一個(gè)電容和電感的串聯(lián)高頻等效電路，當(dāng)頻率高于其諧振頻率時(shí)， 阻抗表現(xiàn)出隨頻率升高而升高的特性，就是電感特性，這時(shí)電容就好比一個(gè)電感了。相反電感也有同樣的特性。

　　大電容并聯(lián)小電容在電源濾波中非常廣泛的用到，根本原因就在于電容的自諧振特性。大小電容搭配可以很好的抑制低頻到高頻的電源干擾信號(hào)，小電容濾高頻（自諧振頻率高），大電容濾低頻（自諧振頻率低），兩者互為補(bǔ)充

　　串聯(lián)分壓比—— V1 = C2/（C1 + C2）*V 。。。。。。。。電容越大分得電壓越小，交流直流條件下均如此

　　并聯(lián)分流比—— I1 = C1/（C1 + C2）*I 。。。。。。。。電容越大通過(guò)的電流越大，當(dāng)然，這是交流條件下

　　電容串聯(lián)值下降，相當(dāng)板距在加長(zhǎng)，

　　各容倒數(shù)再求和，再求倒數(shù)總?cè)萘俊?/p>

　　電容并聯(lián)值增加，相當(dāng)板面在增大，

　　并后容量很好求，各容數(shù)值來(lái)相加。

　　想起電阻串并聯(lián)，電容計(jì)算正相反，

　　電容串聯(lián)電阻并，電容并聯(lián)電阻串。

　　說(shuō)明：兩個(gè)或兩個(gè)以上電容器串聯(lián)時(shí)，相當(dāng)于絕緣距離加長(zhǎng)，因?yàn)橹挥凶羁績(jī)蛇叺膬蓧K極板起作用，又因電容和距離成反比，距離增加，電容下降；兩個(gè)或兩個(gè)以上電容器并聯(lián)時(shí)，相當(dāng)于極板的面積增大了，又因電容和面積成正比，面積增加，電容增大。

　　電容串聯(lián)：電容串聯(lián)后容量減小，耐壓值變大。公式：1\C1+1\C2=1\C 如兩個(gè)50uf串聯(lián)起來(lái)就變成25uf.

　　耐壓值=兩個(gè)電容耐壓值相加如兩個(gè)耐壓100V的串聯(lián)起來(lái)就變成200V的了。

　　電容C的串聯(lián)電路容量計(jì)算公式：1/C=1/C+1/C2+1/C3+.+1/Cn

　　C為電容串聯(lián)電路總電容值，C1，C2，C3，Cn為電容并聯(lián)電路各個(gè)電容的電容值

　　即串聯(lián)電路總電容值的倒數(shù)等于串聯(lián)電路中各個(gè)電容容量值的倒數(shù)之和

　　兩個(gè)電容串聯(lián)兩端加一定電壓兩電容的分壓是怎么分的

　　如圖C1、C2電容容量比是10：1，標(biāo)稱(chēng)耐壓都是1000V，兩端加1000V電壓時(shí)，C1C2的分壓分別是多少？原邊對(duì)地和副邊對(duì)地的兩個(gè)Y電容的分壓是怎么計(jì)算的？

　　兩個(gè)電容上的電荷Q一樣，面Q=UC

　　所以U1*C1=U2*C2U1/U2=C2/C1=1/10

　　電容串聯(lián)怎么分壓

　　比如：4V的電壓源，0.5F和1F的兩個(gè)電容串聯(lián)

　　1.如果是直流電壓源，可根據(jù)中學(xué)物理中介紹電容串聯(lián)分壓特點(diǎn)為：

　　（1）電容串聯(lián)電路兩端的總電壓等于各電容器兩端的分壓之和。即U= U1+ U2+ U3+…＋Un.

　　（2）電容器串聯(lián)時(shí)各電容器上所分配的電壓與其電容量成反比。即Un =Q / Cn（因?yàn)樵陔娙萜鞔?lián)電路中，每個(gè)電容器上所帶的電荷量都相等，所以電容量越大的電容器分配的電壓越低，電容量越小的電容器分配的電壓越高。）

　　那么4V的電壓源，0.5F和1F的兩個(gè)電容上的電壓分別是8/3V和4/3V 2.如果是交流電壓源，由電容的阻抗Xc=1/jωC ，可知|Xc|與C成反比，將|Xc|當(dāng)做電阻來(lái)分壓計(jì)算，可所得同樣結(jié)果！

　　兩電容器串聯(lián)的分壓公式是什么

　　這是一個(gè)理論計(jì)算題，需要假設(shè)電容的耐壓值沒(méi)有余量，即超過(guò)500V時(shí)200pF的電容即擊穿；超過(guò)900V時(shí)300pF的電容即擊穿。

　　加上1000V電壓后，200pF的電容將承受600V電壓，不考慮電容的耐壓富余量，則200pF電容將擊穿；此時(shí)1000V將全部加在300pF的電容上，超過(guò)其耐壓，故也會(huì)擊穿。

　　計(jì)算公式：

　　若有M個(gè)電容串聯(lián)，其中任意一個(gè)電容Cn實(shí)際承受的電壓值Un為：

　　Un=U*C/Cn 其中：U為總電壓；C為M個(gè)電容串聯(lián)后的總?cè)萘俊?/p>

　　對(duì)于兩個(gè)電容串聯(lián)，公式演變?yōu)椋?/p>

　　設(shè)總電壓是U，C1、C2上的電壓分別是U1、U2，則

　　U1=C2*U/（C1+C2）

　　U2=C1*U/（C1+C2）