雙通道內(nèi)存技術(shù)原理?

雙通道內(nèi)存技術(shù)其實(shí)就是雙通道內(nèi)存控制技術(shù)，它能有效地提高內(nèi)存總帶寬，從而適應(yīng)新的微處理器的數(shù)據(jù)傳輸、處理的需要。雙通道DDR有兩個64bit內(nèi)存控制器，雙64bit內(nèi)存體系所提供的帶寬等同于一個128bit內(nèi)存體系所提供的帶寬。?

雙通道體系包含了兩個獨(dú)立的、具備互補(bǔ)性的智能內(nèi)存控制器，兩個內(nèi)存控制器都能夠并行運(yùn)作。例如，當(dāng)控制器B準(zhǔn)備進(jìn)行下一次存取內(nèi)存的時候，控制器A就在讀/寫主內(nèi)存，反之亦然。兩個內(nèi)存控制器的這種互補(bǔ)“天性”可以讓有效等待時間縮減50%，因此雙通道技術(shù)使內(nèi)存的帶寬翻了一翻。它的技術(shù)核心在于：芯片組（北橋）可以在兩個不同的數(shù)據(jù)通道上分別尋址、讀取數(shù)據(jù)，RAM可以達(dá)到128bit的帶寬。?

雙通道內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展

雙通道內(nèi)存技術(shù)最初是從RAMBUS推出的RDRAM內(nèi)存條開始的。RAMBUS的內(nèi)存速度非常快，但是總線寬度卻比SDRAM內(nèi)存還要小，因此它不得不結(jié)合Intel的雙通道內(nèi)存控制技術(shù)提高帶寬，達(dá)到高速數(shù)據(jù)傳輸速率的目的。不過RAMBUS由于生產(chǎn)成本過高的原因，逐步被市場淘汰，但是雙通道內(nèi)存控制技術(shù)得到了發(fā)揚(yáng)光大。如今Pentium 4采用的NetBurst架構(gòu)對內(nèi)存帶寬要求非常高，如果內(nèi)存無法提供相應(yīng)的數(shù)據(jù)傳輸率，這么快的處理器總線速度也是無用的。?

因此只有通過雙通道內(nèi)存控制技術(shù)才能夠解決這個問題。最近金邦推出了DDR500內(nèi)存條，單條的數(shù)據(jù)帶寬達(dá)到4GB，如果使用雙通道技術(shù)，帶寬將達(dá)到8GB。?

雙通道內(nèi)存技術(shù)的應(yīng)用?

雙通道內(nèi)存主要是依靠主板北橋的控制技術(shù)，與內(nèi)存本身無關(guān)。目前支持雙通道內(nèi)存技術(shù)的主板有Intel的i865和i875系列，SIS的SIS655、658系列，nVIDIAD的nFORCE2系列等。Intel最先推出的支持雙通道內(nèi)存技術(shù)的芯片組為E7205和E7500系列。?

雙通道內(nèi)存的安裝有一定的要求。主板的內(nèi)存插槽的顏色和布局一般都有區(qū)分。如果是Intel的i865和i875系列，主板一般有4個DIMM插槽，每兩根一組，每組顏色一般不一樣，每一個組代表一個內(nèi)存通道，只有當(dāng)兩組通道上都同時安裝了內(nèi)存條時，才能使內(nèi)存工作在雙通道模式下。另外要注意對稱安裝，即第一個通道第1個插槽搭配第二個通道第1個插槽，依此類推。用戶只要按不同的顏色搭配，對號入座地安裝即可。如果在相同顏色的插槽上安裝內(nèi)存條，則只能工作在單通道模式。而nFORCE2系列主板同樣有兩個64bit的內(nèi)存控制器，其中A控制器只支持一根內(nèi)存插槽，B通道則支持兩根。A、B插槽之間有一段距離，以方便用戶識別。A通道的內(nèi)存插槽在顏色上也可能與B通道兩個內(nèi)存插槽不同，用戶只要將一根內(nèi)存插入獨(dú)立的內(nèi)存插槽而將另外一根插到另外兩個彼此靠近的內(nèi)存插槽就能組建成雙通道模式。此外，如果全部插滿內(nèi)存，也能建立雙通道模式，而且nForce2主板在組建雙通道模式時對內(nèi)存容量乃至型號都沒有嚴(yán)格的要求，使用方便。?

如果安裝方法正確，在主板開機(jī)自檢時，屏幕顯示內(nèi)存的工作模式(如DDR333 Dual Channel?

Mode Enabled、激活雙通道模式等），則內(nèi)存已經(jīng)工作在雙通道模式。?

雙通道內(nèi)存技術(shù)存在的問題

雙通道內(nèi)存控制技術(shù)的出現(xiàn)對使用P4的用戶性能有了一定的提升，也是未來發(fā)展的趨勢。組裝雙通道內(nèi)存系統(tǒng)時要注意內(nèi)存條的搭配，Intel的要求比其他主板要高，最好使用相同品牌、相同型號的內(nèi)存條，以確保穩(wěn)定性。?

任何一項(xiàng)技術(shù)都有其優(yōu)點(diǎn)也有其缺點(diǎn)，雙通道DDR內(nèi)存技術(shù)也不例外。首先，雙通道內(nèi)存都需要成對地使用，這樣就大大降低了內(nèi)存配置的靈活性。更重要的一點(diǎn)是在采購內(nèi)存的時候至少要選擇2×64MB、2×128MB……，這會使用戶在內(nèi)存方面的預(yù)算成倍地增加。其次，雙通道內(nèi)存技術(shù)的理論值雖然非常誘人，但是由于各種因素，其實(shí)際應(yīng)用的性能并不能比單通道DDR內(nèi)存高1倍，當(dāng)然也無法比PC133 SDRAM高出4倍，因?yàn)楫吘乖诂F(xiàn)有的系統(tǒng)條件下，系統(tǒng)性能瓶頸不僅僅是內(nèi)存。從一些測試結(jié)果可以看到，采用128bit內(nèi)存通道的系統(tǒng)性能比采用64bit內(nèi)存通道的系統(tǒng)性能高出3%～5%，最高的可以獲得15%～18%的性能提升。?

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雙通道內(nèi)存技術(shù)并非DDR內(nèi)存所獨(dú)有，RDRAM也應(yīng)用了這種技術(shù)，像英特爾的i850E芯片組就支持雙通道PC1066 RDRAM。因此確切地說，雙通道內(nèi)存技術(shù)是雙通道內(nèi)存控制技術(shù)，是在當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)的基礎(chǔ)上開發(fā)的一種內(nèi)存管理和控制技術(shù)。它的重點(diǎn)在于對內(nèi)存的控制而不是內(nèi)存本身，整合在芯片組北橋中的內(nèi)存控制器承擔(dān)了這個功能，因此說它是芯片組技術(shù)似乎更合適。?

解決計(jì)算機(jī)內(nèi)存帶寬瓶頸問題并非只有一條出路，但目前由于種種情況，雙通道內(nèi)存技術(shù)似乎是最好的解決方案，而且還將持續(xù)一段時間。從內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展過程可見，無論什么技術(shù)，只有性能出色、價格便宜、便于使用才會有光明的前景，這對于計(jì)算機(jī)其他技術(shù)也不例外。?

單通道內(nèi)存
?普通的單通道內(nèi)存系統(tǒng)具有一個64位的內(nèi)存控制器，而雙通道內(nèi)存系統(tǒng)則有2個64位的內(nèi)存控制器，在雙通道模式下具有128bit的內(nèi)存位寬，從而在理論上把內(nèi)存帶寬提高一倍。雖然雙64位內(nèi)存體系所提供的帶寬等同于一個128位內(nèi)存體系所提供的帶寬，但是二者所達(dá)到效果卻是不同的。雙通道體系包含了兩個獨(dú)立的、具備互補(bǔ)性的智能內(nèi)存控制器，理論上來說，兩個內(nèi)存控制器都能夠在彼此間零延遲的情況下同時運(yùn)作。比如說兩個內(nèi)存控制器，一個為A、另一個為B。當(dāng)控制器B準(zhǔn)備進(jìn)行下一次存取內(nèi)存的時候，控制器A就在讀/寫主內(nèi)存，反之亦然。兩個內(nèi)存控制器的這種互補(bǔ)“天性”可以讓等待時間縮減50%。雙通道DDR的兩個內(nèi)存控制器在功能上是完全一樣的，并且兩個控制器的時序參數(shù)都是可以單獨(dú)編程設(shè)定的。這樣的靈活性可以讓用戶使用二條不同構(gòu)造、容量、速度的DIMM內(nèi)存條，此時雙通道DDR簡單地調(diào)整到最低的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)來實(shí)現(xiàn)128bit帶寬，允許不同密度/等待時間特性的DIMM內(nèi)存條可以可靠地共同運(yùn)作。

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