為了更好地理解對功率密度的關(guān)注，讓我們看看實現(xiàn)高功率密度所需的條件。即使是外行也能看出，效率、尺寸和功率密度之間的特殊關(guān)系是顯而易見的。
2020-08-20 11:12:14
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為滿足快速發(fā)展的電動汽車行業(yè)對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計與開發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03377 
也顯而易見，更少的組件，更高的集成度以及更低的成本。 ? 更高的功率密度和溫度 ?功率密度是在給定空間內(nèi)可處理多少功率的度量，基于轉(zhuǎn)換器的額定功率以及電源組件的體積計算得出。電流密度也是一種與功率密度有關(guān)的指標(biāo)，
2022-12-26 09:30:522114 描述 PMP20978 參考設(shè)計是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計。此設(shè)計將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
?功率集成系統(tǒng)（4） ：智能功率模塊  
2008-08-03 17:05:29
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
芯集成電路等）；測試類（***冠魁、紹興宏邦、西安易恩、杭州可靠性儀器廠、陜西三海、西安慶云等）；隨著半導(dǎo)體功率器
2021-07-12 07:49:57
集成是固態(tài)電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)，將類似且互補(bǔ)的功能匯集到單一器件中的能力驅(qū)動著整個行業(yè)的發(fā)展。隨著封裝、晶圓處理和光刻技術(shù)的發(fā)展，功能密度不斷提高，在物理尺寸和功率兩方面都提供了更高能效的方案。對產(chǎn)品
2020-10-28 09:10:17
并符合最新能源之星規(guī)范和 2013 ERP ErP 待機(jī)功率規(guī)定（ATX 電源和 LCD TV 電源在 0.25W 負(fù)載下小于 0.5W 的功耗），飛兆半導(dǎo)體已經(jīng)開發(fā)了若干項創(chuàng)新技術(shù)，以提高空載和輕
2012-11-24 15:24:47
的恒定導(dǎo)通時間控制器 所有器件采用單一尺寸（5mm x 5.5mm PQFN 34L） 兼容所有輸出電容類型（MLCC、電解電容等）
飛兆半導(dǎo)體承諾改進(jìn)技術(shù)和工藝，利用
更佳的性能和
更高的功能
集成度以及設(shè)計支持資源，達(dá)到最大程度地減少元器件數(shù)目并縮短工程開發(fā)時間的目的，幫助工程師應(yīng)對挑戰(zhàn)?！ ?/div>
2018-09-27 10:49:52
應(yīng)用，這一產(chǎn)品系列可讓設(shè)計人員通過削減所需供應(yīng)商的數(shù)目來簡化供應(yīng)鏈管理。 飛兆半導(dǎo)體利用了照明和功率管理方面的核心專有技術(shù)，提供用于LED照明應(yīng)用的多種拓?fù)?，包? 初級端調(diào)節(jié)(PSR)反激式；單級
2011-07-13 08:52:45
的推出，為業(yè)界提供了最佳功率密度和低傳導(dǎo)損耗。FDMC8010采用飛兆半導(dǎo)體的PowerTrench技術(shù)，非常適合要求在小空間內(nèi)實現(xiàn)最低RDS(ON)的應(yīng)用，包括：高性能DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點
2012-04-28 10:21:32
：7A 負(fù)載條件下的啟動波形結(jié)論LTC7820 是一款固定比例高電壓高功率開關(guān)電容器控制器，具有內(nèi)置柵極驅(qū)動器以驅(qū)動外部 MOSFET，可實現(xiàn)非常高的效率 (達(dá) 99%) 和高功率密度。堅固的保護(hù)功能
2018-10-31 11:26:48
RD-400，參考設(shè)計支持將FAN3111C器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計中。 RD-400參考設(shè)計利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動器解決方案
2019-09-27 08:47:28
RD-400，參考設(shè)計支持將FAN7346器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計中。 RD-400參考設(shè)計利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動器解決方案
2019-09-29 10:05:34
RD-400，參考設(shè)計支持將FAN7382器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計中。 RD-400參考設(shè)計利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動器解決方案
2019-09-29 06:34:48
RD-400，參考設(shè)計支持將FSL138MRT器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計中。 RD-400參考設(shè)計利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動器解決方案
2019-09-27 08:41:49
RD-400，參考設(shè)計支持將FL7930C器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計中。 RD-400參考設(shè)計利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動器解決方案
2019-09-27 08:42:30
為滿足晶體管用戶的需求，有源器件的功率密度持續(xù)增長。商用無線通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統(tǒng)應(yīng)用推動固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級器件輸出更高輸出功率的要求而發(fā)展。對飛思卡爾半導(dǎo)體公司而言，為這些
2019-07-05 06:56:41
為滿足晶體管用戶的需求，有源器件的功率密度持續(xù)增長。商用無線通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統(tǒng)應(yīng)用推動固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級器件輸出更高輸出功率的要求而發(fā)展。對飛思卡爾半導(dǎo)體公司而言，為這些
2019-07-09 08:17:05
半導(dǎo)體器件主要有功率模組、功率集成電路（即Power IC，簡寫為PIC，又稱為功率IC）和分立器件三大類；其中，功率模組是將多個分立功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行模塊化封裝；功率IC對應(yīng)將分立功率半導(dǎo)體器件與驅(qū)動
2019-02-26 17:04:37
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。安森美半導(dǎo)體
2018-10-29 08:51:19
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些關(guān)鍵特性？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些應(yīng)用優(yōu)勢？
2021-06-26 06:14:32
功率密度，軟開關(guān)和變壓器漏感能量回收變得不可或缺。這必然導(dǎo)致選用本身效率更高的轉(zhuǎn)換器拓?fù)洹１疚年U述了如何將英飛凌的CoolGaN?集成功率級（IPS）技術(shù)應(yīng)用于有源鉗位反激式（ACF）、混合反激式
2022-06-14 10:14:18
功率半導(dǎo)體器件在工業(yè)、消費、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用，具有很高的戰(zhàn)略地位。功率半導(dǎo)體產(chǎn)品可以分為功率器件、電源管理 IC 和功率模組三大類。圖：功率半導(dǎo)體產(chǎn)品分類來源：國金證券研究所隨著下游電氣化
2022-11-11 11:50:23
支持更小的體積、更高的集成度、更少的外圍器件。友恩將從半導(dǎo)體晶圓高低壓集成器件工藝技術(shù)和高功率密度封裝技術(shù)兩大方向協(xié)同推進(jìn)新一.代更高集成度的開關(guān)電源芯片及其解決方案的研發(fā)。針對 GaN 晶體管的高頻
2020-10-30 09:39:44
Semiconductor) 為大、中、小功率范圍LED照明應(yīng)用提供廣泛的LED照明解決方案。 飛兆半導(dǎo)體解決方案的特點是在單一IC上高度集成各種元件，配合高效和先進(jìn)的電路拓?fù)?，廣泛應(yīng)用于1W或以
2011-07-15 21:47:14
功率密度本設(shè)計實現(xiàn)35W/in3功率密度，滿載94.5%效率@ 90Vac，并通過CE和RE標(biāo)準(zhǔn)足夠的保證金。
2023-06-16 09:04:37
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-03-01 09:52:45
大功率半導(dǎo)體激光電源 輸出功率涵蓋10W至500W，具有更高的電光轉(zhuǎn)換效率半導(dǎo)體直接輸出激光器介紹直接半導(dǎo)體激光器輸出功率涵蓋10W至500W，具有更高的電光轉(zhuǎn)換效率，輸出功率穩(wěn)定。200W以下
2021-12-29 07:24:31
，高功率密度的電源模塊多采用國際流行的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，產(chǎn)品兼容性更廣。其次，產(chǎn)品的同等功率體積重量大大縮小，只有傳統(tǒng)產(chǎn)品的四分之一。第三，技術(shù)指標(biāo)有重大改善，特別是效率提高到90%.第四，產(chǎn)品本身優(yōu)異的熱
2016-01-25 11:29:20
實現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計的方法
2020-11-24 07:13:23
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
外部器件的高性價比方案。安森美半導(dǎo)體還將展出新的NCD570x系列門極驅(qū)動器，具有高驅(qū)動電流以提供寶貴的、更高的系統(tǒng)能效，和充分集成多種保護(hù)功能的能力以增強(qiáng)安全性。安森美半導(dǎo)體的汽車產(chǎn)品陣容不斷擴(kuò)展
2018-10-30 09:06:50
，160A峰值，效率高于98%的高功率密度無刷電機(jī)驅(qū)動器參考設(shè)計。訂購具有60V CSD88599Q5DC和DRV8323R柵極驅(qū)動器的DRV8323RH三相智能柵極驅(qū)動評估模塊。
2017-08-21 14:21:03
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
關(guān)鍵問題。為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，快捷半導(dǎo)體公司開發(fā)出智能功率級模塊 (SPS:Smart Power Stage) 系列— 下一代超緊湊型整合式 MOSFET 外加驅(qū)動器功率級解決方案。該系列利用快捷半導(dǎo)體
2013-12-09 10:06:45
怎么測量天線輻射下空間中某點的電磁功率（功率密度）？
2013-10-16 16:32:02
星期二海報對話會議下午3:30- 下午5:30智能功率模塊PP013改善15A / 600V智能功率模塊的系統(tǒng)級功率密度Jonathan Harper，安森美半導(dǎo)體Toshiyuki Iimura
2018-10-18 09:14:21
整個壽命周期成本時，逐步減少能量轉(zhuǎn)換過程中的小部分損失并不一定會帶來總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉(zhuǎn)換設(shè)備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
。 LeapersSemiconductor的HPD系列SiC功率模塊為xEV應(yīng)用提供性能。因此，設(shè)計工程師可以期望： 具有高功率密度，可減小系統(tǒng)尺寸; 提供更高的電源效率; 提高電池利用效率
2023-02-20 16:26:24
電動工具中直流電機(jī)的配置已從有刷直流大幅轉(zhuǎn)向更可靠、更高效的無刷直流（BLDC）解決方案轉(zhuǎn)變。斬波器配置等典型有刷直流拓?fù)渫ǔ８鶕?jù)雙向開關(guān)的使用與否實現(xiàn)一個或兩個功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管
2019-08-01 08:16:08
，同時提高了變換效率。為了滿足更高工作頻率及更高功率等級的要求，IR(International Rectifier)公司研發(fā)出首款功率MOSFET，接下來的二十年，功率半導(dǎo)體器件進(jìn)入一個蓬勃發(fā)展
2021-03-25 14:09:37
高、體積小巧建稱，而且只需采用數(shù)量極少而體積又極小巧的元件?！ ?b class="flag-6" style="color: red">飛兆半導(dǎo)體公司亞太區(qū)總裁兼董事總經(jīng)理 郭裕亮先生 飛兆半導(dǎo)體公司認(rèn)為，電源和功率管理技術(shù)的主要發(fā)展趨勢仍然是更高的功率密度 (或相同功率級
2008-07-07 08:51:25
分立式電源解決方案和預(yù)先設(shè)計好的模塊之間最常見的折衷之處就是，占據(jù)的空間和提供的相關(guān)功率密度的折衷。 功率密度衡量的是單位占用體積所轉(zhuǎn)換功率的瓦數(shù)；通常表示為瓦特每立方英寸。如今大多數(shù)行業(yè)不斷對設(shè)備
2018-12-03 10:00:34
48V 電壓驅(qū)動至電路板。那么，還有什么其他辦法可以在不增加成本的前提下提高數(shù)據(jù)中心的功率密度呢？本文概述了一種兩級架構(gòu)解決方案——以一種靈活的、可調(diào)節(jié)的、高性價比方式，將 48V 電壓驅(qū)動至負(fù)載點
2021-05-26 19:13:52
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結(jié)構(gòu)
2021-03-07 08:47:04
集成來減小系統(tǒng)體積我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實現(xiàn)這四個方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時的細(xì)節(jié)
2022-11-07 06:45:10
和渦流損耗給繞組和磁心設(shè)計以及相應(yīng)地給磁心材料和導(dǎo)體材料品種規(guī)格的選用所帶來的種種限制。本文對工作頻率為2MHz，功率密度大于400W/cm3，功率范圍在50~100W，輸出電壓為1.5V，效率高于99
2016-01-18 10:27:02
改善功率密度，同時還能實現(xiàn)良好的效率和較寬的控制帶寬。此功率級設(shè)計可廣泛應(yīng)用于眾多需要快速響應(yīng)的空間受限型應(yīng)用，例如 5G 電信電源、服務(wù)器和工業(yè)電源。主要特色基于 GaN 的緊湊型功率級設(shè)計，具有高達(dá)
2018-10-17 15:39:59
Micrel推出具最高功率密度的降壓穩(wěn)壓器MIC22950
MIC22950是麥瑞半導(dǎo)體(Micrel)的10A全集成同步降壓穩(wěn)壓器，該公司高功率密度系列降壓穩(wěn)壓器的創(chuàng)新產(chǎn)品
2010-04-03 08:41:01921 
對于現(xiàn)代的數(shù)據(jù)與電信電源系統(tǒng)，更高的系統(tǒng)效率和功率密度已成為核心焦點，因為小型高效的電源系統(tǒng)意味著節(jié)省空間和電費賬單。
2011-07-14 09:15:132672 1月31日，三菱電機(jī)株式會社宣布已成功開發(fā)出6.5kV耐壓等級全SiC功率半導(dǎo)體模塊，該模塊采用單芯片構(gòu)造和新封裝，實現(xiàn)了世界最高功率密度的額定輸出功率。
2018-02-03 11:52:448596 URB_YMD-30WR3 系列是MORNSUN為滿足客戶對更高功率密度產(chǎn)品的需求，而最新推出的寬壓高功率密度產(chǎn)品。
2019-10-22 13:48:241750 
機(jī)電元件集成來減小系統(tǒng)體積 我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實現(xiàn)這四個方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。 首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時的細(xì)節(jié)。 什么是功率密
2020-10-20 15:01:15579 高功率密度雙8Aμ模塊穩(wěn)壓器
2021-04-14 10:39:51
9 的散熱
通過機(jī)電元件集成來減小系統(tǒng)體積
我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實現(xiàn)這四個方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。
首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)
2022-01-14 17:10:261733 在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設(shè)計中實現(xiàn)更高功率密度，軟開關(guān)和變壓器漏感能量回收變得不可或缺。
2022-03-31 09:26:451951 
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計目標(biāo)。
2022-05-31 09:47:061906 
為提升新能源汽車整體性能，全球各大車企紛紛將目光鎖定在碳化硅功率半導(dǎo)體。相較傳統(tǒng)硅基模塊，碳化硅功率模塊可大幅提升電機(jī)控制器的功率密度和效率，在降低電池成本、增加續(xù)航里程、縮短充電時間、減少整車重量等方面表現(xiàn)出了非凡的科技魅力，堪比功率半導(dǎo)體里的“學(xué)霸”。
2022-08-01 14:58:55908 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成電感的高功率密度12V輸入12.6W降壓轉(zhuǎn)換器.zip》資料免費下載
2022-09-08 14:32:500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計.zip》資料免費下載
2022-09-07 11:30:0510 型器件如IGBT或MOSFET器件類型，也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類型。在IPM模塊中既集成有功率器件，還集成了驅(qū)動器和控制電路IC，這樣的功率半導(dǎo)體器件具有更高的集成度。這種混合集成
2022-10-17 01:17:101000 
來源：CISSOID公司 比利時蒙-圣吉貝爾和中國重慶 – 2022年10月17日 –提供基于碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的耐高溫、長壽命、高效率、緊湊型驅(qū)動電路和智能功率模塊解決方案的領(lǐng)先
2022-10-18 17:35:10617 幾乎每個應(yīng)用中的半導(dǎo)體數(shù)量都在成倍增加，電子工程師面臨的諸多設(shè)計挑戰(zhàn)都?xì)w結(jié)于需要更高的功率密度。例如下面這幾類應(yīng)用：
2022-10-28 10:08:23544 功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介
2022-10-31 08:23:243 本文將介紹實現(xiàn)更高電源功率密度的 3 種方法，工藝技術(shù)創(chuàng)新、電路設(shè)計技術(shù)優(yōu)化、熱優(yōu)化封裝研發(fā)
2022-12-22 11:59:59649 
幾乎每個應(yīng)用中的半導(dǎo)體數(shù)量都在成倍增加，電子工程師面臨的諸多設(shè)計挑戰(zhàn)都?xì)w結(jié)于需要更高的功率密度。例如下面這幾類應(yīng)用：
2022-12-22 14:41:19423 也顯而易見，更少的組件，更高的集成度以及更低的成本。 更高的功率密度和溫度 功率密度是在給定空間內(nèi)可處理多少功率的度量，基于轉(zhuǎn)換器的額定功率以及電源組件的體積計算得出。電流密度也是一種與功率密度有關(guān)的指標(biāo)，轉(zhuǎn)
2022-12-26 07:15:02723 集成寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體器件作為硅技術(shù)在多種技術(shù)應(yīng)用中的替代品，是一個不斷增長的市場，可以提供效率和功率密度的改善，在能源和成本節(jié)約方面有很大的反響。WBG具有更高的開關(guān)頻率、更低的功率損耗和更高的功率密度。繼續(xù)閱讀，了解更多關(guān)于基于WBG的半導(dǎo)體器件的廣泛應(yīng)用。
2023-02-02 16:36:161197 功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計目標(biāo)。
2023-02-06 14:24:201160 
在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27741 
幾乎每個應(yīng)用中的半導(dǎo)體數(shù)量都在成倍增加，電子工程師面臨的諸多設(shè)計挑戰(zhàn)都?xì)w結(jié)于需要更高的功率密度。
2023-07-11 11:21:34220 
ST-ONEMP與意法半導(dǎo)體的MasterGaN功率技術(shù)配套使用。 MasterGaN技術(shù)包含意法半導(dǎo)體的集成柵極驅(qū)動器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體管。意法半導(dǎo)體GaN技術(shù)的開關(guān)頻率比傳統(tǒng)硅 MOSFET更高，使適配器能夠提供更高的功率密度和符合最新生態(tài)設(shè)計規(guī)范的高能效。
2023-03-16 10:29:16493 
電力電子產(chǎn)品設(shè)計人員致力于提升工業(yè)和汽車系統(tǒng)的功率效率和功率密度，這些設(shè)計涵蓋多軸驅(qū)動器、太陽能、儲能、電動汽車充電站和電動汽車車載充電器等。
2023-09-26 10:00:04166 
未來對電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進(jìn)一步提高。輸出功率應(yīng)適應(yīng)不同終端客戶的不同項目。同時，變流器仍需具有成本競爭力。本文展示了新型4.5kV功率模塊如何在鐵路、中壓驅(qū)動或電力系統(tǒng)等應(yīng)用中滿足這些變流器要求。
2023-10-17 10:50:31395 
提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:38280 
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28195 
功率半導(dǎo)體冷知識：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計和優(yōu)化中，功率密度是一個不容忽視的指標(biāo)。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:07277 
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