基于氮化鎵的電源芯片U8722BAS具有更低成本效益

GaN是一種改變我們的生活方式，應(yīng)用前景廣泛的特新材料。氮化鎵技術(shù)正在提供更快的開(kāi)關(guān)速度、更小的尺寸、更高的效率?，F(xiàn)在，深圳銀聯(lián)寶科技推出的電源芯片U8722BAS，是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)，可以讓電源方案擁有更低的成本！

電源芯片U8722BAS集成高壓啟動(dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。U8722BAS的工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。

電源芯片U8722BAS封裝類(lèi)型為ASOP7-T4，管腳說(shuō)明如下：

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳

4 VDD P 芯片供電管腳

5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳

6 GND P 芯片參考地

7 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓?jiǎn)?dòng)供電管腳

電源芯片U8722BAS集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值 6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此U8722BAS通過(guò)DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。通過(guò)配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開(kāi)通速度，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。

U8722BAS

電源芯片U8722BAS系列還集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在驅(qū)動(dòng)電流配置為第一、第二、第三檔位時(shí)，當(dāng)芯片工作于輕載模式時(shí)，將原邊開(kāi)通速度減半，減小空載時(shí)SR的Vds應(yīng)力過(guò)沖。U8722BAS采用峰值電流抖動(dòng)的方式實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的EMI性能優(yōu)化，峰值電流抖動(dòng)幅值最大為±8%。芯片根據(jù)輸入電壓的變化調(diào)節(jié)抖動(dòng)幅值，實(shí)現(xiàn)EMI優(yōu)化的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化輸出紋波。

氮化鎵是第三代半導(dǎo)體核心材料之一，具備開(kāi)關(guān)頻率高、禁帶寬度大、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，是電子產(chǎn)品的重要材料和元件。深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵電源芯片通常被應(yīng)用于快速充電器、適配器和LED照明驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域，隨著方案落地上市和技術(shù)的進(jìn)一步提升，對(duì)未來(lái)充滿(mǎn)信心，誠(chéng)邀更多小伙伴關(guān)注、了解銀聯(lián)寶，期待合作！