2024年8月7日，全球領先的半導體解決方案提供商Nexperia宣布，其NextPower 80V及100V MOSFET產(chǎn)品線再次迎來重大擴充，成功推出了采用標準化5x6mm及8x8mm封裝的創(chuàng)新LFPAK系列器件。這些精心設計的NextPower MOSFET，以超低的RDS（on）（導通電阻）與卓越的Qrr（反向恢復電荷）性能為亮點，旨在服務器、電源供應、高速充電器、USB-PD應用以及廣泛的電信、電機控制等工業(yè)領域，實現(xiàn)前所未有的能效提升與尖峰電壓抑制。

在MOSFET技術的持續(xù)演進中，Nexperia獨樹一幟，不僅聚焦于通過低QG（tot）和低QGD來提升開關效率，更深刻認識到Qrr對于優(yōu)化尖峰電壓、減少電磁干擾（EMI）的關鍵作用。通過深入的技術突破，Nexperia成功降低了NextPower系列80/100V MOSFET的尖峰水平，從而有效減輕了設備在開關過程中產(chǎn)生的EMI，為設計工程師提供了更為簡潔、經(jīng)濟的電磁兼容性（EMC）解決方案，避免了后期因EMC測試不通過而需增加額外組件的繁瑣與成本。

此次推出的新型MOSFET，在導通電阻（RDSon）方面實現(xiàn)了顯著優(yōu)化，相較于市面上同類產(chǎn)品，降幅高達31%。這不僅意味著更高的能效轉換，也意味著在同等功率需求下，能夠采用更小的散熱系統(tǒng)，進一步縮減系統(tǒng)體積與成本。此外，Nexperia還預告將在今年后續(xù)階段，推出RDS（on）低至1.2mΩ的LFPAK88 80V MOSFET，以及功率密度更高的CCPAK1212封裝產(chǎn)品，進一步豐富其NextPower系列的產(chǎn)品矩陣。

為助力工程師快速上手并充分利用這些先進器件，Nexperia還提供了其屢獲殊榮的交互式數(shù)據(jù)手冊。這一工具以全面而直觀的方式，展現(xiàn)了器件的詳細性能參數(shù)與行為特性，極大地簡化了設計驗證流程，加速了產(chǎn)品從概念到市場的步伐。

Nexperia此次的產(chǎn)品擴展，不僅展現(xiàn)了其在MOSFET技術領域的深厚積累與創(chuàng)新能力，更為全球電子行業(yè)帶來了更高效、更可靠的功率轉換解決方案，推動了綠色、低碳、可持續(xù)發(fā)展的技術趨勢。