臺(tái)積電高級(jí)副總裁兼聯(lián)席COO張曉強(qiáng)在2024年度技術(shù)論壇上宣稱，其公司已成功實(shí)現(xiàn)不同晶體管結(jié)構(gòu)的集成，并在實(shí)驗(yàn)室制造了CFET（互補(bǔ)式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。他預(yù)期這種新型器件將應(yīng)用于尖端邏輯工藝和未來代的先進(jìn)邏輯工藝，研發(fā)團(tuán)隊(duì)也正在研究引入新的材料以使單個(gè)邏輯芯片能容納超過2000億顆晶體管，助力半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)創(chuàng)新。

張曉強(qiáng)強(qiáng)調(diào)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的黃金時(shí)代已然來臨，未來AI芯片的發(fā)展幾乎99%都依賴于臺(tái)積電的先進(jìn)邏輯技術(shù)和先進(jìn)封裝技術(shù)。臺(tái)積電憑借技術(shù)創(chuàng)新，將在未來提升芯片性能和降低功耗方面發(fā)揮更大作用。

關(guān)于2nm制程，張曉強(qiáng)透露，該項(xiàng)目進(jìn)展順利，采用納米片技術(shù)，目前納米片轉(zhuǎn)換效率已達(dá)目標(biāo)的90%，良品率超過80%，預(yù)計(jì)將于2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。他進(jìn)一步表示，基于2nm技術(shù)，臺(tái)積電全球首發(fā)的A16制程結(jié)合獨(dú)特的背面供電技術(shù)，可使芯片性能較2nm提高8%-10%，同時(shí)能耗降低15%-20%。臺(tái)積電計(jì)劃于2026年將A16投入量產(chǎn)，首款芯片將用于數(shù)據(jù)中心高性能計(jì)算領(lǐng)域。

此外，臺(tái)積電還在實(shí)驗(yàn)室成功集成了P-FET和N-FET兩種不同類型的晶體管，制造出了CFET架構(gòu)的芯片。這是在2nm采用納米片架構(gòu)創(chuàng)新之后，臺(tái)積電在晶體管架構(gòu)創(chuàng)新方面的又一重大突破。

張曉強(qiáng)表示，在CFET之后，臺(tái)積電研發(fā)團(tuán)隊(duì)將繼續(xù)探索更多的晶體管新材料和創(chuàng)新架構(gòu)，如Ws2或WoS2等無機(jī)納米管或納米碳管，這預(yù)示著臺(tái)積電不僅將CFET引入更先進(jìn)的埃米級(jí)制程，而且還將持續(xù)推動(dòng)更先進(jìn)的晶體管架構(gòu)創(chuàng)新。

另一方面，臺(tái)積電3nm制程的資深廠長(zhǎng)黃遠(yuǎn)國表示，盡管今年該制程的產(chǎn)量將增加三倍，但仍然無法滿足市場(chǎng)需求。為了滿足客戶需求，臺(tái)積電今年將在國內(nèi)外新建七座工廠，涵蓋先進(jìn)制程、先進(jìn)封裝和成熟制程。

黃遠(yuǎn)國指出，自2020年至2024年，臺(tái)積電3nm、5nm、7nm制程的產(chǎn)能年均增長(zhǎng)率高達(dá)25%，特殊制程的年均增長(zhǎng)率為10%，汽車芯片的年均增長(zhǎng)率約為50%。他還提到，臺(tái)積電特殊制程技術(shù)在成熟產(chǎn)品中的占比也在穩(wěn)步上升，預(yù)計(jì)到2024年將達(dá)到67%。在2022至2023年間，臺(tái)積電平均每年建設(shè)五個(gè)工廠，而今年計(jì)劃建設(shè)的工廠數(shù)量則增至七個(gè)，包括在中國臺(tái)灣建設(shè)三個(gè)晶圓廠、兩個(gè)封裝廠以及在海外建設(shè)兩個(gè)工廠。