4月28日，全球半導(dǎo)體巨頭三星宣布了一個令人振奮的消息：其最新一代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品已成功實現(xiàn)量產(chǎn)。相較于前代產(chǎn)品，這款新品在位密度上實現(xiàn)了顯著的飛躍，提升幅度高達(dá)約50%。這一重大突破，得益于三星創(chuàng)新技術(shù)的引入——通道孔蝕刻技術(shù)，該技術(shù)極大地提升了生產(chǎn)效率，為三星在全球半導(dǎo)體市場的競爭增添了新的動力。

在技術(shù)層面，第九代V-NAND無疑展現(xiàn)出了三星的卓越技術(shù)實力。它采用了雙重堆疊技術(shù)，在原有的旗艦V8閃存236層的基礎(chǔ)上，再次實現(xiàn)了技術(shù)上的重大突破，堆疊層數(shù)飆升至驚人的290層。這一創(chuàng)新設(shè)計使得該產(chǎn)品在大型企業(yè)服務(wù)器、人工智能以及云設(shè)備等高端市場領(lǐng)域，成為了備受歡迎的存儲解決方案。

然而，三星并未滿足于現(xiàn)有的成績。據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露，三星正計劃在未來不久推出第10代NAND芯片。這款芯片將采用更為先進(jìn)的三重堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)有望突破至430層，再次刷新NAND芯片密度的記錄。這一系列的創(chuàng)新舉措，無疑將進(jìn)一步鞏固三星在全球半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位，并為其未來的發(fā)展奠定堅實的基礎(chǔ)。

市場研究公司Omdia的預(yù)測報告也為三星的未來發(fā)展注入了信心。盡管NAND閃存市場在2023年經(jīng)歷了下滑，但預(yù)計今年將迎來強勁的反彈，增長率將達(dá)到38.1%。面對這一充滿機遇的市場環(huán)境，三星誓言將加大對NAND業(yè)務(wù)的投資力度，以搶占更多的市場份額。

三星的高管們信心滿滿。他們表示，公司的長遠(yuǎn)目標(biāo)是到2030年開發(fā)出超過1000層的NAND芯片。

審核編輯：黃飛