國(guó)內(nèi)2023年第三代半導(dǎo)體迎來歷史性大突破，碳化硅（SiC）長(zhǎng)晶、芯片材料自制領(lǐng)域，受到國(guó)際IDM大廠的肯定，這促使國(guó)內(nèi)廠大幅加碼擴(kuò)產(chǎn)。

某位不愿意透露姓名的業(yè)內(nèi)專家爆料，國(guó)內(nèi)企業(yè)包括山東天岳、天科合達(dá)、同光、爍科、三安等，每家SiC長(zhǎng)晶爐幾乎均以「千臺(tái)」作為擴(kuò)產(chǎn)單位，打造「SiC大煉鋼廠」。

國(guó)內(nèi)SiC長(zhǎng)晶能力符合市場(chǎng)肯定的企業(yè)約有4、5家，目前國(guó)內(nèi)每月產(chǎn)能共約6萬片，在各家積極大擴(kuò)產(chǎn)下，預(yù)估2024年全國(guó)月產(chǎn)能達(dá)12萬片、年產(chǎn)能估可達(dá)150萬片。

相較全球2023年SiC晶圓總供給約170萬片來看，粗估2024年國(guó)內(nèi)的供給量，即可挑戰(zhàn)全球總供給量的一半市占。

據(jù)分析機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)來看，國(guó)內(nèi)具代表性的SiC晶圓廠天岳、天科等，占全球市場(chǎng)約5%，而四大天王Wolfspeed約達(dá)60%、Coherent約15%、日本羅姆（Rohm）的SiC占13%、韓國(guó)SK Siltron占5%，比例相差甚遠(yuǎn)。

以往多數(shù)國(guó)際分析機(jī)構(gòu)，對(duì)國(guó)內(nèi)廠的產(chǎn)能、實(shí)際產(chǎn)出及品質(zhì)一直持懷疑態(tài)度，但2023年博世（Bosch）、英飛凌（Infineon）、意法（STM）等，與天岳、天科合達(dá)、三安等接連簽約及合資建廠，也等同簽下國(guó)內(nèi)實(shí)力、品質(zhì)的保證書。間接說明國(guó)內(nèi)廠加速參與SiC料源供應(yīng)，大局已定。

目前全球主流仍以6寸SiC晶圓為主，在眾位玩家急追之下，2024年可能「翻盤」，芯片可能不再像過往般嚴(yán)重短缺，價(jià)格也有機(jī)會(huì)隨著國(guó)內(nèi)企業(yè)產(chǎn)能擴(kuò)大而明顯下調(diào)。與此同時(shí)，將驅(qū)逐掉那些生產(chǎn)良率不佳、產(chǎn)出成本達(dá)不到市場(chǎng)平均報(bào)價(jià)的部分企業(yè)。

下半年歐、美等SiC料源廠的融資速度也在加速，新競(jìng)爭(zhēng)格局將至，盡管遠(yuǎn)不及AI創(chuàng)造勢(shì)頭猛，SiC仍相當(dāng)具未來性，尤其適用于新能源、AI、5G帶動(dòng)的新市場(chǎng)。

值得一提的是，2023年因SiC市場(chǎng)投入過度火爆，國(guó)內(nèi)政府對(duì)新進(jìn)者設(shè)置各類新審批關(guān)卡，不僅是SiC長(zhǎng)、切、磨、拋等材料端，硅片等也一樣受限。這也阻擋了一些SiC設(shè)計(jì)企業(yè)，想要跨展延伸至硅片端布完IDM布局的野心。

審核編輯：劉清