靈動(dòng)微MM32SPIN160C采用高性能為內(nèi)核為M0的32位微控制器，5V輸出的LDO穩(wěn)壓器、三組具備有自舉二極管的N通道半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。MCU的工作頻率最高可達(dá)72兆赫茲，內(nèi)置SRAM高速存儲(chǔ)器，豐富的增強(qiáng)型I/O端口和外設(shè)連接到外部總線(xiàn)。MM32SPIN160C產(chǎn)品包含1個(gè)12位的ADC、1個(gè)比較器、1個(gè)16位通用定時(shí)器、1個(gè)32位通用定時(shí)器、3個(gè)16位基本定時(shí)器、1個(gè)16位高級(jí)定時(shí)器。還包含標(biāo)準(zhǔn)的通信接口：1個(gè)I2C接口、1個(gè)SPI接口和1個(gè)UART接口。MM32SPIN160C產(chǎn)品提供QFN32封裝形式，該產(chǎn)品適合于三相永磁無(wú)刷電機(jī)和電動(dòng)工具等多種應(yīng)用場(chǎng)合。靈動(dòng)微電子代理廠(chǎng)商可提供產(chǎn)品應(yīng)用解決方案支持。

MM32SPIN160C特征

?內(nèi)核與系統(tǒng)

–32位ARM?Cortex?-M0處理器內(nèi)核

–最高工作頻率可達(dá)72MHz

–單指令周期32位硬件乘法器

–硬件除法器（32Bit）

–單指令周期32位硬件乘法器

?存儲(chǔ)器

–高達(dá)32K字節(jié)的閃存程序存儲(chǔ)器

–高達(dá)4K字節(jié)的SRAM

?時(shí)鐘、復(fù)位和電源管理

–2.0V~5.5V供電

–上電/斷電復(fù)位（POR/PDR）、可編程電壓監(jiān)測(cè)器（PVD）

–外部2~24MHz高速晶體振蕩器

–內(nèi)嵌經(jīng)出廠(chǎng)調(diào)校的48/72MHz高速振蕩器

–內(nèi)嵌40KHz低速振蕩器

?低功耗

–睡眠、停機(jī)和待機(jī)模式

? 5V LDO 穩(wěn)壓器

– 輸入電壓最高13.5V

? 三組N 型半橋式柵極驅(qū)動(dòng)器（GATE-DRIVER）

– 三相柵極驅(qū)動(dòng)器

– 支持電壓UVLO 保護(hù)

– 1A/1A SINK/SOURCE 三相柵極驅(qū)動(dòng)電流

? 96 位的芯片唯一ID（UID）

? 采用QFN32 封裝

MM32SPIN160C引腳

內(nèi)置的SRAM

內(nèi)置最大可到4K字節(jié)的靜態(tài)SRAM。

它可以以字節(jié)（8位）、半字（16位）或字（32位）進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)。SRAM起始地址為0x20000000。

?數(shù)據(jù)總線(xiàn)上最大可到2K字節(jié)的SRAM?？梢员?a target="_blank">CPU或者DMA用最快的系統(tǒng)時(shí)鐘且不

插入任何等待進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)。

閃存主要特性

?高達(dá)32K字節(jié)閃存存儲(chǔ)器

閃存接口的特性為：

?帶預(yù)取緩沖器的數(shù)據(jù)接口（2×64位）

?選擇字節(jié)加載器

?閃存編程/擦除操作

?訪(fǎng)問(wèn)/寫(xiě)保護(hù)

?低功耗模式

FLASH讀操作

嵌入式Flash模塊可以像普遍存儲(chǔ)空間一樣直接尋址訪(fǎng)問(wèn)。任何對(duì)Flash模塊內(nèi)容的讀操作都須經(jīng)過(guò)專(zhuān)門(mén)的判斷過(guò)程。

取指令和取數(shù)據(jù)都是通過(guò)AHB總線(xiàn)讀取訪(fǎng)問(wèn)，能夠按照Flash訪(fǎng)問(wèn)控制寄存器（FLASH_ACR）中得選項(xiàng)所指定的方式執(zhí)行：

?取指：預(yù)取值緩沖區(qū)使能后可提高CPU運(yùn)行速度

?潛伏期：等待位的個(gè)數(shù)，保證正確的讀取。

審核編輯：黃飛