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離線反激式轉(zhuǎn)換器的反饋控制設(shè)計(jì)指南

pecron ? 來源:電路一點(diǎn)通 ? 2023-08-07 09:15 ? 次閱讀

離線式反激轉(zhuǎn)換器 (off-line flyback converter) 的反饋控制經(jīng)常困擾著電源工程師,因?yàn)闋可娴竭B續(xù)導(dǎo)通模式 (continuous conduction mode, CCM) 與非連續(xù)導(dǎo)通模式(discontinuous conduction mode, DCM)的小信號(hào)模型、TL431與光耦合器(opto-coupler)的特殊反饋補(bǔ)償模式,使得反饋參數(shù)的設(shè)計(jì),還流于試誤(cut and try)模式。本設(shè)計(jì)指南提供完整的理論設(shè)計(jì),從功率級(jí)的轉(zhuǎn)換函數(shù)到設(shè)計(jì)TL431與光耦補(bǔ)償器,使得系統(tǒng)獲得良好的相位裕度(phase margin),達(dá)到瞬時(shí)穩(wěn)定度的要求。本文將利用Mathcad 軟件做理論計(jì)算,同時(shí)以Simplis 模擬做比較驗(yàn)證。

一、適用范圍 : 次級(jí)穩(wěn)壓反激轉(zhuǎn)換器

絕大部份反激轉(zhuǎn)換器都采用次級(jí)穩(wěn)壓的峰值電流控制(peak current mode control)來完成調(diào)節(jié)輸出電壓的反饋方式,圖一為其簡(jiǎn)圖。次級(jí)輸出電壓經(jīng)過光耦與TL431電路,在初級(jí)側(cè)形成電壓VCOMP,這個(gè)電壓與初級(jí)峰值電流比較,決定開關(guān)晶體管Q的占空比,完成負(fù)反饋穩(wěn)壓的作用。其中,RS 為初級(jí)電流檢測(cè)電阻,CTR 為光耦的電流傳遞比(current transfer ratio),GFB為小信號(hào)增益 (在RT773x IC內(nèi)部設(shè)計(jì)為1/3),Se為消除次諧波振蕩(sub-harmonic oscillation) 所外加的斜率補(bǔ)償(slop compensation)。

為方便后續(xù)的推導(dǎo)與說明,電路做了基本的假設(shè)如下:

1.開關(guān)器件Q與次級(jí)二極管D為理想組件

2.變壓器視為理想器件

3.TL431的開回路增益為無限大 (常規(guī)的開路增益約50 ~ 60dB)

4.光耦的電流傳遞比為一常數(shù)

其中,光耦的電流傳遞比是一個(gè)極非線性的數(shù)值,隨著工作點(diǎn)(通過光耦二極管的電流)的變動(dòng),電流傳遞比也會(huì)隨著變化。但為了方便說明與推導(dǎo)起見,姑且將其視為定值。在常規(guī)的應(yīng)用中,流過光耦二極管的電流很低,可能低于1mA,導(dǎo)致電流傳遞比可能小于20%。

其他名詞與符號(hào)定義如下:

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圖一、利用TL431與光耦反饋的反激轉(zhuǎn)換器

二、功率電路的小信號(hào)模型

在許多不同的參考文獻(xiàn)中可以找到不同的反激轉(zhuǎn)換器小信號(hào)模型[1-3],這些模型都是基于狀態(tài)平均(state averaging)法推導(dǎo)的,可能是因?yàn)楹?jiǎn)化或假設(shè)條件不同而有些許差異。本文乃采用 Christophe Basso 的小信號(hào)模型作反饋補(bǔ)償設(shè)計(jì)[1]。從實(shí)用的角度而言,所有小信號(hào)模型都將得到近似的結(jié)果。

連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)的轉(zhuǎn)移函數(shù)(transfer function)

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這是一個(gè)一個(gè)極點(diǎn)(pole)、兩個(gè)零點(diǎn)(zero)的系統(tǒng),如圖二所示。極點(diǎn)的位置與電路參數(shù)以及負(fù)載輕重有關(guān),而第一個(gè)零點(diǎn)為輸出電容與其等效串聯(lián)電阻(ESR)所構(gòu)成,為一固定不動(dòng)的零點(diǎn)。另一個(gè)零點(diǎn)在s-平面的右半邊,稱為右半平面零點(diǎn)(RHP zero),這個(gè)右半平面零點(diǎn)的位置與輸入電壓、負(fù)載電流的高低有關(guān)。在一個(gè)設(shè)計(jì)良好的系統(tǒng)里,交越頻率 (cross-over frequency) 必須設(shè)計(jì)得遠(yuǎn)低于右半平面零點(diǎn)頻率,才能有足夠的相位裕量(phase margin)。所以在補(bǔ)償電路設(shè)計(jì)時(shí),這個(gè)高頻的零點(diǎn)將忽略不計(jì)。

3000a078-3451-11ee-9e74-dac502259ad0.png圖二、CCM 1P2Z 的轉(zhuǎn)移函數(shù)圖

非連續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM)的轉(zhuǎn)移函數(shù)

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將(2)式的轉(zhuǎn)移函數(shù)繪制在波德圖(Bode Plot)上,如圖三。在DCM 模式下,功率電路小信號(hào)模型呈現(xiàn)兩極點(diǎn)與兩零點(diǎn),不過其中有一個(gè)極點(diǎn)ωp2頻率極高(遠(yuǎn)高于目標(biāo)的交越頻率),在設(shè)計(jì)反饋時(shí)不需考慮。所以等效上,不論CCM 或是DCM,其功率級(jí)的轉(zhuǎn)移函數(shù),均可視為一極點(diǎn)、兩零點(diǎn)(1P2Z)的形式,這非常有利于反饋組態(tài)電路的選定。從(1)與(2) 轉(zhuǎn)移函數(shù)來看,這些極點(diǎn)與零點(diǎn),有些是固定不變的,如輸出電容等效串聯(lián)電阻ESR造成的零點(diǎn)。大部份的極零點(diǎn)與直流增益都與工作點(diǎn)(operating point)有關(guān),所謂工作點(diǎn)即指某一個(gè)輸入電壓與某個(gè)負(fù)載電流工作條件。接下來,就用數(shù)值來說明這些極零點(diǎn)的變化。

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圖三、DCM 2P2Z 的轉(zhuǎn)移函數(shù)圖

工作點(diǎn)與極零點(diǎn)變化

舉一個(gè)常規(guī)的應(yīng)用例子來說明:一個(gè)反激轉(zhuǎn)換器,輸入電壓范圍為90V 到360V,負(fù)載范為為0到3A,輸出電壓為12V。并有著下列的電路參數(shù) : LP = 1.1mH, NP : NS = n = 7.7, CO = 1360μF, RESR = 30 mΩ, RS = 0.56Ω, fS = 65kHz, Se = 3.46 x 104 V/sec, GFB = 0.3333。(其中 Se 與GFB 必須由控制IC提供)根據(jù)反激轉(zhuǎn)換器的工作原理[4],在常規(guī)的設(shè)計(jì)里,高輸入電壓與輕載狀態(tài)總是讓轉(zhuǎn)換器傾向于非連續(xù)導(dǎo)通模式;反之,低輸入電壓與重載的條件下,轉(zhuǎn)換器會(huì)走向連續(xù)導(dǎo)通模式。其間存在著一條所謂 CCM與DCM 的邊界曲線,如圖四所示,在曲線上方為CCM 工作模式,曲線下方為DCM 工作模示。(3)式就是代表這條曲線的方程式。

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圖四、CCM 與DCM 邊界曲線

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不同工作點(diǎn)的零極點(diǎn)變化

表一為范例中的直流增益以及零極點(diǎn)位置的計(jì)算結(jié)果。圖五為輸入電壓與負(fù)載電流變化的波德示意圖??梢钥闯?,當(dāng)?shù)洼斎腚妷号c高負(fù)載時(shí),增益曲線較低;反之,高輸入電壓與輕載時(shí),增益曲線較高。這個(gè)事實(shí)關(guān)系到如何選擇工作點(diǎn)作為反饋設(shè)計(jì)的基準(zhǔn),很顯然,低輸入電壓與重載條件做為反饋設(shè)計(jì)點(diǎn)是比較恰當(dāng)?shù)摹R簿褪钦f在這樣的條件下,如果擁有足夠的相位裕量,通常也能延伸到其他工作點(diǎn)有著更好的相對(duì)穩(wěn)定裕量。

表一、不同工作點(diǎn)的直流增益與零極點(diǎn)位置

VIN (V) 90 180 270 360 90 90 90 360 360 360
IO (A) 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 2.0 1.0 3.0 2.0 1.0
Mode CCM CCM CCM DCM CCM CCM DCM DCM DCM DCM
G0 (dB) 13.1 16.5 17.0 17.1 13.1 15.6 17.0 17.1 18.8 21.8
fP1 (Hz) 59.0 53.0 57.0 58.5 59.0 44.0 19.5 58.5 39.0 19.5
fP2 (Hz) NA NA NA 21.7k NA NA 25k 21.7k 32.6k 65k
fZ1 (Hz) 3.9k 3.9k 3.9k 3.9k 3.9k 3.9k 3.9k 3.9k 3.9k 3.9k
fZ2 (Hz) 16.5k 44.2k 75k 106k 16.5k 24.7k 49.5k 106k 160k 319k

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圖五、改變工作點(diǎn)的增益曲線變化

三、反饋補(bǔ)償電路設(shè)計(jì)

從前面的分析得知,不同的操作點(diǎn)有著不同的零極點(diǎn)位置以及不同的低頻直流增益,所以存在著許多設(shè)計(jì)補(bǔ)償電路的方法。基本上一個(gè)Type II 的補(bǔ)償器 (一個(gè)零頻率的極點(diǎn),隨著一個(gè)低頻零點(diǎn)以及一個(gè)極點(diǎn)) 最適合做此類的補(bǔ)償。如果用一個(gè)低頻零點(diǎn)來補(bǔ)償功律電路的低頻極點(diǎn),同時(shí)利用高頻極點(diǎn)來補(bǔ)償ESR零點(diǎn),這樣將容易獲得較好的相位裕量。利用補(bǔ)償器的中頻段增益來設(shè)定適當(dāng)?shù)慕辉筋l率,系統(tǒng)將有相當(dāng)好的穩(wěn)定度。

一種簡(jiǎn)單實(shí)用的方法便是先設(shè)定好一個(gè)“目標(biāo)回路增益”(target loop gain)為:

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這樣的回路增益在波德圖上就是一條 -20dB/dec 斜率的直線,如圖六,在低頻直流部分有著極高(相當(dāng)于補(bǔ)償器的開路增益)的增益,所以整個(gè)電路的直流穩(wěn)態(tài)電壓調(diào)整率理論值可為零。同時(shí),其交越頻率fC為

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因?yàn)樾甭式?-20dB/dec,所以在交越頻率有著近90° 的相位裕量。對(duì)一個(gè)離線的反激轉(zhuǎn)換器而言,交越頻率設(shè)計(jì)在低壓輸入滿載時(shí)工作點(diǎn)為800Hz到3kHz為最恰當(dāng) (以65kHz 開關(guān)頻率而言)。

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圖六、功率電路轉(zhuǎn)移函數(shù)曲線(紅色)與目標(biāo)回路增益(藍(lán)色)

設(shè)計(jì)步驟

有了以上的了解與認(rèn)知后,很自然的一般補(bǔ)償器設(shè)計(jì)的方法就可以應(yīng)用了,現(xiàn)將這些步驟整理如下:

1.選擇低壓輸入與滿載做為補(bǔ)償電路設(shè)計(jì)基準(zhǔn)的功率電路。如前所述,采用這個(gè)工作點(diǎn)設(shè)計(jì)的補(bǔ)償器可以延伸涵蓋到其他工作點(diǎn),并且有更好的相位裕量。

2.設(shè)定交越頻率 fC,其回路增益波德圖為 -20dB/dec 斜率。越高的交越頻率,雖然代表著更快的瞬時(shí)響應(yīng),但是別忘了反激轉(zhuǎn)換器固有的右半平面零點(diǎn)問題,這個(gè)零點(diǎn)無法用傳統(tǒng)的極點(diǎn)補(bǔ)償,所以交越頻率必須遠(yuǎn)低于這個(gè)零點(diǎn)位置。實(shí)務(wù)上,離線反激轉(zhuǎn)換器的交越頻率多半設(shè)計(jì)在3kHz以下。

3.定義一個(gè)兩極點(diǎn)、一零點(diǎn)的補(bǔ)償電路,并設(shè)定補(bǔ)償電路的零點(diǎn)為功率電路的低頻極點(diǎn);設(shè)定補(bǔ)償電路的高頻極點(diǎn)為功率電路的ESR零點(diǎn)。利用一組Type II 的補(bǔ)償電路,恰可以結(jié)合功率電路的轉(zhuǎn)移函數(shù),成為目標(biāo)回路增益。

4.根據(jù)功率電路在fC 的增益,算出補(bǔ)償器的中頻增益。

5.同時(shí),相位裕量可以先預(yù)估。

6.補(bǔ)償電路的轉(zhuǎn)換函數(shù)可以確定了:

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也就是說 (6) 式的 A、ωcp1 與 ωcz1 都可以計(jì)算出來了。

補(bǔ)償電路的實(shí)現(xiàn)

1.選用最廣泛使用的TL431與光耦合器架構(gòu),如圖七。實(shí)現(xiàn)Type II 補(bǔ)償器的電路結(jié)構(gòu)有許多種,不在此討論,僅提供最常用結(jié)合TL431與光耦的常規(guī)Type II電路計(jì)算與說明。

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圖七、實(shí)現(xiàn)反饋補(bǔ)償?shù)碾娐方Y(jié)構(gòu)

2.圖七補(bǔ)償電路的小信號(hào)轉(zhuǎn)換函數(shù)如下 [5]

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圖八為相應(yīng)的補(bǔ)償器波德圖。

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圖八、Type II 補(bǔ)償器波德圖

3.從(7)式看,共有Ra、Rb、Rc3、Rd、Ca、Cb 及 CTR 等七個(gè)參數(shù)待定。而已知的只有前面算出的三個(gè)關(guān)系式。

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換句話說,有四個(gè)參數(shù)必須從其他條件獲得。

4.首先為電阻Rd,大部份新型的控制IC都已設(shè)定好,設(shè)計(jì)者可以從IC供貨商數(shù)據(jù)中獲得。

5.其次,TL431 的參考電壓也可從供貨商數(shù)據(jù)中得取,常規(guī)約為2.5V。為讓TL431正常運(yùn)作,通過Rb 的電流(Ivd) 至少須125μA,一般加上余裕,可以設(shè)定成250μA。所以 Ra 與Rb 就可以很容易的計(jì)算出來。

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6.此外,光耦的電流傳遞比(CTR)可以從供貨商數(shù)據(jù)里估計(jì)。事實(shí)上如前所述,CTR 為一非線性值,隨通過光耦二極管電流大小而變。一般通過光耦二極管電流約為幾百μA,CTR 約在0.1 到0.5之間,確實(shí)的數(shù)值必須透過精密量測(cè)而得。此例將假設(shè)CTR 為0.5。

7.如此一來,七個(gè)參數(shù)已經(jīng)決定了四個(gè),其余的三個(gè)參數(shù)可藉由(8)、(9)及(10)三個(gè)關(guān)系式算出唯一解。

8.算出RC3 的數(shù)值后必須要檢討一下。從TL431 運(yùn)行原理,其陰極電壓必須高于2.5V,同時(shí)流過陰極的電流必須大于1mA 才可以獲得正確的穩(wěn)壓。通常會(huì)在光耦二極管上并聯(lián)一個(gè)1kΩ 左右的電阻以提供足夠的陰極電流。特別注意,這個(gè)并聯(lián)電阻并不會(huì)改變系統(tǒng)小信號(hào)特性。所以可以得到下列關(guān)系式:

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其中VF 為光耦二極管的順向壓降,常規(guī)約略為1.0V。RC3的最大值就可以估計(jì)出來了。

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代入前面的例子,同時(shí)假定最大陰極電流為1.5mA,則RC3必須小于5.6kΩ。太高的RC3會(huì)降低補(bǔ)償電路的中頻增益。如果計(jì)算出來的RC3大于上限值就表示必須降低設(shè)定交越頻率,或采用其他的補(bǔ)償計(jì)算方法。

9.光耦合器在先天上存在一個(gè)并聯(lián)于光耦三極管的等效電容,必須用電路量測(cè)的方法測(cè)得,常規(guī)約在2nF到5nF之間。補(bǔ)償器計(jì)算出來的Cb值必須減去這個(gè)雜散電容,才是要外加的電容值。如果算出來的Cb值比雜散電容小,那就不需要外加電容了,不過因?yàn)椴荒芡耆a(bǔ)償ESR零點(diǎn)(極點(diǎn)靠近低頻),所以相位裕量會(huì)變差一些。

設(shè)計(jì)工具與模擬驗(yàn)證

為了讓上述計(jì)算可以快速進(jìn)行,特別制作兩個(gè)Mathcad計(jì)算程序“Flyback CCM Type II Compensation” 與 “Flyback Loop Gain Analysis”,方便反饋的計(jì)算與分析。同時(shí)可藉由Simplis仿真來比較本文模型計(jì)算的誤差。圖九為Simplis仿真電路圖,圖十到圖十二為本文提供的設(shè)計(jì)方法用Mathcad 分析計(jì)算與Simplis 模擬結(jié)果比較。圖十為功率電路轉(zhuǎn)移函數(shù)波德圖,圖十一為補(bǔ)償器電路轉(zhuǎn)移函數(shù)波德圖,圖十二為回路增益波德圖。(a)為幅值,(b)為相位。圖中紅色實(shí)曲線為Mathcad依據(jù)小信號(hào)模型計(jì)算結(jié)果,藍(lán)色虛曲線為用Simplis直接仿真的結(jié)果。可以看出從低頻段到交越頻率,小信號(hào)模型有很好的準(zhǔn)確度。高頻部份由于小信號(hào)模型的誤差,有比較大的誤差,不過因?yàn)榛芈吩鲆嬉堰h(yuǎn)小于1,對(duì)于實(shí)際瞬時(shí)響應(yīng)影響不大。圖十三為用Simplis仿真在輸入電壓為90V情況下階梯負(fù)載變化(負(fù)載自1A瞬變到3A)的輸出電壓瞬時(shí)響應(yīng)圖,可以看出只有很小的過沖(overshoot)以及很快的回復(fù)時(shí)間(settling time)。

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圖九、Simplis 仿真電路圖

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圖十、功率電路轉(zhuǎn)移函數(shù)波德圖 (a) 幅值, (b) 相位

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圖十一、補(bǔ)償器電路轉(zhuǎn)移函數(shù)波德圖 (a) 幅值, (b) 相位

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圖十二、回路增益波德圖 (a) 幅值, (b) 相位

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圖十三、負(fù)載瞬變瞬態(tài)響應(yīng)圖

審核編輯:湯梓紅
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原文標(biāo)題:設(shè)計(jì)指南:離線反激式轉(zhuǎn)換器的反饋控制

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