三星16GB LPDDR5內(nèi)存開始量產(chǎn)，內(nèi)存速率有5500Mps
近日三星宣布開始量產(chǎn)單封片16GB容量LPDDR5內(nèi)存，而16GB LPDDR5的內(nèi)存速率可以達(dá)5500Mps，是LPDDR4X-4266的1.3倍，功耗也降低了不少。
三星的這個(gè)16GB LPDDR5內(nèi)存，基于第二代10nm級(jí)工藝（1y nm）打造，用于高端智能手機(jī)后，未來將會(huì)將為5G網(wǎng)絡(luò)、8K視頻、AI運(yùn)算助力。
此外，基于第三代10nm級(jí)工藝（1z nm）的單晶片16Gb LPDDR5內(nèi)存將于下半年量產(chǎn)，速率將達(dá)到LPDDR5的設(shè)計(jì)極限6400Mbps。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15859瀏覽量
180979 -
內(nèi)存
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
3019瀏覽量
73998
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
佰維存儲(chǔ)發(fā)布新一代LPDDR5X內(nèi)存與DDR5內(nèi)存模組
%。同時(shí)，LPDDR5X在功耗控制上也表現(xiàn)出色，實(shí)現(xiàn)了25%的功耗降低。此外，該產(chǎn)品提供了8GB、12GB、16GB(ES階段)等多種容量選擇，為旗艦智能手機(jī)等終端設(shè)備帶來了卓越的性能
英偉達(dá)加速認(rèn)證三星AI內(nèi)存芯片
近日，英偉達(dá)公司正在積極推進(jìn)對(duì)三星AI內(nèi)存芯片的認(rèn)證工作。據(jù)英偉達(dá)CEO透露，他們正在不遺余力地加速這一進(jìn)程，旨在盡快將三星的內(nèi)存解決方案融入其產(chǎn)品中。 此次認(rèn)證工作的焦點(diǎn)在于
三星LPDDR4X車載內(nèi)存通過高通汽車模組驗(yàn)證
三星電子近日宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展，其專為高級(jí)車載信息娛樂系統(tǒng)(IVI)及高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)設(shè)計(jì)的LPDDR4X車載內(nèi)存已成功通過高通最新驍龍數(shù)字底盤平臺(tái)的嚴(yán)格驗(yàn)證。這一成就不僅標(biāo)志著三
三星量產(chǎn)最薄LPDDR5X內(nèi)存，技術(shù)再突破
三星電子今日正式宣告，其業(yè)界領(lǐng)先的超薄LPDDR5X內(nèi)存封裝技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)階段，再次引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)潮流。此次推出的
三星電子實(shí)現(xiàn)低功耗LPDDR5X DRAM的量產(chǎn)
三星電子于6日正式宣布，其已成功實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的12納米級(jí)低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（LPDDR5X DRAM）的量產(chǎn)，這款存儲(chǔ)器以驚人的0.65毫米封裝厚度引領(lǐng)行業(yè)，同時(shí)提供12
Introspect DDR5/LPDDR5總線協(xié)議分析儀
DDR5 RDIMM及支持下一代MR-DIMM單體測(cè)試驗(yàn)證系統(tǒng) (DDR5 MR-DIMM Module Test System), 支持的速率可高達(dá)17.4Gbps.
DDR5
發(fā)表于 08-06 12:03
三星開始量產(chǎn)其最薄LPDDR5X內(nèi)存產(chǎn)品，助力端側(cè)AI應(yīng)用
深圳2024年8月6日?/美通社/ -- 2024年8月6日，三星電子今日宣布其業(yè)內(nèi)最薄的12納米(nm)級(jí)LPDDR5X DRAM（內(nèi)存）開始量
三星2024年底量產(chǎn)256GB CXL 2.0內(nèi)存模塊
重大決策：三星將于今年年底正式拉開符合CXL 2.0協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)的256GB CMM-D 2.0內(nèi)存模塊的量產(chǎn)序幕。這一舉措不僅標(biāo)志著三星在高性
新品迅為RK3588-LPDDR5核心板_LPDDR4x與LPDDR5的區(qū)別
架構(gòu)與通信方式：LPDDR4x 采用了16n的通信方式(n為數(shù)據(jù)位寬)，而 LPDDR5 則引入了 32n的通信方式，可以提供更高的帶寬和性能。
頻率和時(shí)序：LPDDR5 相對(duì)于
發(fā)表于 07-17 10:13
三星Galaxy S25 Ultra 內(nèi)存將升級(jí)至16GB
據(jù)報(bào)道，三星Galaxy S24 Ultra已現(xiàn)身市場(chǎng)，其存儲(chǔ)版本分別有256GB、512GB及1TB三款，但內(nèi)存皆為12
三星Galaxy Z Flip6升級(jí)至12GB內(nèi)存，搭載驍龍8 Gen2處理器
此前，三星國(guó)行GalaxyZFlip5手機(jī)在存儲(chǔ)空間上提供256GB與512GB兩個(gè)選項(xiàng)，而常規(guī)配色（如冰薄荷、冰玫紫等）及三星商城限定色彩
三星LPDDR5X DRAM內(nèi)存創(chuàng)10.7Gbps速率新高
值得注意的是，此前市場(chǎng)上其他品牌的LPDDR5X DRAM內(nèi)存最高速度僅為9.6Gbps。三星表示，新款10.7Gbps LPDDR5X內(nèi)存
美光推LPDDR5X內(nèi)存，助提升手機(jī)電池續(xù)航
參考IT之家早先報(bào)道，美光首批9.6GbpsLPDDR5X內(nèi)存于去年10月面世，最大容量16GB，適配高通驍龍8Gen3平臺(tái);SK海力士亦在2023年推出同速LPDDR5T
任天堂Switch 2預(yù)計(jì)2025年3月問世，搭載英偉達(dá)T239 SoC芯片
其中一名知情人士透露，“針對(duì)任天堂的需求，三星 8nm 制程很適宜。此外，結(jié)合 128 bit LPDDR5 內(nèi)存，任天堂可自由選擇 8GB、12G
lpddr5時(shí)序比ddr5慢多少
LPDDR5和DDR5是兩種不同類型的內(nèi)存，它們?cè)跁r(shí)序和性能方面有一些差異。盡管它們都是最新一代的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，但它們面向不同的應(yīng)用場(chǎng)景，并且在設(shè)計(jì)上有一些不同。 首先，讓我們來了解一下
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論