臺(tái)積電利用其自身先進(jìn)的制程優(yōu)勢(shì)，正在積極推動(dòng)新型存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

近年來(lái)，在人工智能（AI）、5G等推動(dòng)下，以MRAM（磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (FRAM)、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（PRAM），以及可變電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RRAM）為代表的新興存儲(chǔ)技術(shù)逐漸成為市場(chǎng)熱點(diǎn)。

從目前來(lái)看，最受期待的就是MRAM，各大廠商在它上面投入的力度也最大。MRAM屬于非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，是利用具有高敏感度的磁電阻材料制造的存儲(chǔ)器，斷電時(shí)，MRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，且耗能較低，讀寫(xiě)速度快，可媲美SRAM，比Flash速度快百倍，在存儲(chǔ)容量方面能替代DRAM，且數(shù)據(jù)保存時(shí)間長(zhǎng)，適合高性能應(yīng)用。

MRAM的基本結(jié)構(gòu)是磁性隧道結(jié)，研發(fā)難度高，目前主要分為兩大類(lèi)：傳統(tǒng)MRAM和STT-MRAM，前者以磁場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，后者則采用自旋極化電流驅(qū)動(dòng)。

另外，相較于DRAM、SRAM和NAND Flash等技術(shù)面臨的微縮困境，MRAM可滿足制程進(jìn)一步微縮需求。目前，DRAM制程工藝節(jié)點(diǎn)為1X nm，已接近極限，而Flash走到20 nm以下后，就朝3D制程轉(zhuǎn)型了。MRAM制程則可推進(jìn)至10nm以下。

近日，臺(tái)積電與中國(guó)臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院 (ITRI) 的科學(xué)家共同展示了共同開(kāi)發(fā)的 SOT MRAM 存儲(chǔ)器。新的存儲(chǔ)設(shè)備專(zhuān)為內(nèi)存計(jì)算而設(shè)計(jì)，并用作高級(jí)緩存。新內(nèi)存比 DRAM 更快，即使在斷電后也能保留數(shù)據(jù)。它旨在取代 STT-MRAM 存儲(chǔ)器，并且運(yùn)行期間的功耗降低 100 倍。

在非易失性存儲(chǔ)器的其他有前景的選擇中，自旋轉(zhuǎn)移磁阻存儲(chǔ)器 (STT-MRAM) 長(zhǎng)期以來(lái)一直是上層高速緩存存儲(chǔ)器（L3 及以上）和內(nèi)存中非易失性計(jì)算的競(jìng)爭(zhēng)者，除其他外，還有存儲(chǔ)選項(xiàng)。這種存儲(chǔ)器變體使用自旋極化電流通過(guò)隧道結(jié)將磁化強(qiáng)度轉(zhuǎn)移到存儲(chǔ)器單元。因此，STT-MRAM的能耗比通過(guò)感應(yīng)電磁場(chǎng)進(jìn)行記錄的傳統(tǒng)MRAM存儲(chǔ)器的能耗低幾倍。

SOT MRAM 存儲(chǔ)器走得更遠(yuǎn)。鐵磁層的記錄是在自旋軌道扭矩的幫助下發(fā)生的。該效應(yīng)通過(guò)兩種現(xiàn)象的組合在鐵磁層底部的導(dǎo)體中顯現(xiàn)出來(lái)：旋轉(zhuǎn)霍爾效應(yīng)和Rashba寶石效應(yīng)。結(jié)果，與導(dǎo)體相鄰的鐵磁體受到導(dǎo)體中自旋電流感應(yīng)的磁場(chǎng)的影響。這導(dǎo)致 SOT-MRAM 需要更少的功耗來(lái)運(yùn)行。

兩種類(lèi)型的 MRAM 單元的寫(xiě)入和讀取電流路徑。來(lái)源：新加坡國(guó)立大學(xué)

SOT-MRAM 的其他優(yōu)點(diǎn)是獨(dú)立的寫(xiě)入和讀取電路，這對(duì)性能產(chǎn)生積極影響，并提高了耐磨性。

“該單元同時(shí)提供低功耗和高速運(yùn)行，速度高達(dá) 10 ns。”工研院電子與光電研究實(shí)驗(yàn)室主任張世吉博士說(shuō)道。通過(guò)實(shí)現(xiàn)內(nèi)存計(jì)算電路可以進(jìn)一步提高整體計(jì)算性能。展望未來(lái)，該技術(shù)在高性能計(jì)算（HPC）、人工智能（AI）、汽車(chē)芯片等領(lǐng)域具有應(yīng)用潛力。

與延遲高達(dá) 100 ns 及以上的傳統(tǒng) DRAM 相比，延遲低至 10 ns 的 SOT MRAM 更接近 SRAM（延遲高達(dá) 2 ns）。當(dāng)然，它的延遲為 50 至 100 μs，明顯快于當(dāng)今流行的 3D NAND TLC。雖然SOT-MRAM內(nèi)存還不能馬上出現(xiàn)在處理器和控制器中，但是未來(lái)對(duì)于高效的內(nèi)存計(jì)算和自供電設(shè)備通常是必要的。

這些新技術(shù)正吸引各大晶圓廠不斷投入，其他具有代表性的廠商包括英特爾、三星等。

英特爾也是MRAM技術(shù)的主要推動(dòng)者，該公司采用的是基于FinFET技術(shù)的22 nm制程。2018年底，英特爾首次公開(kāi)介紹了其MRAM的研究成果，推出了一款基于22nm FinFET制程的STT-MRAM，當(dāng)時(shí)，該公司稱(chēng)，這是首款基于FinFET的MRAM產(chǎn)品，并表示已經(jīng)具備該技術(shù)產(chǎn)品的量產(chǎn)能力。

三星在MRAM研發(fā)方面算是起步較早的廠商，2002年就開(kāi)始了這項(xiàng)工作，并于2005年開(kāi)始進(jìn)行STT-MRAM的研發(fā)，之后不斷演進(jìn)。2019年，三星發(fā)布了采用28FDS工藝技術(shù)的1Gb嵌入STT-MRAM?；诟叨瓤煽康膃MRAM技術(shù)，在滿足令人滿意的讀取，寫(xiě)入功能和10年保存時(shí)間的情況下，可以實(shí)現(xiàn)90％以上的良率。并且具備高達(dá)1E10周期的耐久性，這些對(duì)于擴(kuò)展eMRAM應(yīng)用有很大幫助。

2019年底，Mentor宣布將為基于Arm的eMRAM編譯器IP提供IC測(cè)試解決方案，該方案基于三星的28FDS工藝技術(shù)。據(jù)悉，該測(cè)試方案利用了Mentor的Tessent Memory BIST，為SRAM和eMRAM提供了一套統(tǒng)一的存儲(chǔ)器測(cè)試和修復(fù)IP。

目前 MRAM 有三個(gè)主要的應(yīng)用市場(chǎng)，一個(gè)是用來(lái)作為嵌入式存儲(chǔ)器，MRAM 的特性非常適合用來(lái)作為嵌入式存儲(chǔ)器，特別是在嵌入或整合在 MCU 中。此外，高密度的 MRAM 則適用于來(lái)作為系統(tǒng)暫存存儲(chǔ)器、加速 NAND 快閃存儲(chǔ)器，或者作為 SRAM 應(yīng)用的替代品。在未來(lái)，MRAM 甚至很可能用來(lái)取代 DRAM。MRAM 很適合用來(lái)作為企業(yè)客戶的關(guān)鍵型任務(wù)應(yīng)用程序，其中可針對(duì)包括功率損耗和檔案遺失等問(wèn)題加以解決，因?yàn)檫@些問(wèn)題一旦發(fā)生都可能?chē)?yán)重影響客戶端的使用狀況。

而 MRAM 和其他的下一代存儲(chǔ)器，也都被視為是最適合用于機(jī)器學(xué)習(xí)的儲(chǔ)存技術(shù)。

審核編輯：黃飛

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