RM新时代网站-首页

電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>深入探索MRAM的原理與技術(shù)

深入探索MRAM的原理與技術(shù)

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴

評論

请按住滑块,拖动到最右边
了解新功能

查看更多

相關(guān)推薦

聯(lián)電聯(lián)手AVALANCHE 合作開發(fā)28納米MRAM技術(shù)

據(jù)臺灣經(jīng)濟日報最新消息,聯(lián)電(2303)與下一代ST-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻RAM)領(lǐng)導(dǎo)者美商Avalanche共同宣布,合作技術(shù)開發(fā)MRAM及相關(guān)28納米產(chǎn)品;聯(lián)電即日起透過授權(quán),提供客戶具有成本效益的28納米嵌入式非揮發(fā)性MRAM技術(shù)。
2018-08-09 10:38:123129

各種MRAM家族成員的挑戰(zhàn)和前景

磁阻隨機存取存儲器 (MRAM) 是一種非易失性存儲器技術(shù),它依靠兩個鐵磁層的(相對)磁化狀態(tài)來存儲二進制信息。多年來,出現(xiàn)了不同風(fēng)格的 MRAM 存儲器,這使得 MRAM 對緩存應(yīng)用程序和內(nèi)存計算越來越感興趣。
2022-07-26 11:08:341864

各種MRAM技術(shù)路徑,MRAM的挑戰(zhàn)和前景

本文旨在討論各種MRAM技術(shù)路徑,其中包括磁場驅(qū)動型、自旋轉(zhuǎn)移扭矩(spin-transfer torque:STT)、自旋軌道扭矩(spin-orbit torque:SOT)、電壓控制
2022-09-29 15:30:253452

蓄勢待發(fā)的MRAM

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/周凱揚)磁性隨機存儲器(MRAM)已經(jīng)有了多年的發(fā)展歷史,最早可以追溯到1984年,Arthur Pohm和 Jim Daughton兩人在霍尼韋爾打造出了首個磁阻存儲器設(shè)備
2022-11-29 09:25:322408

MRAM技術(shù)與FRAM技術(shù)的比較分析

MRAM技術(shù)MRAM或磁性隨機存取存儲器使用1晶體管–1磁性隧道結(jié)(1T-1MTJ)架構(gòu),其中鐵磁材料的磁性“狀態(tài)”作為數(shù)據(jù)存儲元素。由于MRAM使用磁性狀態(tài)進行存儲(而不是隨時間推移而“泄漏
2022-11-17 15:05:44

MRAM與FRAM技術(shù)對比分析

MRAM與FRAM技術(shù)比較
2021-01-25 07:33:07

MRAM與現(xiàn)行各類存儲器對比分析

我們可以預(yù)見到未來有望出現(xiàn)新型的、功能大大提升的單芯片系統(tǒng)這一美好前景。MRAM技術(shù)目前還存在一些困難,至少還沒有一種實用化的、可靠的方式來實現(xiàn)大容量的MRAM。困難之一是對自由層進行寫入(使磁矩平行或
2020-11-26 16:23:24

MRAM關(guān)鍵工藝步驟介紹

非易失性MRAM芯片組件通常在半導(dǎo)體晶圓廠的后端工藝生產(chǎn),下面英尚微電子介紹關(guān)于MRAM關(guān)鍵工藝步驟包括哪幾個方面.
2021-01-01 07:13:12

MRAM如何實現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器

具有非易失性,即使切斷電源,信息也不會丟失,而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面,自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短,均在2ns至20ns之間。它不需要閃存所必需
2022-02-11 07:23:03

MRAM實現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器的取代

具有非易失性,即使切斷電源,信息也不會丟失,而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面,自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短,均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05

MRAM演示軟件分析

Everspin串口串行mram演示軟件分析
2021-01-29 06:49:31

MRAM獨特功能替換現(xiàn)有內(nèi)存

在所有常年興起的記憶中,MRAM似乎最有可能瀕臨大規(guī)模,廣泛采用。這是否會很快發(fā)生取決于制造的進步和支持分立和嵌入式MRAM器件技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng)。MRAM以及PCRAM和ReRAM已經(jīng)達(dá)到了一個臨界點
2020-08-12 17:42:01

正在加载...

RM新时代网站-首页