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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>Arasan推出NAND閃存全I(xiàn)P解決方案

Arasan推出NAND閃存全I(xiàn)P解決方案

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蘋(píng)果閃存芯供應(yīng)商推出256Gb 3D NAND 或用于未來(lái)iPhone

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中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(China Flash Market Summit)〞展示全系列最新主控芯片解決方案來(lái)滿(mǎn)足全方位巿場(chǎng)需求。
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東芝公司近日發(fā)布了BENAND產(chǎn)品。該產(chǎn)品基于單層存儲(chǔ)單元(SLC)NAND閃存,并且內(nèi)嵌錯(cuò)誤糾正功能(ECC)。BENAND產(chǎn)品正式批量生產(chǎn)的時(shí)間為2012年3月。BENAND在東芝公司最先
2018-10-08 17:11:001940

西部數(shù)據(jù)推出新款3D NAND UFS嵌入式閃存盤(pán) 支持先進(jìn)汽車(chē)系統(tǒng)

西部數(shù)據(jù)公司推出了新款3D TLC NAND UFS汽車(chē)嵌入式閃存盤(pán)(EFD),豐富了其高質(zhì)量、高耐用性的汽車(chē)儲(chǔ)存解決方案,
2018-10-18 16:52:411295

關(guān)于不同NAND閃存的種類(lèi)對(duì)比淺析

由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類(lèi)型:?jiǎn)螌訂卧⊿LC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2018-12-17 15:50:241684

你知道NAND閃存的種類(lèi)和對(duì)比?

由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類(lèi)型:?jiǎn)螌訂卧?SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2019-04-17 16:32:345462

IDC對(duì)NAND閃存價(jià)格的最新預(yù)測(cè)

IDC調(diào)整了其對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè),稱(chēng)2019年和2020年的比特量(bit volume)將同比增長(zhǎng)39%和38%。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢(shì)可能會(huì)放緩。 據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示,2019年上半年閃存
2019-03-20 15:09:01282

PLDA宣布推出創(chuàng)新vDMA引擎IP解決方案

PCI Express?IP解決方案的產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者PLDA今天宣布推出兩個(gè)創(chuàng)新的DMA引擎解決方案。
2019-04-23 14:15:162908

東芝推出第二代工藝技術(shù) 采用新型嵌入式NAND閃存模塊

東京日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC),該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:58660

144層3D NAND將引領(lǐng)閃存容量的重大革命

英特爾透露,2019年第四季度將會(huì)推出96層的3D NAND閃存產(chǎn)品,并且還率先在業(yè)內(nèi)展示了用于數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤(pán)的144層QLC(四級(jí)單元)NAND,預(yù)計(jì)將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321074

美光將推出最新的第四代3D NAND閃存

美光宣布,已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片,應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu),并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:32791

如何在基于NAND閃存系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)最低的故障率

任何了解SD卡,USB閃存驅(qū)動(dòng)器和其他基于NAND閃存解決方案基礎(chǔ)知識(shí)的人都知道,控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00634

SK海力士推出128層1Tb TLC 4D NAND SSD高容量存儲(chǔ)解決方案

4月8日消息,近日,SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業(yè)級(jí) SSD-- PE8111,是針對(duì)讀取密集型應(yīng)用設(shè)計(jì)的高容量存儲(chǔ)解決方案。SK海力士是一家全球存儲(chǔ)器半導(dǎo)體制造商,其產(chǎn)品組合中包括 DRAM,NAND 閃存和控制器,以及 SSD 的全套技術(shù)。
2020-04-09 14:09:193527

解析NAND閃存和NOR閃存

無(wú)論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu),大多數(shù)人在談到閃存時(shí),首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來(lái)講,NAND閃存可以說(shuō)已經(jīng)成為固態(tài)硬盤(pán)的代名詞。基于塊尋址結(jié)構(gòu)和高密度,使其成為磁盤(pán)的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751

NAND閃存類(lèi)型機(jī)選擇技巧

通常情況下,固態(tài)硬盤(pán)(SSD)的底層NAND架構(gòu)會(huì)因模型而異。NAND 閃存的每種類(lèi)型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性,并因此對(duì)您的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)生不同的影響,在這篇文章中,我們會(huì)討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716

NAND閃存芯片有哪些類(lèi)型

我們都知道,構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存,目前閃存制造廠(chǎng)主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng),今天小編就來(lái)你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類(lèi)。
2020-09-18 14:34:527052

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將提高NAND閃存芯片的出貨量

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,專(zhuān)注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ),將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025

SK海力士收購(gòu)英特爾NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)

SK海力士作為全球半導(dǎo)體領(lǐng)頭企業(yè)之一,旨在強(qiáng)化其NAND閃存解決方案相關(guān)競(jìng)爭(zhēng)力,發(fā)展存儲(chǔ)器生態(tài)系統(tǒng),進(jìn)而給客戶(hù)、合作伙伴、公司員工和股東帶來(lái)更多利益。
2020-10-20 09:53:011833

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲(chǔ)器廠(chǎng)商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:552599

SK海力士發(fā)布176層TLC 4D NAND閃存

,數(shù)據(jù)傳輸速度提高了 33%,達(dá)到 1.6 Gbps。明年年中,SK 海力士將推出最大讀取速度提高 70%、最大寫(xiě)入速度提高 35% 的移動(dòng)解決方案產(chǎn)品,并計(jì)劃推出消費(fèi)者和企業(yè) SSD 產(chǎn)品,進(jìn)而擴(kuò)大該產(chǎn)品
2020-12-07 16:16:232416

Arasan宣布用于臺(tái)積公司22nm工藝技術(shù)的eMMC PHY IP立即可用

中的eMMC PHY IP可與Arasan的eMMC 5.1主機(jī)控制器IP和軟件無(wú)縫集成,從而為客戶(hù)提供基于臺(tái)積公司22nm工藝的完整eMMC IP解決方案。 Arasan憑借其D-PHY v1.1 IP @1.5ghz、D-PHY v1.2 IP @
2021-01-21 10:18:232385

Nand Flash文件系統(tǒng)解決方案

Nand Flash文件系統(tǒng)解決方案(嵌入式開(kāi)發(fā)一般考什么證書(shū))-ST提供適用于SLC的NFTL(NAND Flash Translation Layer)和FAT類(lèi)文件系統(tǒng)來(lái)解決NAND Flash存儲(chǔ)的問(wèn)題。
2021-07-30 10:41:299

Arasan宣布其Total IP解決方案

面向物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、移動(dòng)和汽車(chē)SoC的領(lǐng)先半導(dǎo)體IP核提供商Arasan Chip Systems宣布立即供應(yīng)MIPI Soundwire PHY I/O IP核。
2021-10-08 10:05:421395

Arasan宣布現(xiàn)貨供應(yīng)PHY I/O IP

 Arasan的MIPI I3C? Total IP?解決方案無(wú)縫集成MIPI I3C?控制器、MIPI I3C? PHY I/O和MIPI I3C?軟件棧。
2021-12-02 14:18:401432

Arasan推出超低功耗D-PHY IP

用于GF 12nm的Arasan MIPI D-PHYSM的速度高達(dá)每通道2.5Gbps,符合MIPI D-PHYSM v1.2規(guī)范。GF 12nm D-PHYSM是一款通用PHY IP,也可配置為獨(dú)立的發(fā)射器或接收器。
2021-12-13 11:18:02582

Arasan擴(kuò)展全MIPI顯示IP

SoC市場(chǎng)領(lǐng)先的全I(xiàn)PTM提供商Arasan Chip Systems宣布推出配有無(wú)縫集成VESA DSC IP的MIPI DSI-2SM。VESA DSC IP符合VESA DSC 1.2的參數(shù)要求。
2022-02-07 11:52:541323

芯動(dòng)科技宣布推出兼容UCIe國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的IP解決方案

  消息報(bào)道,中國(guó)一站式IP和芯片廠(chǎng)商芯動(dòng)科技宣布率先推出國(guó)產(chǎn)自主研發(fā)的物理層兼容UCIe國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的IP解決方案,是國(guó)內(nèi)首套跨工藝、跨封裝的Chiplet連接解決方案
2022-04-18 11:28:501229

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UC023閃存芯片 專(zhuān)為5G時(shí)代打造

  昨日消息,國(guó)內(nèi)專(zhuān)注于3D NAND閃存及存儲(chǔ)器解決方案的半導(dǎo)體集成電路企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布推出UFS 3.1通用閃存-UC023。
2022-04-20 11:47:521812

Cadence推出15種新驗(yàn)證 IP(VIP)解決方案

楷登電子(美國(guó) Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)今日宣布推出 15 種新的驗(yàn)證 IP(VIP)解決方案,助力工程師迅速有效地驗(yàn)證設(shè)計(jì),以滿(mǎn)足最新標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議的要求。
2022-06-06 11:18:212665

NAND閃存市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈

 在3D NAND技術(shù)賽跑中,三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100

可替代SPI NOR/NAND閃存方案的xSPI MRAM

Everspin?MRAM解決方案供應(yīng)商推出了用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統(tǒng)的EMxxLX xSPI MRAM 非易失性存儲(chǔ)器解決方案。該解決方案可以替代SPI NOR/NAND閃存方案,其讀寫(xiě)速度
2022-06-29 17:08:02843

開(kāi)放式NAND閃存接口規(guī)范

本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化的NAND閃存設(shè)備接口,該接口提供了以下方法:用于設(shè)計(jì)支持一系列NAND閃存設(shè)備而無(wú)需直接設(shè)計(jì)的系統(tǒng)關(guān)聯(lián)前。該解決方案還提供了系統(tǒng)無(wú)縫利用的方法在設(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)可能不存在的新NAND設(shè)備。
2022-09-09 16:10:2415

NAND閃存的應(yīng)用中的磨損均衡

NAND閃存的應(yīng)用中,程序/擦除周期存在一個(gè)限制,稱(chēng)為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí),這些塊將變得不可工作,需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí),此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-10-24 14:30:111230

NAND閃存控制器有什么優(yōu)勢(shì)

圍繞基于NAND閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)話(huà)已經(jīng)變得混亂。通常,當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí),他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存,而忽略了單獨(dú)的,但同樣重要的組件,即控制器。但是為什么需要控制器呢?簡(jiǎn)單地說(shuō),沒(méi)有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863

Arasan推出MIPI DSI IP

Arasan宣布可立即提供MIPI DSI IP,其支持FPGA設(shè)計(jì)高達(dá)54.72Gbps的C-PHY v2.0速度。? 加利福尼亞州圣何塞2022年11月10日 /美通社/ -- Arasan發(fā)布
2022-11-11 12:44:06877

NAND閃存應(yīng)用中的磨損均衡介紹

NAND閃存的應(yīng)用中,編程/擦除周期存在限制,稱(chēng)為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí),這些塊變得不可工作,需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí),此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-11-30 15:00:431519

開(kāi)放式NAND閃存接口規(guī)范說(shuō)明書(shū)

本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化NAND閃存設(shè)備接口,該接口提供了設(shè)計(jì)的系統(tǒng)支持一系列NAND閃存設(shè)備,無(wú)需直接設(shè)計(jì)預(yù)關(guān)聯(lián)。該解決方案還為系統(tǒng)提供了無(wú)縫利用在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)可能不存在的新NAND器件。
2022-12-13 16:50:450

什么是3D NAND閃存?

我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來(lái)了,理論上可以無(wú)線(xiàn)堆疊。
2023-03-30 14:02:392147

Arasan宣布立即推出第二代MIPI D-PHY

Arasan Chip Systems是移動(dòng)和物聯(lián)網(wǎng)SoC半導(dǎo)體IP的領(lǐng)先供應(yīng)商,今天宣布立即推出用于GF 22nm SoC設(shè)計(jì)的第二代MIPI D-PHY IP。
2023-05-19 14:51:22570

基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25%

基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個(gè)UFS 4.0移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案,采用了232層3D TLC NAND閃存;速度提升很大,可以達(dá)到最高
2023-07-19 19:02:21865

Arasan發(fā)布無(wú)縫集成CANsec加速器IP的CAN-XL IP

汽車(chē)SoC半導(dǎo)體IP領(lǐng)域的頂級(jí)提供商Arasan推出了一個(gè)完全集成的解決方案:結(jié)合CANsec Acceleration IP的CAN-XL IP(適用于安全CAN總線(xiàn)事務(wù))。 圣何塞2023
2023-08-04 11:05:24569

pSLC 閃存介紹:高性能和耐久性的閃存解決方案

在當(dāng)今科技時(shí)代,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng),NAND閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來(lái),虛擬SLC(pSLC)閃存技術(shù)的引入,為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來(lái)了新的創(chuàng)新。本文將探討pSLC閃存
2023-08-02 08:15:35793

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈,三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282

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