石英晶體振蕩器,石英晶體振蕩器電路
石英晶體振蕩器,石英晶體振蕩器電路
石英晶體振蕩器
頻率范圍很寬,頻率穩(wěn)定度在10-4~10-12范圍內(nèi),經(jīng)校準(zhǔn)一年內(nèi)可保持10-9的準(zhǔn)確度,高質(zhì)量的石英晶體振蕩器,在經(jīng)常校準(zhǔn)時(shí),頻率準(zhǔn)確可達(dá)10-11.高效能模擬與混合信號(hào)IC廠商Silicon Laboratories(芯科實(shí)驗(yàn)室有限公司)日前推出業(yè)界第一款支持輸出頻率可編程的振蕩器(XO)和壓控振蕩器(VCXO)。Si570/1系列采用公司專利的DSPLL技術(shù)和業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的I2C接口,通過對(duì)I2C接口的操作,一顆器件就能產(chǎn)生10MHz到1.4GHz的任何輸出頻率,同時(shí)將均方根抖動(dòng)幅度減少到0.3ps左右。Si570任意頻率XO和Si571任意頻率VCXO最適合需要彈性頻率源的高效能應(yīng)用,包括下一代網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、無線基站,測試與測量裝置、高畫質(zhì)電視視頻基礎(chǔ)設(shè)施和高速數(shù)據(jù)采集裝置。
硬件設(shè)計(jì)人員過去必須用多個(gè)固定頻率XO、VCXO或壓控SAW振蕩器(VCSO),才能開發(fā)出復(fù)雜系統(tǒng)所需的可變頻率架構(gòu),并讓它們以不同頻率操作。但這種方法的成本很高,需要復(fù)雜的模擬鎖相回路(PLL)設(shè)計(jì)和布局,還會(huì)延長新開發(fā)產(chǎn)品的上市時(shí)間。
Si570/1可編程XO和VCXO的彈性振蕩器能產(chǎn)生10MHz到1.4GHz的任何頻率,使得一顆器件就能取代多個(gè)固定頻率振蕩器,不僅簡化鎖相回路的設(shè)計(jì)與布局,還大幅減少元器件數(shù)目、系統(tǒng)成本和電路板面積。另外,由于Si570/1省下多個(gè)原本可能成為故障點(diǎn)的固定頻率振蕩器,所以系統(tǒng)會(huì)變得更可靠。
Si570/1能通過業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的I2C接口設(shè)定操作頻率,這使器件的編程設(shè)定和重新配置變得更簡單。Si570/1還能不限次數(shù)重新編程,讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員將同一套時(shí)鐘頻率架構(gòu)重復(fù)用于不同的最終應(yīng)用,這能簡化設(shè)計(jì)和加速上市時(shí)間。
Si570/1采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)和RoHS兼容的5×7毫米表面貼裝封裝,并支持所有常見的輸出信號(hào)格式(LVPECL、LVDS、CMOS和CML)。此系列包含三種不同速度等級(jí)的器件,分別是10MHz-1.4GHz、10-810MHz和10-215MHz。Si570任意頻率石英振蕩器還有±20ppm和±50ppm兩種不同的溫度穩(wěn)定性規(guī)格可供選擇,Si571任意頻率壓控石英振蕩器則包含從±12ppm到±375ppm等多種不同壓控范圍(Absolute Pull Range)的器件,以便設(shè)計(jì)人員彈性選擇最適合其應(yīng)用的器件。Si570/1的操作溫度范圍都是從-40至+85℃。
標(biāo)稱頻率:振蕩器輸出的中心頻率或頻率的標(biāo)稱值。
可選頻率范圍:我們所能提供的某種規(guī)格的振蕩器的可實(shí)現(xiàn)的頻率輸出。
頻率溫度穩(wěn)定度:在指定溫度范圍內(nèi)振蕩器的輸出頻率相對(duì)于25°C時(shí)測量值的最大允許頻率偏差。
老化:在確定時(shí)間內(nèi)輸出頻率的相對(duì)變化。
輸出:振蕩器輸出的波形及功率。
占空比:反映輸出波形的對(duì)稱性,也就說,在一個(gè)周期內(nèi),高電平與低電平所占比例之比。
上升時(shí)間:方波從低電平轉(zhuǎn)換為高電平的時(shí)間。
下降時(shí)間:方波從高電平轉(zhuǎn)換為低電平的時(shí)間。
諧波:振蕩器在相對(duì)于輸出頻率諧振點(diǎn)處的抑制。
非諧波:振蕩器在相對(duì)于輸出頻率非諧振點(diǎn)處的抑制。
短期頻率穩(wěn)定度:振蕩器在較短時(shí)間內(nèi)輸出頻率的穩(wěn)定性,通常為1秒。
相位噪聲:用于描述振蕩器的短期頻率波動(dòng),通常定義為載波發(fā)生某一頻率偏移是在1Hz帶寬內(nèi)的單邊帶功率密度,單位為dBc/Hz。
電源電壓:加在振蕩器電源端(Vcc)的能夠使振蕩器正常工作的電壓。
電源電流:流過振蕩器電源端(Vcc)的總電流。
工作溫度范圍:能夠保證振蕩器輸出頻率及其它各種特性能滿座指標(biāo)要求的溫度范圍。
石英晶體振蕩器特點(diǎn)
?? 在振蕩頻率上,閉合回路的相移為2nπ。
?? 當(dāng)開始加電時(shí),電路中唯一的信號(hào)是噪聲。滿足振蕩相位條件的頻率噪聲分量以增
大的幅度在回路中傳輸,增大的速率由附加分量,即小信號(hào),回路益增和晶體網(wǎng)絡(luò)
的帶寬決定。
?? 幅度繼續(xù)增大,直到放大器增益因有源器件(自限幅)的非線性而減小或者由于某
一自動(dòng)電平控制而被減小。
?? 在穩(wěn)定狀態(tài)下,閉合回路的增益為1。
石英晶體振蕩器簡介
石英諧振器簡稱為晶振,它是利用具有壓電效應(yīng)的石英晶體片制成的。這種石英晶體薄片受到外加交變電場的作用時(shí)會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng),當(dāng)交
變電場的頻率與田英晶體的固有頻率相同時(shí),振動(dòng)便變得很強(qiáng)烈,這就是晶體諧振特性的反應(yīng)。利用這種特性,就可以用石英諧振器取代LC(線
圈和電容)諧振回路、濾波器等。由于石英諧振器具有體積小、重量輕、可靠性高、頻率穩(wěn)定度高等優(yōu)點(diǎn),被應(yīng)用于家用電器和通信設(shè)備中。
石英諧振器按引出電極情況來分有雙電極型、三電極型和雙對(duì)電極型幾種。圖l為雙電極型石英諧振器的外形,盡管它們的體積有大有小、固有振蕩頻率有高有低,但在電路圖中均用圖1(b)符號(hào)表示。三電極型和雙對(duì)電極型石英諧振器的符號(hào)見圖。2。
石英諧振器因具有極高的頻率穩(wěn)定性,故主要用在要求頻率十分穩(wěn)定的振蕩電路中作諧振元件,如彩電的色副載波振蕩器、電子鐘表的時(shí)基振蕩器及游戲機(jī)中的時(shí)鐘脈沖振蕩器等,石英晶體成本較高,故在要求不太高的電路中一般采用陶瓷諧振元件。
電路特點(diǎn):頻率穩(wěn)定度高,可達(dá)10-6-10-11量級(jí)。
一、石英晶體的基本特性及其等效電路
1.壓電效應(yīng)
石英晶體諧振器如圖所示。它是在晶片的兩個(gè)對(duì)面上噴涂一對(duì)金屬極板,引出兩個(gè)電極,加以封裝所構(gòu)成。
壓電效應(yīng):晶片在電壓產(chǎn)生的機(jī)械壓力下,其表面電荷的極性隨機(jī)械拉力而改變的一種現(xiàn)象。如圖1(a)所示。
壓電諧振:外加交變電壓的頻率等于晶體固有頻率時(shí),回路發(fā)生串聯(lián)諧振,電流振幅最大的一種現(xiàn)象。產(chǎn)生壓電諧振時(shí)的振蕩頻率稱晶體諧振器的振蕩頻率。圖1(b)所示。
2.符號(hào)和等效電路
符號(hào)如圖2(a)所示。當(dāng)晶體不振動(dòng)時(shí),可用靜態(tài)電容CO來等效,一般約為幾個(gè)皮法到幾十皮法;當(dāng)晶體振動(dòng)時(shí),機(jī)械振動(dòng)的慣性可用電感L來等效,一般為10-3-10-2H;晶片的彈性可用電容C來等效,一般為10-2-10-1?pF;晶片振動(dòng)時(shí)的損耗用R來等效,阻值約為102歐姆。由可知,品質(zhì)因數(shù)Q很大,可達(dá)104-106。加之晶體的固有頻率只與晶片的幾何尺寸有關(guān),其精度高而穩(wěn)定。所以,采用石英晶體諧振器組成振蕩電路,可獲得很高的頻率穩(wěn)定度。等效電路如圖2(b)所示,它有兩個(gè)諧振頻率。
(1)當(dāng)L、C、R支路串聯(lián)諧振時(shí),等效電路的阻抗最小,串聯(lián)諧振頻率為
由于C< 圖2(c)為石英晶體諧振器的電抗-頻率特性,在fs和fp之間為感性,在此區(qū)域之外為容性。 二、石英晶體振蕩電路 2.串聯(lián)型晶體振蕩電路 如圖4所示。晶體與電阻R串聯(lián)構(gòu)成正反饋電路。當(dāng)振蕩頻率等于晶體的固有頻率fs時(shí),晶體阻抗最小,且為純電阻,電路滿足自激振蕩條件而振蕩,其振蕩頻率為f0=fs。否則不能振蕩。調(diào)節(jié)電阻R可獲得良好的正弦波輸出。 1、頻率準(zhǔn)確度:在規(guī)定條件下,晶振輸出頻率相對(duì)于標(biāo)稱頻率的允許偏離值。常用其相對(duì)值表示。 2、頻率穩(wěn)定度: 1時(shí)域表征 ⑴ 在規(guī)定條件下,晶振內(nèi)部元件由于老化而引起的輸出頻率隨時(shí)間的漂移。通常用某一時(shí)間間隔內(nèi)的老化頻差的相對(duì)值來量度(如日、月或年老化率等)。 ⑵ 日穩(wěn)定度(或稱日波動(dòng)):指晶振的輸出頻率在24小時(shí)內(nèi)的變化情況。通常用其最大變化的相對(duì)值來表示。 2頻域表征 ⑴ 單邊相位噪聲功率譜密度,晶振輸出信號(hào)的頻譜中,用偏離載頻f Hz處每Hz帶寬內(nèi)單邊相位噪聲功率與信號(hào)功率之比的分貝(dB)量,可寫作£(f)單位為dB/Hz。 ⑵ 頻譜純度:是量度晶振內(nèi)部噪聲及雜散譜的尺度。通常用單邊噪聲功率譜密度來表示。 3、輸出波形:有正弦波和方波兩種。 4、輸出幅度:在接入額定負(fù)載的規(guī)定條件下,晶振輸出的均方根值電壓。 5、頻率溫度特性:當(dāng)環(huán)境溫度在規(guī)定范圍內(nèi)按預(yù)定方式變化時(shí),晶振的輸出頻率產(chǎn)生的相對(duì)變化特性 6、壓控線性度:指壓控晶振輸出頻率與壓控電壓曲線偏離線性的程度。 應(yīng)用指南 根據(jù)晶振的不同使用要求及特點(diǎn),通常分為以下幾類:普通晶振、溫補(bǔ)晶振、壓控晶振、溫控晶振等。安裝晶振時(shí),應(yīng)根據(jù)其引腳功能標(biāo)識(shí)與應(yīng)用電路應(yīng)連接,避免電源引線與輸出引腳相接輸出。 在測試和使用時(shí)所供直流電源應(yīng)沒有足以影響其準(zhǔn)確度的紋波含量,交流電壓應(yīng)無瞬變過程。測試儀器應(yīng)有足夠的精度,連線合理布置,將測試及外圍電路對(duì)晶振指標(biāo)的影響降至最低。 1、普通晶振(PXO):是一種沒有采取溫度補(bǔ)償措施的晶體振蕩器,在整個(gè)溫度范圍內(nèi),晶振的頻率穩(wěn)定度取決于其內(nèi)部所用晶體的性能,頻率穩(wěn)定度在10-5量級(jí),一般用于普通場所作為本振源或中間信號(hào),是晶振中最廉價(jià)的產(chǎn)品。 2、溫補(bǔ)晶振(TCXO):是在晶振內(nèi)部采取了對(duì)晶體頻率溫度特性進(jìn)行補(bǔ)償,以達(dá)到在寬溫溫度范圍內(nèi)滿足穩(wěn)定度要求的晶體振蕩器。一般模擬式溫補(bǔ)晶振采用熱敏補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)。補(bǔ)償后頻率穩(wěn)定度在10-7~10-6量級(jí),由于其良好的開機(jī)特性、優(yōu)越的性能價(jià)格比及功耗低、體積小、環(huán)境適應(yīng)性較強(qiáng)等多方面優(yōu)點(diǎn),因而獲行了廣泛應(yīng)用。 3、 壓控晶振(VCXO):是一種可通過調(diào)整外加電壓使晶振輸出頻率隨之改變的晶體振蕩器,主要用于鎖相環(huán)路或頻率微調(diào)。壓控晶振的頻率控制范圍及線性度主要取決于電路所用變?nèi)?a target="_blank">二極管及晶體參數(shù)兩者的組合 4、 恒溫晶振(OCXO):采用精密控溫,使電路元件及晶體工作在晶體的零溫度系數(shù)點(diǎn)的溫度上。中精度產(chǎn)品頻率穩(wěn)定度為10-7~10-8,高精度產(chǎn)品頻率穩(wěn)定度在10-9量級(jí)以上。主要用作頻率源或標(biāo)準(zhǔn)信號(hào) 相關(guān)術(shù)語解釋
非常好我支持^.^
(36) 97.3%
不好我反對(duì)
(1) 2.7%
相關(guān)閱讀:
- [電子說] 全志R128應(yīng)用開發(fā)案例—獲取真隨機(jī)數(shù) 2023-10-24
- [電子說] 用VHDL語言創(chuàng)建一個(gè)8位算術(shù)邏輯單元(ALU) 2023-10-24
- [控制/MCU] 單片機(jī)學(xué)習(xí)筆記 2023-10-24
- [制造/封裝] Transphorm 最新技術(shù)白皮書: 常閉耗盡型 (D-Mode)與增強(qiáng)型 (E-Mode) 氮化鎵晶體管的 2023-10-24
- [電子說] 運(yùn)算放大器反相輸入端電壓高于同相輸入端會(huì)怎樣?輸出是什么樣子? 2023-10-24
- [制造/封裝] 什么是引線鍵合?引線鍵合的演變 2023-10-24
- [電子說] 陶瓷晶體諧振器在現(xiàn)代科技中的重要性 2023-10-24
- [電子說] TR-PP-11B手持式軍用電臺(tái)拆解 2023-10-24
( 發(fā)表人:admin )