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　　今天我們來介紹一款逆變器(見圖1)主要由MOS場效應(yīng)管，普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS場效應(yīng)管和電源變壓器的功率，免除了煩瑣的變壓器繞制，適合電子愛好者業(yè)余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過程。

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　　電路圖(1)

　　工作原理：

　　這里我們將詳細(xì)介紹這個(gè)逆變器的工作原理。

　　一、方波的產(chǎn)生

　　這里采用CD4069構(gòu)成方波信號發(fā)生器。電路中R1是補(bǔ)償電阻，用于改善由于電源電壓的變化而引起的震蕩頻率不穩(wěn)。電路的震蕩是通過電容C1充放電完成的。其振蕩頻率為f=1/2.2RC。圖示電路的最大頻率為：fmax=1/2.2x103x2.2x10—6=62.6Hz，最小頻率為fmin=1/2.2x4.3x103x2.2x10—6=48.0Hz。由于元件的誤差，實(shí)際值會略有差異。其它多余的發(fā)相器，輸入端接地避免影響其它電路。

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　　圖2

　　二、 場效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)電路。

　　由于方波信號發(fā)生器輸出的振蕩信號電壓最大振幅為0~5V，為充分驅(qū)動(dòng)電源開關(guān)電路，這里用TR1、TR2將振蕩信號電壓放大至0~12V。如圖3所示。

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　　圖3

　　三、 場效應(yīng)管電源開關(guān)電路。

　　場效應(yīng)管是該裝置的核心，在介紹該部分工作原理之前，先簡單解釋一下MOS場效應(yīng)管的工作原理。

　　MOS場效應(yīng)管也被稱為MOS FET，即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)的縮寫。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。本文使用的是增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)見圖4。它可分為NPN型和PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型通常稱P溝道型。由圖可看出，對于N溝道型的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣對于P溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。我們知道一般三極管是由輸入的電流控制輸出的電流。但對于場效應(yīng)管，其輸出電流是由輸入的電壓(或稱場電壓)控制，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時(shí)這也是我們稱之為場效應(yīng)管的原因。

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　　圖4

　　為解釋MOS場效應(yīng)管的工作原理，我們先了解一下僅含一個(gè)P—N結(jié)的二極管的工作過程。如圖5所示，我們知道在二極管加上正向電壓(P端接正極，N端接負(fù)極)時(shí)，二極管導(dǎo)通，其PN結(jié)有電流通過。這是因在P型半導(dǎo)體端為正電壓時(shí)，N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端，而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運(yùn)動(dòng)，從而形成導(dǎo)通電流。同理，當(dāng)二極管加上反向電壓(P端接負(fù)極，N端接正極時(shí)，這時(shí)在P型半導(dǎo)體端為負(fù)電壓，正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端，負(fù)電子則聚集在N型半導(dǎo)體端，電子不移動(dòng)，其PN結(jié)沒有電流流過，二極管截止。

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　　圖 5

　　對于場效應(yīng)管(圖6)，在柵極沒有電壓時(shí)，有前面的分析可知，在源極與漏極之間不會有電流流過，此時(shí)場效應(yīng)管處于截止?fàn)顟B(tài)(圖6a)。當(dāng)有一個(gè)正電壓加在N溝道的MOS場效應(yīng)管柵極上時(shí)，由于電場的作用，此時(shí)N型半導(dǎo)體的源極和漏極的負(fù)電子被吸引出來而涌向柵極，但由于氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個(gè)N溝道之間的P型半導(dǎo)體中(見圖6b)，從而形成電流，使源極和漏極之間導(dǎo)通。我們也可以想象為兩個(gè)N型半導(dǎo)體之間為一條溝，柵極電壓的建立相當(dāng)于為他們之間搭了一座橋梁，該橋梁的大小由柵壓決定。圖8給出了P溝道場效應(yīng)管的工作過程，其工作原理類似這里就不再重復(fù)。

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　　圖 6