TLV3501管腳/引腳配置:
SO—8:腳1:NC
腳2:反相輸入端
腳3:同向輸入端
腳4:負(fù)電源輸入端
腳5:NC
腳6:輸出端
腳7:正電源輸入端
腳8:關(guān)斷信號控制端
對于SOT23-6封裝由上圖可以看出引腳1是由定向的包裝標(biāo)記。 SO-8比SOT23-6封裝多了兩個NC引腳,NC引腳為空腳,沒有內(nèi)部的電路連接。
TLV3501應(yīng)用電路:
TLV3501和TLV3502均配備高速響應(yīng),包括內(nèi)部的滯后,以提高抗噪性能與擴(kuò)展0.2V超出電源軌的輸入共模范圍為6mV。
關(guān)斷
一個停機(jī)引腳允許器件進(jìn)入空閑狀態(tài)時,它是不使用。當(dāng)關(guān)斷引腳為高電平時,芯片的電流大約為2μA,輸出變?yōu)楦咦杩?。?dāng)關(guān)斷引腳為低電平時,TLV3501是有效的。當(dāng)不使用TLV3501關(guān)機(jī)功能,只需連接關(guān)斷引腳到最負(fù)電源,如圖1。大約需要100ns的走出來的關(guān)斷模式。該TLV3502不具備關(guān)斷功能。
TLV3501應(yīng)用電路圖
工作電壓
TLV3501比較器用于指定從+2.7V至+5.5 V單電源(或±1.35V雙電源至±2.75V)在-40°C至+125°C的溫度范圍內(nèi)時芯片運(yùn)行低于這個范圍時不是特定的性能。
增加外部遲滯
該TLV350x擁有強(qiáng)勁的性能與良好的布局使用性。然而,比較器輸入具有指定的偏移電壓(±5mV的)范圍內(nèi)的小抗干擾能力。對于緩慢移動的或有噪聲的輸入信號時,比較器輸出可以顯示多個開關(guān)作為輸入信號移動的開關(guān)閾值。在這種應(yīng)用中,TLV350x的內(nèi)部遲滯的可能為6mV或更大。在更大的抗噪性需要的情況下,外部滯后可通過添連接少量的反饋到正輸入。圖2顯示了用于引入額外的滯后為25mV,共計31mV滯后5V單電源供電時的典型拓?fù)洹?倻笫怯上率?/p>
切換比較器的輸出所需要的轉(zhuǎn)變電壓的值,通過增大閾值區(qū)域,從而降低噪聲干擾。
過電壓保護(hù)
芯片的輸入會通過“靜電外釋”二極管,如果輸入電壓超過電源約300mV時將受到保護(hù)。瞬時電壓大于電源300mV是可以的,可以通過串聯(lián)一個小的電阻到芯片,將輸入電流限制在10mA,如圖3。
TLV350x可以很容易地配置為簡單和廉價的弛張振蕩器。在圖4中,R2的網(wǎng)絡(luò)設(shè)置在三分之一到三分之二的跳閘閾值。因為這是一個高頻電路,電阻器的值是相當(dāng)?shù)停宰钚』?a href="http://m.hljzzgx.com/tags/電容/" target="_blank">電容的影響。三分之一的V +的三分之二之間的正輸入端候補(bǔ)取決于輸出是否低或高。充電時間(或放電)是0.69R1C。因此,該期間是1.38R1C。為62pF和圖4中所示1kΩas,輸出被計算為10.9MHz。這種電路的一個實施振蕩在9.6MHz。寄生電容和元件容差講解理論與實際性能之間的差異
PCB布局
對于任何高速比較器或放大器,正確的設(shè)計和印刷電路板(PCB)布局可以讓芯片達(dá)到最佳性能。有源輸入如果增加多余電容或不正確的接地,會限制高速比較器的最大性能。從信號源到比較器的輸入電阻最小化是必要的,以便最大限度地減少整個電路的傳播延遲。隨著輸入電容的源電阻產(chǎn)生的RC濾波器,延遲電壓變化在輸入,并降低了高頻信號的振幅該TLV350x隨著從輸入引腳的電容至地的結(jié)果在幾個電容皮法。
用于電源旁路電容的位置和類型是高速比較器的關(guān)鍵。建議的2.2μF鉭電容器不需要像靠近器件為0.1μF的電容,并且可以與其他設(shè)備共享。該2.2μF電容緩沖對紋波電源線和0.1μF的電容提供高頻時轉(zhuǎn)換為比較器的開關(guān)。 在高頻電路中,對于直流在相同的電位快速的上升和下降電壓差可以看做一個瞬態(tài)開關(guān),為了減少這種影響,一個接地平面通常被用來減小電路板內(nèi)的電壓電位差。一個接地平面具有降低對電路板寄生電容的影響的優(yōu)點,通過提供一種更可取的路徑的電流流過。有超過一個接地平面上的信號跡線,在高頻率的返回電流(在接地平面)的傾向右下的信號路徑流動。接地平面(如簡單的通孔引線和通孔)增加平面的電感,使得在較高頻率上它不那么有效。在地平面上進(jìn)行必要的休息過孔應(yīng)隨機(jī)分布。
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