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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>GaN Systems 第四代氮化鎵平臺(tái)概述

GaN Systems 第四代氮化鎵平臺(tái)概述

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——瀾起科技發(fā)布全新第四代津逮?CPU 上海,2023年1月12日——業(yè)界領(lǐng)先的數(shù)據(jù)處理和互連芯片設(shè)計(jì)公司瀾起科技于今日發(fā)布其全新第四代津逮 ? CPU,旨在以卓越性能為云計(jì)算、企業(yè)應(yīng)用、人工智能
2023-01-12 10:09:251417

5G無線:從Sub-6 GHz到毫米波市場(chǎng)機(jī)遇與技術(shù)挑戰(zhàn)

個(gè)單獨(dú)元件組成的組件相比,可以更容易地對(duì)電路板進(jìn)行返工。第4氮化優(yōu)勢(shì)就半導(dǎo)體層面而言,第四代硅基氮化(Gen4GaN)已經(jīng)作為L(zhǎng)DMOS的明確替代者來服務(wù)于針對(duì)5G部署的下一基站,尤其對(duì)于
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5G無線:市場(chǎng)機(jī)遇與技術(shù)挑戰(zhàn)—從Sub-6 GHz到毫米波

的組件相比,可以更容易地對(duì)電路板進(jìn)行返工。第4氮化優(yōu)勢(shì)就半導(dǎo)體層面而言,第四代硅基氮化(Gen4 GaN)已經(jīng)作為L(zhǎng)DMOS的明確替代者來服務(wù)于針對(duì)5G部署的下一基站,尤其對(duì)于3.5 GHz
2017-06-06 18:03:10

8英寸!第四代半導(dǎo)體再突破,我國(guó)氧化研究取得系列進(jìn)展,產(chǎn)業(yè)化再進(jìn)一步

氧化是一種新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料,是被國(guó)際普遍關(guān)注并認(rèn)可已開啟產(chǎn)業(yè)化的第四代半導(dǎo)體材料。與碳化硅、氮化等第三半導(dǎo)體相比,氧化的禁帶寬度遠(yuǎn)高于后兩者,其禁帶寬度達(dá)到4.9eV,高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59

GaN功率半導(dǎo)體(氮化)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)介紹

GaN功率半導(dǎo)體(氮化)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46

氮化(GaN)功率集成電路集成和應(yīng)用

氮化(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19

氮化: 歷史與未來

(86) ,因此在正常體溫下,它會(huì)在人的手中融化。 又過了65年,氮化首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年,制造氮化單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物,氮化的熔點(diǎn)超過1600℃,比硅高
2023-06-15 15:50:54

氮化GaN 來到我們身邊竟如此的快

被譽(yù)為第三半導(dǎo)體材料的氮化GaN。早期的氮化材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域,隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求,氮化產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中,尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來,以下是采用了氮化的快
2020-03-18 22:34:23

氮化GaN技術(shù)促進(jìn)電源管理的發(fā)展

的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年,電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源,而2005年這一比例僅為30%1。這相當(dāng)于30億千瓦時(shí)以上
2020-11-03 08:59:19

氮化GaN技術(shù)助力電源管理革新

能源并占用更小空間,所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年,電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源,而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25

氮化GaN接替硅支持高能效高頻電源設(shè)計(jì)方案

在所有電力電子應(yīng)用中,功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一,這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限,設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化GaN)來提供方案。
2020-10-28 06:01:23

氮化一瓦已經(jīng)不足一元,并且順豐包郵?聯(lián)想發(fā)動(dòng)氮化價(jià)格戰(zhàn)伊始。

氮化充電器從最開始量產(chǎn)至今,已過去了年多,售價(jià)也從原本數(shù)百元天價(jià)到逐漸走向親民,近日發(fā)現(xiàn),聯(lián)想悄然地發(fā)動(dòng)氮化快充價(jià)格戰(zhàn),65W 雙口氮化快充直接將價(jià)格拉低至 59.9 元,一瓦已經(jīng)不足一元
2022-06-14 11:11:16

氮化充電器

是什么氮化GaN)是氮和化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料,具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),應(yīng)用在充電器方面,主要是集成氮化MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58

氮化功率半導(dǎo)體技術(shù)解析

氮化功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26

氮化發(fā)展評(píng)估

晶體管如今已與碳化硅基氮化具有同樣的電源效率和熱特性。MACOM 的第四代硅基氮化 (Gen4 GaN) 代表了這種趨勢(shì),針對(duì) 2.45GHz 至 2.7GHz 的連續(xù)波運(yùn)行可提供超過 70
2017-08-15 17:47:34

氮化技術(shù)推動(dòng)電源管理不斷革新

的數(shù)十億次的查詢,便可以獲得數(shù)十億千瓦時(shí)的能耗。 更有效地管理能源并占用更小空間,所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年
2019-03-14 06:45:11

氮化能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)?

GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)?氮化能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)?
2021-06-17 10:56:45

氮化芯片未來會(huì)取代硅芯片嗎?

。 與硅芯片相比: 1、氮化芯片的功率損耗是硅基芯片的分之一 2、尺寸為硅芯片的分之一 3、重量是硅基芯片的分之一 4、并且比硅基解決方案更便宜 然而,雖然 GaN 似乎是一個(gè)更好的選擇,但它
2023-08-21 17:06:18

第四代CSR8670開發(fā)板開發(fā)步驟Rev1.2

第四代CSR8670開發(fā)板開發(fā)步驟Rev1.2
2017-09-30 09:06:52

第四代北斗芯片發(fā)布

在4月26日召開的第十三屆中國(guó)衛(wèi)星導(dǎo)航年會(huì)(CSNC2022)上,深圳華大北斗科技股份有限公司研發(fā)的第四代北斗芯片正式發(fā)布。 這是一款擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的國(guó)產(chǎn)基帶和射頻一體化SoC芯片,作為
2023-09-21 09:52:00

第四代移動(dòng)通信將加速晶振的再次變革

能用還是未知數(shù)。那么,4G網(wǎng)絡(luò)來襲,晶振的再次變革還會(huì)遠(yuǎn)嗎?為此,松季電子提到4G網(wǎng)絡(luò)的到來,電子產(chǎn)品行業(yè)的再一次革新將就此展開,晶振行業(yè)也將迎來新的發(fā)展?! ?G是第四代移動(dòng)通信及其技術(shù)的簡(jiǎn)稱。與傳統(tǒng)
2013-11-15 15:56:24

第四代移動(dòng)通信系統(tǒng)有哪些關(guān)鍵技術(shù)?

第四代移動(dòng)通信技術(shù)是什么?有什么主要特點(diǎn)?第四代移動(dòng)通信系統(tǒng)有哪些關(guān)鍵技術(shù)?
2021-05-26 07:07:28

CGHV96100F2氮化GaN)高電子遷移率晶體管

`Cree的CGHV96100F2是氮化GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內(nèi)部匹配(IM)FET與其他技術(shù)相比,具有出色的功率附加效率。 氮化與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15

CMPA801B025F氮化GaN)高電子遷移率 基于晶體管

Cree的CMPA801B025是氮化GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化與硅或砷化相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10

Flashtec NVMe 3108 PCIe第四代NVMe固態(tài)硬盤控制器怎么樣?

)新推出的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤外形尺寸(EDSFF) E1.S等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),采用體積更小、且支持第四代PCIe的非易失性存儲(chǔ)器高速(NVMe)固態(tài)硬盤?! ∵@些固態(tài)硬盤要求控制器具備體積小和低功耗的特點(diǎn)
2020-11-23 06:10:45

IFWS 2018:氮化功率電子器件技術(shù)分會(huì)在深圳召開

功率氮化電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì),并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容,在新一高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35

LT86102SXE/Lontium第四代2端口HDMI / DVI分配器

1.說明LT86102SXE是Lontium的第四代2端口HDMI / DVI分配器,可以將一個(gè)HDMI / DVI信號(hào)轉(zhuǎn)發(fā)到2個(gè)HDMI / DVI信號(hào)集,最多支持2個(gè)不同的HDMI / DVI
2022-03-05 11:59:06

MACOM:GaN在無線基站中的應(yīng)用

。盡管以前氮化與LDMOS相比價(jià)格過高,但是MACOM公司的最新的第四代硅基氮化技術(shù)(MACOM GaN)使得二者成本結(jié)構(gòu)趨于相當(dāng)?;?b class="flag-6" style="color: red">氮化的MAGb功率晶體管在2.6GHz頻段可提供高于70
2017-08-30 10:51:37

MACOM:硅基氮化器件成本優(yōu)勢(shì)

,尤其是2010年以后,MACOM開始通過頻繁收購(gòu)來擴(kuò)充產(chǎn)品線與進(jìn)入新市場(chǎng),如今的MACOM擁有包括氮化GaN)、硅鍺(SiGe)、磷化銦(InP)、CMOS、砷化等技術(shù),共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41

MACOM:適用于5G的半導(dǎo)體材料硅基氮化GaN

負(fù)有盛名。MACOM公司氮化產(chǎn)品已經(jīng)是第四代,且極具價(jià)格優(yōu)勢(shì)和廣闊的應(yīng)用前景。2017 電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)展臺(tái)現(xiàn)場(chǎng)Demo關(guān)于MACOM據(jù)悉,MACOM是一家高性能模擬射頻、微波和光學(xué)半導(dǎo)體產(chǎn)品領(lǐng)域
2017-07-18 16:38:20

MIMO-OFDM系統(tǒng)為什么能成為第四代移動(dòng)通信領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)和重點(diǎn)?

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2021-05-27 06:39:06

MIMO和OFDM的結(jié)合應(yīng)用,將成為第四代移動(dòng)通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵技術(shù)

。二者的有效結(jié)合可以克服多徑效應(yīng)和頻率選擇性衰落帶來的不良影響,實(shí)現(xiàn)信號(hào)傳輸?shù)母叨瓤煽啃?,還可以增加系統(tǒng)容量,提高頻譜利用率,是第四代移動(dòng)通信的熱點(diǎn)技術(shù)。
2019-06-18 07:12:10

為什么氮化(GaN)很重要?

氮化(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比,不僅性能優(yōu)異,應(yīng)用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中,傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面,已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44

為什么氮化比硅更好?

氮化(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量,氮化的禁帶寬度為 3.4ev,是硅的 3 倍多,所以說氮化擁有寬禁帶特性(WBG)。 硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16

什么是氮化功率芯片?

氮化(GaN)功率芯片,將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化芯片上,能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化功率芯片,能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56

什么是氮化技術(shù)

兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計(jì),帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起,我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22

什么是氮化GaN)?

氮化,由(原子序數(shù) 31)和氮(原子序數(shù) 7)結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16

什么是氮化GaN)?

、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位?!喝c(diǎn)半說』經(jīng)多方專家指點(diǎn)查證,特推出“氮化系列”,告訴大家什么是氮化GaN)?
2019-07-31 06:53:03

什么阻礙氮化器件的發(fā)展

=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化技術(shù)是5G的絕配,基站功放使用氮化。氮化GaN)、砷化(GaAs)和磷化銦(InP)是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化(GaN)

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化(GaN)伴隨著第三半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11

光隔離探頭應(yīng)用場(chǎng)景之—— 助力氮化GaN)原廠FAE解決客戶問題

客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案,或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計(jì)問題,盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域,但是大部分時(shí)候是應(yīng)用層面的問題,和芯片沒有關(guān)系。這種情況對(duì)新興的第三半導(dǎo)體氮化
2023-02-01 14:52:03

如何學(xué)習(xí)氮化電源設(shè)計(jì)從入門到精通?

和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評(píng)估和分析。第一步:元器件選型對(duì)于工程師來說,GaN元器件相較于傳統(tǒng)的MOSFET而言有很多不同和優(yōu)勢(shì),但在設(shè)計(jì)上也帶來一定挑戰(zhàn)。課程從硅、砷化、碳化硅、氮化
2020-11-18 06:30:50

如何用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化性能

導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能,并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而,當(dāng)
2022-11-16 06:23:29

如何設(shè)計(jì)GaN氮化 PD充電器產(chǎn)品?

如何設(shè)計(jì)GaN氮化 PD充電器產(chǎn)品?
2021-06-15 06:30:55

想要實(shí)現(xiàn)高效氮化設(shè)計(jì)有哪些步驟?

PCB布局設(shè)計(jì)的最佳工程實(shí)踐。介紹了以下種電路配置的布局指南:  用于單GaN E-HEMT的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器電路  用于并聯(lián)氮化E-HEMT的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器電路  半橋自舉柵極驅(qū)動(dòng)器電路
2023-02-21 16:30:09

新應(yīng)用 | DPO70000橫掃第四代串行測(cè)試

  隨著企業(yè)計(jì)算從第三串行標(biāo)準(zhǔn)轉(zhuǎn)向第四代串行標(biāo)準(zhǔn),我們的客戶需要一臺(tái)高精度示波器,支持并可擴(kuò)展地進(jìn)行無縫轉(zhuǎn)換。DPO70000SX的最低型號(hào)為23或33GHz,其可擴(kuò)充的結(jié)構(gòu)提供了“升級(jí)空間“,在
2016-06-08 15:02:10

新應(yīng)用 | 橫掃第四代串行測(cè)試(之二)

接上篇橫掃第四代串行測(cè)試文章,隔得太久大家可能忘記前排文章的內(nèi)容了,這里就不重復(fù)敘述了,上篇直通車→橫掃第四代串行測(cè)試一 隨著各種重大行業(yè)規(guī)范不斷進(jìn)化,如PCIe,我們的測(cè)試測(cè)量工具也必須保持同步
2016-07-07 17:28:56

有關(guān)氮化半導(dǎo)體的常見錯(cuò)誤觀念

,以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。 誤解1:氮化技術(shù)很新且還沒有經(jīng)過驗(yàn)證 氮化器件是一種非常堅(jiān)硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體,于1990年初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47

本田第四代混合動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)的設(shè)計(jì)思想和工作原理是什么

本文通過對(duì)本田第四代混合動(dòng)力系統(tǒng)IMA的工作特性與主要零部件的分析研究,揭示了其基本的設(shè)計(jì)思想和工作原理,對(duì)于國(guó)內(nèi)輕度混聯(lián)混合動(dòng)力汽車的研發(fā)具有一定的借鑒作用。
2021-05-12 06:08:11

第三半導(dǎo)體材料氮化/GaN 未來發(fā)展及技術(shù)應(yīng)用

重要作用。下圖展示的是鍺化硅和氮化的毫米波5G基站MIMO天線方案,左側(cè)展示的是鍺化硅基MIMO天線,它有1024個(gè)元件,裸片面積是4096平方毫米,輻射功率是65dbm,與之形成鮮明對(duì)比的,是右側(cè)氮化
2019-04-13 22:28:48

請(qǐng)問氮化GaN是什么?

氮化GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56

誰發(fā)明了氮化功率芯片?

雖然低電壓氮化功率芯片的學(xué)術(shù)研究,始于 2009 年左右的香港科技大學(xué),但強(qiáng)大的高壓氮化功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn),則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08

重磅突發(fā)!又一家芯片公司被收購(gòu),價(jià)格57億

Systems的同仁們。GaN Systems的產(chǎn)品以650V和100V表貼氮化單管為主,根據(jù)筆者以前收集的資料,公司的氮化產(chǎn)品主要通過臺(tái)積電Fab2工。GaN Systems的產(chǎn)品以650V
2023-03-03 16:48:40

鑫天鴻第四代強(qiáng)制式干混砂漿罐---專為工人群體而設(shè)計(jì)

階段,可見未來5年工地對(duì)第四代強(qiáng)制式干混砂漿罐的需求會(huì)越來越大。 那么一款專業(yè)的工人專用空氣凈化施工產(chǎn)品應(yīng)當(dāng)是怎樣的標(biāo)準(zhǔn)呢? 第四代強(qiáng)制式干混砂漿罐的產(chǎn)品介紹: 攪拌機(jī)開機(jī)后,罐內(nèi)的砂漿通過手動(dòng)蝶閥或
2017-06-16 11:00:57

高壓氮化的未來是怎么樣的

就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開創(chuàng)性的氮化 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案,相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50

高集成度RF IC是什么?

ADI最新推出設(shè)計(jì)用于LTE(長(zhǎng)期演進(jìn))和第四代(4G)蜂窩基站的高集成度RF IC(射頻集成電路)系列。LTE是UMTS(通用移動(dòng)電信系統(tǒng))標(biāo)準(zhǔn)的增強(qiáng)版,它被視為邁向蜂窩網(wǎng)絡(luò)中第四代射頻技術(shù)的終極階段。
2019-09-30 07:18:19

第四代移動(dòng)通信系統(tǒng)

本文從基本概念、接入系統(tǒng)、關(guān)鍵技術(shù)等幾個(gè)方面全面介紹了第四代移動(dòng)通信系統(tǒng),并簡(jiǎn)單介紹了OFDM 技術(shù)在第四代移動(dòng)通信中的應(yīng)用。
2009-11-28 11:46:5942

iPod nano(第四代)功能指南手冊(cè)

iPod nano(第四代)功能指南手冊(cè)
2009-12-10 15:29:1259

Intel 第四代Xeon?可擴(kuò)展處理器

Intel 第四代Xeon?可擴(kuò)展處理器Intel第4Xeon? 可擴(kuò)展處理器設(shè)計(jì)旨在加速以下增長(zhǎng)最快工作負(fù)載領(lǐng)域的性能:人工智能 (AI)、數(shù)據(jù)分析、網(wǎng)絡(luò)、存儲(chǔ)器和高性能計(jì)算 (HPC) 。這些
2024-02-27 12:19:48

9294第四代智VCD維修解碼板使用說明

9294第四代智VCD維修解碼板使用說明 第四代智能VCD維修解碼板新增功能:1、增加目前市面上最流行的LED數(shù)碼屏
2009-04-28 15:39:251378

第四代TOPSwitch?GX系列單片開關(guān)電源

第四代TOPSwitch?GX系列單片開關(guān)電源 摘要:TOPSwitch?GX是美國(guó)PowerIntegratio
2009-07-08 11:12:031116

淺析第四代移動(dòng)通信

淺析第四代移動(dòng)通信     引言   移動(dòng)通信技術(shù)飛速發(fā)展,已經(jīng)歷了3個(gè)主要發(fā)展階段。每一代的發(fā)展都是技術(shù)的突破和觀念的創(chuàng)新。第一代起源于20世紀(jì)80年
2010-01-23 10:19:451099

蘋果第四代iPhone首張圖片曝光

蘋果第四代iPhone首張圖片曝光 在蘋果發(fā)布平板機(jī)iPad的前一天,一張iPad的照片出現(xiàn)在網(wǎng)上,由于大家的目光完全為iPad所吸引,因此沒有人注意到其
2010-02-08 09:28:26748

第四代iPhone細(xì)節(jié)曝光

第四代iPhone細(xì)節(jié)曝光   北京時(shí)間2月9日早間消息,美國(guó)數(shù)碼產(chǎn)品維修網(wǎng)站iResQ今天刊文,曝光了蘋果第四代iPhone的更多細(xì)節(jié)及圖片,第四代iPhone要比當(dāng)前的iPhone 3
2010-02-09 11:00:00746

第四代iPhone細(xì)節(jié)曝光

第四代iPhone細(xì)節(jié)曝光  
2010-02-22 10:25:18354

第四代蘋果iPhone再曝光

第四代蘋果iPhone再曝光 日前,在網(wǎng)絡(luò)上曝光了一組最新蘋果iPhone 4G的概念設(shè)計(jì),其首次出現(xiàn)的五種色彩款式盡管未必真實(shí),但還是著實(shí)讓人眼前一亮。
2010-03-04 09:37:22505

泰景發(fā)布第四代TLG1123模擬移動(dòng)電視接收芯片

  Telegent Systems(泰景信息科技)公司日前發(fā)布其第四代 TLG1123 模擬移動(dòng)電視接收芯片解決方案。與應(yīng)用廣泛的 TLG1120 相比
2010-12-30 08:57:57883

英特爾6月4日推出第四代酷睿處理器Haswell

4月27日,英特爾宣布將于6月3日(北京時(shí)間6月4日)正式推出第四代酷睿處理器Haswell。
2013-04-28 10:18:011992

Microchip發(fā)布第四代JukeBlox Wi-Fi平臺(tái),打造流音頻娛樂至尊體驗(yàn)

美國(guó)微芯科技公司宣布推出旗下第四代JukeBlox?平臺(tái),助力各大音頻品牌開發(fā)高品質(zhì)、低延時(shí)產(chǎn)品,例如單機(jī)或多房間無線音箱、AV接收器、小型和微型系統(tǒng)及條形音箱等。
2014-12-11 14:48:33947

第四代移動(dòng)通信技術(shù)研究

第四代移動(dòng)通信技術(shù)研究,很好的網(wǎng)絡(luò)資料,快來下載學(xué)習(xí)吧。
2016-04-19 11:30:480

#氮化 #英飛凌 8.3億美元!英飛凌完成收購(gòu)氮化系統(tǒng)公司 (GaN Systems)

半導(dǎo)體氮化
深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-10-25 16:11:22

LeCroy第四代示波器:世界工程的影響者(下)

報(bào)告由LeCroy公司技術(shù)支持張昌駿先生發(fā)表了名為“第四代示波器的創(chuàng)新、卓越與價(jià)值”的演講。LeCroy公司是全球唯一一家專業(yè)專注于數(shù)字示波器的廠商。此次張昌駿先生以其嫻熟的業(yè)務(wù)知識(shí)與經(jīng)驗(yàn),介紹了由LeCroy公司創(chuàng)新的領(lǐng)先世界的第四代示波器,為世界的工程發(fā)展產(chǎn)生了不可磨滅的影響。
2018-06-22 16:10:003684

LeCroy第四代示波器:世界工程的影響者(中)

報(bào)告由LeCroy公司技術(shù)支持張昌駿先生發(fā)表了名為“第四代示波器的創(chuàng)新、卓越與價(jià)值”的演講。LeCroy公司是全球唯一一家專業(yè)專注于數(shù)字示波器的廠商。此次張昌駿先生以其嫻熟的業(yè)務(wù)知識(shí)與經(jīng)驗(yàn),介紹了由LeCroy公司創(chuàng)新的領(lǐng)先世界的第四代示波器,為世界的工程發(fā)展產(chǎn)生了不可磨滅的影響。
2018-06-22 16:30:003698

LeCroy第四代示波器:世界工程的影響者(上)

報(bào)告由LeCroy公司技術(shù)支持張昌駿先生發(fā)表了名為“第四代示波器的創(chuàng)新、卓越與價(jià)值”的演講。LeCroy公司是全球唯一一家專業(yè)專注于數(shù)字示波器的廠商。此次張昌駿先生以其嫻熟的業(yè)務(wù)知識(shí)與經(jīng)驗(yàn),介紹了由LeCroy公司創(chuàng)新的領(lǐng)先世界的第四代示波器,為世界的工程發(fā)展產(chǎn)生了不可磨滅的影響。  
2018-06-22 16:10:003701

北京現(xiàn)代第四代勝達(dá):關(guān)于座椅的“100種玩法”

這次,車云菌來到桂林試駕第四代勝達(dá),主要將目光聚焦在了它的大空間和智能科技上。
2019-03-31 09:12:384799

美光將推出最新的第四代3D NAND閃存

美光宣布,已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片,應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu),并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:32791

金山云第四代云服務(wù)器正式發(fā)布,性能提升23%

金山云宣布基于全新Intel Cascade Lake CPU、最新六通道DDR4內(nèi)存的第四代云服務(wù)器正式上線。
2020-03-19 13:44:592253

第四代惠普戰(zhàn)66銳龍版在京東、天貓開啟預(yù)約

2月22日消息,今天第四代惠普戰(zhàn)66銳龍版開啟預(yù)約,預(yù)約持續(xù)到2月28日,將于3月1日正式開賣,支持12期白條免息。
2021-02-23 10:13:513647

第四代惠普戰(zhàn)66銳龍版筆記本正式開售

第四代惠普戰(zhàn)66銳龍版筆記本今日正式開售,支持12期白條免息,曬單限量贈(zèng)原裝包鼠套裝。
2021-03-01 09:33:547515

廣汽豐田官宣第四代漢蘭達(dá)將在4月19日首發(fā)亮相

近日獲悉,廣汽豐田官宣,第四代漢蘭達(dá)將會(huì)在今年4月19日開幕的上海車展期間在國(guó)內(nèi)首發(fā)亮相。
2021-03-22 15:02:301651

AN65--第四代LCD背光技術(shù)

AN65--第四代LCD背光技術(shù)
2021-04-19 11:43:336

wifi技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)第四代第五代區(qū)別

wifi技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)第四代第四代移動(dòng)通信技術(shù)的意思,第五代就是第五代移動(dòng)通信技術(shù),那么這兩代之間有什么區(qū)別呢?
2022-01-01 16:43:0032505

德賽西威攜手高通打造第四代智能座艙系統(tǒng)

德賽西威與高通技術(shù)公司宣布,雙方將基于第4代驍龍座艙平臺(tái),共同打造德賽西威第四代智能座艙系統(tǒng)。
2022-01-05 14:25:233200

TP65H035G4QS氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管英文手冊(cè)

  TP65H035G4QS 650V,35MΩ氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一款使用Transphorm第四代平臺(tái)的常閉設(shè)備。它結(jié)合了最先進(jìn)的高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET提供卓越的可靠性和可靠性表演。
2022-03-31 15:05:5114

什么是第四代半導(dǎo)體?

第四代半導(dǎo)體我們其實(shí)叫超禁帶半導(dǎo)體,它分兩個(gè)方向,一是超窄禁帶,禁帶寬度(指被束縛的價(jià)電子產(chǎn)生本征激發(fā)所需要的最小能量)在零點(diǎn)幾電子伏特(eV),比超窄禁帶更窄的材料便稱為導(dǎo)體;
2022-08-22 11:10:3913783

第四代北斗芯片發(fā)布,推動(dòng)北斗規(guī)模應(yīng)用

在4月26日召開的第十三屆中國(guó)衛(wèi)星導(dǎo)航年會(huì)(CSNC2022)上,第四代北斗芯片正式發(fā)布。
2023-04-28 09:46:52473

蘋果第四代iPhone SE發(fā)布被推遲

現(xiàn)預(yù)計(jì)蘋果自研的5G調(diào)制解調(diào)器要等到2025年才能進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)。因此,第四代iPhone SE的發(fā)布時(shí)間也會(huì)相應(yīng)延后。第四代iPhone SE的計(jì)劃也隨之被推遲了。
2023-06-25 15:20:431192

納微第四代氮化鎵器件樹立大功率行業(yè)應(yīng)用內(nèi)新標(biāo)桿

納微半導(dǎo)體第四代高度集成氮化平臺(tái)在效率、密度及可靠性要求嚴(yán)苛的大功率行業(yè)應(yīng)用內(nèi)樹立新標(biāo)桿
2023-09-07 14:30:15839

GaN Systems 推出第四代氮化平臺(tái) 突破能源效率瓶頸 加速應(yīng)用版圖拓展

重點(diǎn)摘要 GaN Systems第四代氮化平臺(tái) (Gen 4 GaN Platform) 幫助全球客戶在能源效率及尺寸微縮上突破瓶頸。 以業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子 (figures of merit
2023-09-28 09:28:32253

高通公布第四代驍龍座艙平臺(tái)

在2024年的CES展會(huì)上,高通公司公布了其最新的第四代驍龍座艙平臺(tái)。這一新平臺(tái)旨在滿足汽車廠商對(duì)于打造獨(dú)特、差異化和品牌化體驗(yàn)的需求。
2024-01-11 14:27:41221

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