碳化硅功率器件，助力OBC提升功率密度降低重量，讓新能源汽車充電更快，續(xù)航更長
2022-09-23 18:31:40
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二十多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關(guān)注。與硅相比，碳化硅具有很多優(yōu)點(diǎn)，如：碳化硅的禁帶寬度更大，這使碳化硅器件擁有更低的漏電
2022-11-12 10:01:261315 本推文主要介碳化硅器件，想要入門碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習(xí)了解。
2023-11-27 17:48:06642 
科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子系統(tǒng)成本并提升能效
2012-05-10 09:27:161086 。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率?！ ‘a(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域?！ ?200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
電壓或高溫條件的器件非常有利。在高頻、高溫、高功率及惡劣環(huán)境下，仍具有更優(yōu)越的開關(guān)性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅二極管廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、功率因素校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏
2020-09-24 16:22:14
Mos管代替上圖中兩個串聯(lián)的MOS，三電平變換器簡化成傳統(tǒng)兩電平全橋變換器，如下圖。 同時(shí)，我們將開關(guān)頻率設(shè)定到160KHz，減小了磁性器件和整個變換器的體積?！ ?KW 碳化硅全橋LLC解決方案
2018-10-17 16:55:50
功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應(yīng)用和總結(jié)八個部分。
2023-09-05 06:13:28
本文重點(diǎn)介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能，特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊?！ 》至?b class="flag-6" style="color: red">器件（如 TO-247）是將碳化硅集成到各種應(yīng)用中的第一步，但對于更強(qiáng)大和更
2023-02-20 16:29:54
MOSFET之所以有如此的大吸引力，在于與它們具有比硅器件更出眾的可靠性，在持續(xù)使用內(nèi)部體二極管的連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）功率因數(shù)校正（PFC）設(shè)計(jì)，例如圖騰功率因數(shù)校正器的硬開關(guān)拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中，碳化硅
2023-03-14 14:05:02
，因此碳化硅功率器件有低的結(jié)到環(huán)境的熱阻。 (4)碳化硅器件可工作在高溫，碳化硅器件已有工作在600oC的報(bào)道，而硅器件的最大工作溫度僅為150oC. (5)碳化硅具有很高的抗輻照能力。 (6
2019-01-11 13:42:03
作用下的界面完整性；此項(xiàng)目標(biāo)準(zhǔn)對碳化硅功率模塊而言很苛刻，尤其是應(yīng)用于汽車的模塊。AC/PCT（高溫蒸煮測試） 高溫蒸煮測試是把被測對象放進(jìn)高溫高濕高氣壓的環(huán)境中，考驗(yàn)晶片鈍化層的優(yōu)良程度及樹脂材料
2023-02-28 16:59:26
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
充電器、電機(jī)和太陽能逆變器，不僅可以從這些新器件中受益匪淺，不僅在效率上，而且在尺寸上，可實(shí)現(xiàn)高功率、高溫操作。但是，不僅器件的特性讓人對新設(shè)計(jì)充滿好奇，也是意法半導(dǎo)體的戰(zhàn)略。碳化硅（SiC）技術(shù)是意
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進(jìn)行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
上。 不過，隨著碳化硅價(jià)格的下降、性能和可靠性的提高，其性能得到改善，可靠性得到了證明，在列表中的地位調(diào)高了，現(xiàn)在已被視為現(xiàn)有舊技術(shù)器件的替代品和新設(shè)計(jì)的起點(diǎn)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅的采用取決于應(yīng)用，所以
2023-02-27 14:28:47
反向恢復(fù)電流，其關(guān)斷過程很快，開關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強(qiáng)度較高，可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
和發(fā)電機(jī)繞組以及磁線圈中的高關(guān)斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成，具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造，外徑范圍為 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計(jì)，2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板；在引擎室中，由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求，現(xiàn)有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求，需要散熱性能更好碳化硅電路板，例如斯利通碳化硅基板；在高頻傳輸與無線雷達(dá)偵測
2020-12-16 11:31:13
在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實(shí)選擇。 在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實(shí)選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
。強(qiáng)氧化氣體在1000℃以上與SiC反應(yīng)，并分解SiC.水蒸氣能促使碳化硅氧化在有50%的水蒸氣的氣氛中，能促進(jìn)綠色碳化硅氧化從100℃開始，隨著溫度的提高，氧化程度愈為明顯，到1400℃時(shí)為最大
2019-07-04 04:20:22
打造了一個兼顧品質(zhì)與性價(jià)比的完美方案，除支持雙向充電之外，還有助于實(shí)現(xiàn)很高的系統(tǒng)集成度。這使得該器件非常適合諸多快速開關(guān)汽車應(yīng)用，如車載充電器（OBC）、功率因數(shù)校正（PFC）、DC-DC
2021-03-29 11:00:47
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備，如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
，熱導(dǎo)率是硅材料的3倍，電子飽和漂移速率是硅的2倍，臨界擊穿場強(qiáng)更是硅的10倍。材料特性對比如圖（1）所示?！ D（1） 4H型碳化硅與硅基材料特性對比 在硅基半導(dǎo)體器件性能已經(jīng)進(jìn)入瓶頸期時(shí)，碳化硅材料
2023-02-28 16:55:45
?！ ∠鄬?yīng)的，硅材料的禁帶寬度較低，在較低的溫度下硅器件本征載流子濃度較高，而高的漏電流會造成熱擊穿，這限制了器件在高溫環(huán)境和大功率耗散條件下工作?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅肖特基二極管與硅快速恢復(fù)二極管 耐壓
2023-02-28 16:34:16
的2倍，所以S使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件能在更高的頻率下工作。綜合以上優(yōu)點(diǎn)，在相同的功率等級下，設(shè)備中功率器件的數(shù)量、散熱器的體積、濾波元件體積都能大大減小，同時(shí)效率也有大幅度的提升。我國
2021-03-25 14:09:37
、車載電源、太陽能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。附上1200V同系列碳化硅MOSFET B1M160120HC B1M080120HC B1M080120HK B1M032120HC B1M018120HC 參數(shù)選型表：
2021-11-10 09:10:42
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
科技有限公司TGF2023-2-10對碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。最大功率附加效率為
2018-06-12 10:22:42
TGF2023-2-10對碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。功率附加效率為69.5%，這使
2018-11-15 11:59:01
校準(zhǔn) 對傳統(tǒng)的硅基分立器件（硅IGBT和硅MOSFET），通常是用柔性電流探頭（羅氏線圈）去測試集電極電流或漏極電流。但對于開關(guān)速度更快的碳化硅MOSFET，在實(shí)際測試過程中，由于柔性電流探頭測試
2023-02-27 16:14:19
用于電機(jī)驅(qū)動領(lǐng)域的優(yōu)勢，尋找出適合碳化硅功率器件的電機(jī)驅(qū)動場合，開發(fā)工程應(yīng)用技術(shù)?，F(xiàn)已有Sct3017AL在實(shí)驗(yàn)室初步用于無感控制驅(qū)動技術(shù)中，為了進(jìn)一步測試功率器件性能，為元器件選型和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證做調(diào)研
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
效率方面，相較于硅晶體管在單極(Unipolar)操作下無法支持高電壓，碳化硅即便是在高電壓條件下，一樣可以支持單極操作，因此其功率損失、轉(zhuǎn)換效率等指針性能的表現(xiàn)，也顯著優(yōu)于硅組件。目前大功率電力設(shè)備
2021-09-23 15:02:11
電機(jī)驅(qū)動。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電焊機(jī)、電力機(jī)車、遠(yuǎn)距離輸電、服務(wù)器、家電、電動汽車、充電樁等用途。創(chuàng)能動力于2015年在國內(nèi)開發(fā)出6英寸SiC制造技術(shù)，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
國產(chǎn)碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術(shù)：1 車載電源OBC與最新發(fā)展2 雙向OBC關(guān)鍵技術(shù)3 11kW全SiC雙向OBC電路4 OBC與車載DC/DC集成二合一5 車載DC/DC轉(zhuǎn)換電源電路比較6 充電樁電源電路
2022-06-20 16:31:07
的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT （硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二極管合封），使得IGBT的開關(guān)損耗大幅降低。這款混合碳化硅分立器件的性能介于超結(jié)MOSFET
2023-02-28 16:48:24
器件包括主開關(guān)MOSFET：C3M0065100K； 輸出碳化硅二極管：C5D50065D;單端反激Flyback輔助電源的MOSFET：C2M1000170D方案能廣泛應(yīng)用于新能源電動汽車充電、通信
2016-08-05 14:32:43
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
，導(dǎo)通電阻更低；碳化硅具有高電子飽和速度的特性，使器件可工作在更高的開關(guān)頻率；同時(shí)，碳化硅材料更高的熱導(dǎo)率也有助于提升系統(tǒng)的整體功率密度。碳化硅器件的高頻、高壓、耐高溫、開關(guān)速度快、損耗低等特性，使電力
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
）功率器件產(chǎn)業(yè)化的倡導(dǎo)者之一，國內(nèi)首家第三代半導(dǎo)體材料碳化硅器件制造與應(yīng)用解決方案提供商，在國內(nèi)碳化硅功率器件制造商中率先完成了質(zhì)量管理體系---汽車行業(yè)生產(chǎn)件與相關(guān)服務(wù)件的組織實(shí)施ISO9007的要求
2023-02-27 14:35:13
)和1200V 碳化硅隔離全橋DC/DC方案(下圖)因此碳化硅MOSFET在軟開關(guān)橋式高輸入電壓隔離DC/DC電路中優(yōu)勢明顯，簡化拓?fù)?，?shí)現(xiàn)高效和高功率密度。特別是它的超快體二極管特性使無論諧振LLC
2016-08-25 14:39:53
風(fēng)險(xiǎn)，配置合適的短路保護(hù)電路，可以有效減少開關(guān)器件在使用過程中因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比，碳化硅MOSFET短路耐受時(shí)間更短。 1）硅IGBT： 硅IGBT的承受退保和短路的時(shí)間一般小于
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
公司等為代表。四、碳化硅半導(dǎo)體應(yīng)用碳化硅半導(dǎo)體器件，其高頻、高效、高溫的特性特別適合對效率或溫度要求嚴(yán)苛的應(yīng)用。可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。原作者：大年君愛好電子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IGBT 的三相電機(jī)半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級，并能夠監(jiān)控和保護(hù)各種故障情況。圖1：電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強(qiáng)度柵極驅(qū)動器的優(yōu)勢特別是對于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動器IC
2022-11-02 12:02:05
碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義，基本半導(dǎo)體從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:405267 基本半導(dǎo)體是國內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè)，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業(yè)界熟知，并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動
2021-11-29 14:54:087839 
碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義，從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:191191 SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電動汽車、風(fēng)能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。 近年來，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前
2023-01-13 11:16:441230 
據(jù)柏松介紹，中國電子科技集團(tuán)2021年已經(jīng)量產(chǎn)車載充電器用的碳化硅功率器件，2022年第二代產(chǎn)品的裝車量超過100萬臺。
2023-02-15 13:48:45133 什么是第三代半導(dǎo)體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 我們拿慧制敏造碳化硅半導(dǎo)體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來我們來看一下碳化硅二極管的貼片封裝，常見的有有TO-263和TO-252封裝，隨著近些年電源對于功率密度要求不斷提高，碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:161795 
SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET，特別是 SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。
在眾多半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱
2023-03-03 14:18:564079 按照電學(xué)性能的不同，碳化硅材料制成的器件分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件，兩種類型碳化硅器件的終端應(yīng)用領(lǐng)域不同。導(dǎo)電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層后進(jìn)一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437 碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個方面。
2023-04-27 14:05:52635 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專業(yè)讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場，以及未來的發(fā)展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 11.6碳化硅和硅功率器件的性能比較第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：器件主控：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera
2022-04-24 11:34:51578 
7.1.3雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)7.1SiC功率開關(guān)器件簡介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.1.2單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)
2022-02-09 09:25:05378 7.1.2單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)7.1SiC功率開關(guān)器件簡介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.1.1阻斷電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長
2022-02-07 15:01:28396 8.1.6功率JFET器件的實(shí)現(xiàn)8.1結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.1.5增強(qiáng)型和耗盡型工作模式∈《碳化硅技術(shù)
2022-02-21 09:29:28537 碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有許多優(yōu)勢和廣泛的應(yīng)用前景。
2023-06-28 09:58:092319 
碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個方面
2023-07-30 15:50:14969 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。
2023-08-03 14:34:59347 
碳化硅(SiC)作為一個新興的寬帶隙半導(dǎo)體材料，已經(jīng)吸引了大量的研究關(guān)注。其優(yōu)越的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和高頻響應(yīng)使其在功率電子器件領(lǐng)域中具有巨大的應(yīng)用潛力。但要完全發(fā)揮SiC功率器件的潛力，封裝技術(shù)同樣至關(guān)重要。本文主要探討碳化硅功率器件封裝的三個關(guān)鍵技術(shù)。
2023-08-15 09:52:11701 
目前市場上出現(xiàn)的碳化硅半導(dǎo)體包括的類型相對較多，常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導(dǎo)體場效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場、效應(yīng)晶體管等等這些不同類型的碳化硅器件，單元結(jié)構(gòu)和漂移區(qū)參雜以及厚度之間存在較為明顯的差異。那么下文主要針對不同類型的碳化硅功率器件的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行分析。
2023-08-31 14:14:22286 ? 隨著新能源汽車的快速發(fā)展，碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用也越來越多。碳化硅功率器件相比傳統(tǒng)的硅功率器件具有更高的工作溫度、更高的能耗效率、更高的開關(guān)速度和更小的尺寸等優(yōu)點(diǎn)，因此在新能源
2023-09-05 09:04:421880 SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
碳化硅（SiC）MOS管作為一種新型功率器件，與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，在某些特定條件下具有獨(dú)特的優(yōu)勢，但也存在一定的不足。KeepTops告訴你碳化硅MOS管的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
2023-09-26 16:59:07475 
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。
2023-09-27 10:08:55300 
碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件，具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識。
2023-09-28 18:19:571220 碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體，用于制造電動汽車、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 
中游器件制造環(huán)節(jié)，不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設(shè)備進(jìn)行特殊開發(fā)，以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實(shí)現(xiàn)。
2023-10-27 12:45:361191 
碳化硅器件在UPS中的應(yīng)用研究
2023-11-29 16:39:00240 
隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優(yōu)點(diǎn)
2023-12-14 09:14:46241 隨著科技的快速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的原理、應(yīng)用、技術(shù)挑戰(zhàn)以及未來發(fā)展趨勢。
2023-12-16 10:29:20360 隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高導(dǎo)熱率和高電子飽和遷移率，使得碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域以及發(fā)展前景。
2023-12-21 09:43:38353 碳化硅功率器件的實(shí)用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有許多優(yōu)勢，主要體現(xiàn)在以下幾個方面：材料特性、功率密度、溫度特性和開關(guān)速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰(zhàn)
2023-12-21 11:27:09286 隨著科技的不斷進(jìn)步，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發(fā)展?jié)摿?，將在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢。本文將介紹未來碳化硅功率器件的優(yōu)勢
2024-01-06 14:15:03353 傳統(tǒng)的硅基功率器件在應(yīng)對這一挑戰(zhàn)時(shí)，其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅（SiC）功率器件的出現(xiàn)，為電力電子行業(yè)帶來了革新性的改變，成為了解決這一問題的關(guān)鍵所在。
2024-01-06 11:06:57130 碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境問題的日益突出，高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術(shù)成為了當(dāng)今研究的熱點(diǎn)。在這一領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其出色的物理性能和電學(xué)特性，正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基功率器件，引領(lǐng)著電力電子技術(shù)的發(fā)展方向。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的特點(diǎn)、優(yōu)勢、應(yīng)用以及面臨的挑戰(zhàn)和未來的發(fā)展趨勢。
2024-02-22 09:19:21170
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