我國(guó)車(chē)聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展現(xiàn)狀是怎樣的？未來(lái)的發(fā)展機(jī)遇有哪些？車(chē)聯(lián)網(wǎng)是近年來(lái)很熱的一個(gè)話(huà)題，雖然我國(guó)車(chē)聯(lián)網(wǎng)還處在探索發(fā)展期，但是很多人對(duì)車(chē)聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展充滿(mǎn)信心，認(rèn)為我國(guó)車(chē)聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)潛力大，將在未來(lái)幾年迎來(lái)黃金期
2018-01-23 16:17:31
來(lái)源 華西證券編輯：智東西內(nèi)參作者：吳吉森等隨著 5G、IoT 物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的來(lái)臨，以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)有望快速崛起。其中，Ga...
2021-08-31 06:32:26
半導(dǎo)體材料可分為單質(zhì)半導(dǎo)體及化合物半導(dǎo)體兩類(lèi)，前者如硅（Si）、鍺(Ge）等所形成的半導(dǎo)體，后者為砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物形成。半導(dǎo)體在過(guò)去主要經(jīng)歷了三代變化
2019-05-06 10:04:10
化合物半導(dǎo)體在通訊射頻領(lǐng)域主要用于功率放大器、射頻開(kāi)關(guān)、濾波器等器件中。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體分別作為第二代和第三代半導(dǎo)體的代表，相比第一代半導(dǎo)體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導(dǎo)體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
水平。2022年12月，銘鎵半導(dǎo)體完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破，成為國(guó)內(nèi)首個(gè)掌握第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料4英寸（001）相單晶襯底生長(zhǎng)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。2022年5月，浙大杭州科創(chuàng)中心首次采用新技術(shù)
2023-03-15 11:09:59
半導(dǎo)體材料
2012-04-18 16:45:16
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過(guò)點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開(kāi)始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對(duì)某些微量雜質(zhì)極敏感。純度很高的半導(dǎo)體材料稱(chēng)為本征半導(dǎo)體，常溫下其電阻率很高，是電的不良導(dǎo)體。在高純半導(dǎo)體材料中摻入適當(dāng)雜質(zhì)后，因?yàn)殡s質(zhì)原子提供導(dǎo)電載流子，使材料的電阻率大為
2013-01-28 14:58:38
好像***最近去英國(guó)還專(zhuān)程看了華為英國(guó)公司的石墨烯研究，搞得國(guó)內(nèi)好多石墨烯材料的股票大漲，連石墨烯內(nèi)褲都跟著炒作起來(lái)了~~小編也順應(yīng)潮流聊聊半導(dǎo)體材料那些事吧。
2019-07-29 06:40:11
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類(lèi)集成電路的四大類(lèi)
2021-02-24 07:52:52
結(jié)構(gòu)等構(gòu)成，在電源系統(tǒng)和控制系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)和監(jiān)控下實(shí)現(xiàn)激光輸出。半導(dǎo)體激光器的常用工作物質(zhì)主要有砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦（InP）、硫化鋅（ZnS）等。根據(jù)不同的工作物質(zhì)主要有三種激勵(lì)
2019-04-01 00:36:01
半導(dǎo)體激光器又稱(chēng)為激光二極管（LD，Laser Diode），是采用半導(dǎo)體材料作為工作物質(zhì)而產(chǎn)生受激發(fā)射的一類(lèi)激光器。常用材料有砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦（InP）、硫化鋅（ZnS
2016-01-14 15:34:44
，目前市場(chǎng)上應(yīng)用最多的還是半導(dǎo)體激光器。半導(dǎo)體激光器俗稱(chēng)為激光二極管，因?yàn)槠溆?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體材料作為工作物質(zhì)的特性，所以被稱(chēng)為半導(dǎo)體激光器。半導(dǎo)體激光器通常采用的工作物質(zhì)有砷化鎵、硫化鎘、磷化銦等，可以作為光纖
2019-05-13 05:50:35
國(guó)際半導(dǎo)體芯片巨頭壟斷加劇半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢(shì)
2021-02-04 07:26:49
SiC器件的50%至70%?？捎眯?–砷化鎵作為一種材料已經(jīng)在射頻應(yīng)用中廣泛使用，是世界上第二大最常用的半導(dǎo)體材料。由于其廣泛使用，它可以從多個(gè)來(lái)源獲得，其制造工藝類(lèi)似于硅。這些因素都支持該技術(shù)的低成本
2023-02-22 17:13:39
FPGA的發(fā)展現(xiàn)狀如何?賽靈思推出的領(lǐng)域目標(biāo)設(shè)計(jì)平臺(tái)如何簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間？
2021-04-08 06:18:44
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
關(guān)鍵詞：AKM，旭化成，砷化鎵線性霍爾效應(yīng)IC，響拇指電子，Sumzi提要：AKM的HG106C砷化鎵線性霍爾效應(yīng)IC采用電子遷移率比硅大5～6倍的砷化鎵作為器件的半導(dǎo)體材料，而砷化鎵被譽(yù)為“半導(dǎo)體
2013-11-13 10:54:57
Sumzi官網(wǎng)AKE的HG166A砷化鎵線性霍爾效應(yīng)IC采用電子遷移率比硅大5～6倍的砷化鎵作為器件的半導(dǎo)體材料，而砷化鎵被譽(yù)為“半導(dǎo)體材料中的貴族”，原因就是砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件相對(duì)于傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體具有
2013-11-13 10:53:33
一、大陸IC設(shè)計(jì)行業(yè)分析1、IC設(shè)計(jì)行業(yè)現(xiàn)狀①中國(guó)IC設(shè)計(jì)行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀 我國(guó)的集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)雖起步較晚，但憑借著巨大的市場(chǎng)需求、經(jīng)濟(jì)的穩(wěn)定發(fā)展和有利的政策環(huán)境等眾多優(yōu)勢(shì)條件，已成為全球集成電路
2021-11-11 07:05:55
襯底上GaN基外延材料生長(zhǎng)及雜質(zhì)缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據(jù)N位點(diǎn)的明確證據(jù)。中科院半導(dǎo)體所張翔帶來(lái)了關(guān)于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質(zhì)量氮化鋁薄膜外延層的報(bào)告，分享了該
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù)，瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38
的射頻器件越來(lái)越多，即便集成化仍然很難控制智能手機(jī)的成本。這跟功能機(jī)時(shí)代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場(chǎng)都能夠保證低價(jià)。但如果到了5G時(shí)代，需要的器件越來(lái)越多，價(jià)格越來(lái)越高。半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào)：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
中國(guó)功率器件市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀:功率器件包括功率 IC 和功率分立器件，功率分立器件則主要包括功率MOSFET、大功率晶體管和IGBT 等半導(dǎo)體器件，功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè)，所應(yīng)用的產(chǎn)品包括
2009-09-23 19:36:41
5倍的晶體管速度。硅仍然是最廣泛使用的半導(dǎo)體材料，然而，鍺砷化物是專(zhuān)門(mén)用于高速，非常大規(guī)模集成電路(VLSI)設(shè)計(jì)。鍺還被用于某些用途。這三種材料---- 硅、鍺和砷化鎵---- 是最常用的半導(dǎo)體材料
2022-04-04 10:48:17
哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用？對(duì)此，業(yè)界存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
云計(jì)算產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)，本文講的是云計(jì)算時(shí)代IT產(chǎn)業(yè)六大發(fā)展趨勢(shì)，【IT168 資訊】1946年2月14日第一臺(tái)計(jì)算機(jī)誕生，至今已經(jīng)有50多年的歷史，隨著計(jì)算機(jī)和網(wǎng)絡(luò)的普及，全球經(jīng)濟(jì)步入發(fā)展
2021-07-27 06:25:03
、磁阻元件、磁敏二極管、磁敏三極管等。主要材料有銻化銦、砷化銦、鍺和硅等。這類(lèi)器件的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，體積小，易于集成化，耐沖擊，頻響寬（從直流到微波），動(dòng)態(tài)范圍大，而且可以實(shí)現(xiàn)無(wú)接觸檢測(cè)，不存在磨損，抗污染，不產(chǎn)生火花，使用安全，壽命長(zhǎng)，因此它在測(cè)量技術(shù)、自動(dòng)控制和信息處理等方面有廣泛的應(yīng)用。
2019-09-10 10:42:32
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無(wú)論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
秒。 在日本電氣公司（NEC）生產(chǎn)的高速光電耦合器中，PS2101型光電耦合器是一種通用的四腳扁平組件，它采用砷鋁鎵紅外發(fā)光二極管和硅光電晶體管組合而成，并將其封裝4×4.4×2立方毫米的體積之內(nèi)，其
2012-12-10 14:17:36
與廠商合作關(guān)系***廠仍具有領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
砷化鎵產(chǎn)業(yè)的功率放大器PA是最要的營(yíng)收來(lái)源，那么是否有新技術(shù)能夠取代之將會(huì)是左右產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵，半導(dǎo)體CMOS制程的PA即與穩(wěn)懋的GaAs制程不同，擁有價(jià)格較低
2019-05-27 09:17:13
文章主要介紹了當(dāng)前射頻集成電路研究中的半導(dǎo)體技術(shù)和CAD技術(shù)，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點(diǎn)。近年來(lái)，無(wú)線通信市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，特別是移動(dòng)電話(huà)、無(wú)線
2019-07-05 06:53:04
嵌入式移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀如何？未來(lái)嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展趨勢(shì)如何？嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程是怎樣的？
2021-05-27 07:05:49
嵌入式系統(tǒng)開(kāi)源軟件發(fā)展現(xiàn)狀如何？
2021-04-26 06:23:33
`砷化鎵GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7倍，非常適合
2016-09-15 11:28:41
我國(guó)驅(qū)動(dòng)電機(jī)及其控制器的發(fā)展現(xiàn)狀如何？我國(guó)驅(qū)動(dòng)電機(jī)及其控制器存在的主要問(wèn)題是什么？
2021-05-13 06:27:04
智能視頻分析技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀如何？“”未來(lái)智能視頻分析技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)怎樣？
2021-06-03 06:44:16
的滲透力。1.GaN在5G方面的應(yīng)用射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。與砷化鎵和磷化銦等高頻工藝相比，氮化
2019-07-05 04:20:06
數(shù)字調(diào)諧濾波器技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀如何？跳頻濾波器有哪些分類(lèi)？
2021-04-07 06:04:46
文/編譯楊碩王家農(nóng)在網(wǎng)絡(luò)無(wú)處不在、IP無(wú)處不在和無(wú)縫移動(dòng)連接的總趨勢(shì)下，國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS)項(xiàng)目組在他們的15年半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展預(yù)測(cè)中認(rèn)為，隨著技術(shù)和體系結(jié)構(gòu)推進(jìn)“摩爾定律”和生產(chǎn)力極限
2019-07-24 08:21:23
無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀
2012-08-14 22:31:49
音頻信號(hào)是什么？音頻編碼技術(shù)分為哪幾類(lèi)？音頻編碼技術(shù)有哪些應(yīng)用？音頻編碼標(biāo)準(zhǔn)發(fā)展現(xiàn)狀如何？數(shù)字音頻編碼技術(shù)有怎樣的發(fā)展趨勢(shì)？
2021-04-14 07:00:14
`從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用，氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個(gè)微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對(duì)眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響，并實(shí)現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
汽車(chē)用基礎(chǔ)電子元器件發(fā)展現(xiàn)狀如何？國(guó)內(nèi)汽車(chē)用基礎(chǔ)電子元器件發(fā)展現(xiàn)狀如何？汽車(chē)用基礎(chǔ)電子元器件發(fā)展趨勢(shì)是什么？
2021-05-17 06:27:16
淺析變頻器發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)（原文鏈接）變頻器：利用電力半導(dǎo)體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。其作用對(duì)象主要是電動(dòng)機(jī)。分類(lèi)：交—交（頻率電壓可變）、交—直—交（整流、逆變）性能優(yōu)劣
2021-09-03 06:40:59
`什么是物聯(lián)網(wǎng)，其發(fā)展現(xiàn)狀如何?說(shuō)到物聯(lián)網(wǎng)，肯定是要與當(dāng)今發(fā)展迅速的信息技術(shù)關(guān)聯(lián)到一塊，物聯(lián)網(wǎng)是新一代信息技術(shù)的重要組成部分之一，同時(shí)也是當(dāng)前快速發(fā)展的信息化時(shí)代的重要發(fā)展內(nèi)容及階段，它的英文名字
2021-01-12 14:48:56
器件產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)公司及產(chǎn)品進(jìn)展：歐美出于對(duì)我國(guó)技術(shù)發(fā)展速度的擔(dān)憂(yōu)及遏制我國(guó)新材料技術(shù)的發(fā)展想法，在第三代半導(dǎo)體材料方面，對(duì)我國(guó)進(jìn)行幾乎全面技術(shù)封鎖和材料封鎖。在此情況下，我國(guó)科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)單位立足自主
2019-04-13 22:28:48
或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。物質(zhì)存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體
2020-04-22 11:55:14
有著極為密切的關(guān)連。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。物質(zhì)存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等。我們通常把導(dǎo)電性差的材料，如煤
2020-02-18 13:23:44
化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的化合物半導(dǎo)體材料和以石墨烯為代表的碳基材料。了解每種新型材料及其應(yīng)用在技術(shù)成熟度曲線的位置，對(duì)我們研發(fā)、投資切入有著極其重要的意義。作為
2017-02-22 14:59:09
的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種?！ ?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)
2016-11-27 22:34:51
請(qǐng)問(wèn)一下VGA應(yīng)用中硅器件注定要改變砷化鎵一統(tǒng)的局面？
2021-05-21 07:05:36
的安全可靠性，提升國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，防止電磁脈沖武器的打擊，確保信息通信系統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、傳輸系統(tǒng)、武器平臺(tái)等的安全暢通均具有重要的意義1_ 。鑒于電磁屏蔽材料在社會(huì)生活、經(jīng)濟(jì)建設(shè)和國(guó)防建設(shè)中的重要作用，其研發(fā)愈發(fā)成為人們關(guān)注的重要課題。那么電磁屏蔽材料發(fā)展現(xiàn)狀如何了？該怎么應(yīng)用？
2019-07-30 06:26:57
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無(wú)線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來(lái)越廣，今天我們來(lái)介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
各位大神，目前國(guó)內(nèi)賣(mài)銦鎵砷紅外探測(cè)器的有不少，知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產(chǎn)的嗎，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
西安半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與建議:西安作為我國(guó)重要的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地之一，在半導(dǎo)體人才培養(yǎng)、基礎(chǔ)研究、技術(shù)應(yīng)用等領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。“十五”期間，國(guó)家在西安先后批準(zhǔn)設(shè)立
2009-12-14 09:24:06
25 光耦 - 發(fā)展現(xiàn)狀
2012-05-29 14:23:29
1189 本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問(wèn)題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2018-05-28 15:33:5410899 
那么，半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵原材料有哪些？半導(dǎo)體設(shè)備由哪些廠商占領(lǐng)？我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀如何？下面小編就這些問(wèn)題做了相關(guān)梳理，一窺半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀。
2018-06-07 14:12:3716561 
產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀分析 那么，半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵原材料有哪些？半導(dǎo)體設(shè)備由哪些廠商占領(lǐng)？我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀如何？下面小編就這些問(wèn)題做了相關(guān)梳理，一窺半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀。 以下內(nèi)容排名不分先后，如有疏漏，歡迎留言。
2018-10-18 18:07:01251 
過(guò)去幾年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)風(fēng)起云涌。一方面，中國(guó)半導(dǎo)體異軍突起。另一方面，全球產(chǎn)業(yè)面臨超級(jí)周期，加上人工智能等新興應(yīng)用的崛起，中美科技摩擦頻發(fā)，全球半導(dǎo)體現(xiàn)狀如何？未來(lái)的機(jī)會(huì)又在哪里從國(guó)盛鄭震湘團(tuán)隊(duì)這個(gè)報(bào)告，我們可以獲取一些基本面的了解。
2019-01-23 15:15:1279086 
最近幾年， 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)風(fēng)起云涌。 一方面， 中國(guó)半導(dǎo)體異軍突起， 另一方面， 全球產(chǎn)業(yè)面臨超級(jí)周期，加上人工智能等新興應(yīng)用的崛起，中美科技摩擦頻發(fā)，全球半導(dǎo)體現(xiàn)狀如何？全球半導(dǎo)體的機(jī)會(huì)又將如何？
2019-06-04 09:56:295031 
近幾年，國(guó)內(nèi)不少地區(qū)都紛紛建設(shè)第三代半導(dǎo)體生產(chǎn)線，種種跡象表明，第三代半導(dǎo)體投資熱的戲碼正在悄然上演。這輪投資熱將對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)哪些影響？國(guó)內(nèi)發(fā)展第三代半導(dǎo)體應(yīng)注意什么問(wèn)題？需要采取什么措施？
2019-12-16 11:35:328667 幾家公司接連遭遇美國(guó)芯片“斷供”事件引起全國(guó)和國(guó)際社會(huì)的廣泛關(guān)注，中國(guó)的半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展形勢(shì)依舊嚴(yán)峻。近期，SGS管理學(xué)院總監(jiān)汪姝女士對(duì)話(huà)紫光宏茂微電子公司的質(zhì)量與可靠性總監(jiān)張健健，從半導(dǎo)體行業(yè)的現(xiàn)狀、未來(lái)到人才的發(fā)展培養(yǎng)，揭秘半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。
2019-12-17 09:22:1615237 SiC應(yīng)用十幾年了，現(xiàn)在這項(xiàng)第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展現(xiàn)狀如何了？記者連線了安森美半導(dǎo)體電源方案部產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理王利民，講述安森美半導(dǎo)體在SiC上的故事。
2020-09-14 11:00:401749 
小編說(shuō)：隨著中國(guó)經(jīng)濟(jì)的發(fā)展和現(xiàn)代化、信息化的建設(shè)，我國(guó)已成為帶動(dòng)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿Γ嗄陙?lái)市場(chǎng)需求保持快速增長(zhǎng)。 今天小編給大家?guī)?lái)的是集微網(wǎng)首席分析師韓曉敏《中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
2020-10-10 11:33:158601 
行業(yè)周知，半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的支撐，半導(dǎo)體裝備水平則決定了產(chǎn)品工藝的先進(jìn)性。半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)投入大、難度大、周期長(zhǎng)、國(guó)外嚴(yán)密封鎖，是我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)化所面臨的最大難題之一。
2020-10-21 09:08:364069 近日，歐洲主要國(guó)家包括德國(guó)，法國(guó)，西班牙等共同簽署了一個(gè)協(xié)議，表示要聯(lián)合起來(lái)發(fā)展歐洲的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，在聲明中特別提到了歐洲需要加強(qiáng)在芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)領(lǐng)域的能力，提升歐洲在國(guó)際半導(dǎo)體市場(chǎng)的地位。這也是首次
2020-12-16 11:57:3212841 元宇宙發(fā)展現(xiàn)狀如何？元宇宙在今年爆發(fā)主要是由于疫情的持續(xù)，推動(dòng)了虛擬辦公的發(fā)展。元宇宙概念最早出現(xiàn)在美國(guó)的科幻小說(shuō)雪崩當(dāng)中，將現(xiàn)實(shí)世界與虛擬世界相連。
2021-11-03 11:19:469919 近年來(lái)，隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料廠商不斷提升半導(dǎo)體產(chǎn)品技術(shù)水平和研發(fā)能力，半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速，中國(guó)市場(chǎng)成為全球增速最快的市場(chǎng)。數(shù)據(jù)顯示，2021年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模約820.16億元，同比增長(zhǎng)21.9%。預(yù)計(jì)2023年市場(chǎng)規(guī)模將增至1024.34億元。
2023-03-12 09:57:084577 中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀2021年是中國(guó)“十四五”開(kāi)局之年，在國(guó)內(nèi)宏觀經(jīng)濟(jì)運(yùn)行良好的驅(qū)動(dòng)下，國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)接續(xù)保持快速、平穩(wěn)的增長(zhǎng)。據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2021年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)首次突破萬(wàn)億
2022-10-08 16:11:257279 
半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路，促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。
2023-08-07 10:22:031979 
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