LTC?3413 是一款單片式同步降壓型 能夠產(chǎn)生總線的開關(guān)穩(wěn)壓器 DDR/DDR2 內(nèi)存應(yīng)用的終止電壓。在源出和吸收高達(dá) 3A 電流時(shí)， LTC3413 允許高達(dá) 2兆赫。提高開關(guān)頻率使得緊湊的解決方案成為可能，允許使用更小 電感器和電容器。內(nèi)部電源開關(guān) 導(dǎo)通電阻僅為 85mΩ，使之成為可能 在產(chǎn)生時(shí)實(shí)現(xiàn)高達(dá) 90% 的效率 輸出電壓低至 0.6V。用于改善散熱效果 處理時(shí)，LTC3413 采用 16 引腳 TSSOP 封裝 帶有裸露墊的包裝。

LTC3413 利用一個(gè)恒定的頻率、電流 采用輸入電壓工作的模式架構(gòu) 范圍為 2.25V 至 5.5V，并提供一個(gè)穩(wěn)壓輸出 電壓等于V裁判/2.開關(guān)頻率可以 通過(guò)單個(gè)外部設(shè)置在 300kHz 至 2MHz 之間 電阻器。輸出電壓紋波成反比 開關(guān)頻率和電感值。 具有提高開關(guān)頻率的能力 高達(dá) 2MHz 允許較低的電感值 在保持低輸出電壓紋波的同時(shí)使用。 因?yàn)檩^小的外殼尺寸通常適用于較低的 電感值，整體解決方案的占位面積可以是 減少。一個(gè)內(nèi)部分壓器將基準(zhǔn)電壓源減半 電壓，無(wú)需外部電阻器 執(zhí)行此任務(wù)。

3A、2.5V至1.25V降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器

圖1所示為2.5V至1.25V的設(shè)計(jì)方案 能夠提供源的降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 并吸收高達(dá) 3A 的輸出電流。為此提高效率 電路高達(dá)90%，如圖2所示。因?yàn)?陶瓷電容器的低成本和低ESR是 為輸入和輸出電容器選擇。雖然 許多開關(guān)穩(wěn)壓器難以操作 使用陶瓷電容器并依靠零 由鉭電容器的較大ESR產(chǎn)生， OPTI-環(huán)補(bǔ)償允許 LTC3413 使用陶瓷輸入和輸出成功運(yùn)行 電容器。該電路的頻率設(shè)置為1MHz 通過(guò)單個(gè)外部電阻器。以頻率工作 如此高允許使用更小的外部組件 如圖1所示的電感和電容器。?

圖1.2.5V 至 1.25V、±3A DDR 內(nèi)存端接電源。

圖2.效率與負(fù)載電流的關(guān)系，V在= 2.5V。

許多 DDR 終端應(yīng)用需要總線 終止電壓從較高的電壓降壓 跟蹤一半基準(zhǔn)電壓時(shí)的系統(tǒng)電壓 電壓。此選項(xiàng)在大多數(shù)系統(tǒng)中是允許的，因?yàn)?通常提供基準(zhǔn)電壓。圖 3 顯示 適用于 3.3V 至 1.25V、±3A DDR 存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)解決方案 終端電源，采用一個(gè) 2.5V 外部基準(zhǔn)。

圖3.1.25V、±3A DDR 內(nèi)存端接電源，采用 3.3V 電源供電。

該電路的效率高達(dá)90%，如 圖4.圖 5 顯示了另一種設(shè)計(jì)解決方案 3.3V 至 0.9V、±3A 端接電源，外部 1.8V 參考。從更高的系統(tǒng)電壓降壓 具有降低電阻損耗的優(yōu)點(diǎn)，由于 內(nèi)部電源開關(guān)，從而提高效率。

圖4.效率與負(fù)載電流的關(guān)系，V在= 3.3V。

圖5.0.9V、±3A HSTL 存儲(chǔ)器終端電源。

結(jié)論

LTC?3413 是一款單片式、同步降壓型 非常適合DDR內(nèi)存的DC/DC轉(zhuǎn)換器 需要高達(dá) ±3A 輸出的端接應(yīng)用 當(dāng)前。其高開關(guān)頻率和內(nèi)部低 RDS（ON）電源開關(guān)允許 LTC3413 提供 緊湊、高效的設(shè)計(jì)解決方案。

審核編輯：郭婷