MOSFET的VGS(th)：
柵極閾值
電壓MOSFET的VGS(th)：
柵極閾值
電壓是為使
MOSFET導(dǎo)通，
柵極與
源極間必需的
電壓。也就是說，VGS如果是閾值以上的
電壓，則
MOSFET導(dǎo)通?？赡苡?/div>
2019-05-02 09:41:04
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會(huì)在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
電路設(shè)計(jì)如圖；問題：MOSFET測(cè)量柵極有開啟電壓+3.6V，漏極電壓+12V，但是源極電壓測(cè)量為+1V;分析：有可能是MOSFET壞了，除了這個(gè)可能性，不清楚是不是設(shè)計(jì)上有問題，希望大家?guī)兔?，目?b class="flag-6" style="color: red">源極沒有接負(fù)載，這對(duì)電路有沒有影響呢？
2019-09-11 14:32:13
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在給柵極-源極間施加18V電壓、SiC-MOSFET導(dǎo)通的條件下，電阻更小的通道部分（而非體二極管部分）流過的電流占支配低位。為方便從結(jié)構(gòu)角度理解各種狀態(tài)，下面還給出了MOSFET的截面圖
2018-11-27 16:40:24
，與Si-MOSFET不同，SiC-MOSFET的上升率比較低，因此易于熱設(shè)計(jì)，且高溫下的導(dǎo)通電阻也很低?！ ?. 驅(qū)動(dòng)門極電壓和導(dǎo)通電阻 SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2023-02-07 16:40:49
采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開關(guān)速度變慢），就可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開關(guān)等各優(yōu)點(diǎn)兼?zhèn)涞钠骷?. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-04-09 04:58:00
減小，所以耐受時(shí)間變長(zhǎng)。另外，Vdd較低時(shí)發(fā)熱量也會(huì)減少，所以耐受時(shí)間會(huì)更長(zhǎng)。由于關(guān)斷SiC-MOSFET所需的時(shí)間非常短，所以當(dāng)Vgs的斷路速度很快時(shí)，急劇的dI/dt可能會(huì)引發(fā)較大的浪涌電壓。請(qǐng)使用
2018-11-30 11:30:41
MOSFET能夠在1/35大小的芯片內(nèi)提供與之相同的導(dǎo)通電阻。其原因是SiC MOSFET能夠阻斷的電壓是Si MOSFET的10倍，同時(shí)具備更高的電流密度和更低的導(dǎo)通電阻，能夠以更快速度（10 倍）在導(dǎo)
2019-07-09 04:20:19
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時(shí)的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時(shí)間短于IGTB的短路耐受時(shí)間，也可以通過集成在柵極驅(qū)動(dòng)器IC中的去飽和功能來保護(hù)SiC
2019-07-30 15:15:17
采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開關(guān)速度變慢），就可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開關(guān)等各優(yōu)點(diǎn)兼?zhèn)涞钠骷?. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-05-07 06:21:55
SiC-MOSFET的構(gòu)成中，SiC-MOSFET切換（開關(guān)）時(shí)高邊SiC-MOSFET的柵極電壓產(chǎn)生振鈴，低邊SiC-MOSFET的柵極電壓升高，SiC-MOSFET誤動(dòng)作的現(xiàn)象。通過下面的波形圖可以很容易了解這是
2018-11-30 11:31:17
免 MOSFET 的誤工作，但這種寄生電感的影響是三種主要寄生電感中最小的。整個(gè)器件的過沖電壓通常由功率回路電感（有時(shí)也稱為開關(guān)回路電感）造成，而這會(huì)產(chǎn)生高開關(guān)損耗。共源極電感會(huì)在開關(guān)瞬變過程中產(chǎn)生對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)
2022-03-24 18:03:24
突發(fā)的巨大能量，以保護(hù)連接設(shè)備免于受損。最常見的就是電子產(chǎn)品使用過程中會(huì)遇到的電壓瞬變和浪涌，從而導(dǎo)致電子產(chǎn)品的損壞，損壞的原因是電子產(chǎn)品中的半導(dǎo)體器件(包括二極管、晶體管、可控硅和集成電路等)被燒毀或擊穿。本文闡述下關(guān)于抑制浪涌的那些解決辦法~
2020-10-22 18:37:10
柵極與源極之間加一個(gè)電阻，這個(gè)電阻起到什么作用？一是為場(chǎng)效應(yīng)管提供偏置電壓；二是起到瀉放電阻的作用：保護(hù)柵極G-源極S；
2019-05-23 07:29:18
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
浪涌電壓/電流產(chǎn)生的原因主要由電壓突變引起的，浪涌電流是指電網(wǎng)中出現(xiàn)的短時(shí)間象“浪”一樣的高電壓引起的大電流。當(dāng)某些大容量的電氣設(shè)備接通或斷開時(shí)間，由于電網(wǎng)中存在電感，將在電網(wǎng)產(chǎn)生“浪涌電壓”，從而引發(fā)浪涌電流。 簡(jiǎn)單形容就像“毛刺”拿示波器看也像“毛刺
2010-05-14 17:12:42
什么是浪涌電流？浪涌電壓是怎樣產(chǎn)生的？
2021-09-29 07:30:33
能力；4、保護(hù)絕大多數(shù)的敏感負(fù)載；對(duì)于不同的技術(shù)方式來實(shí)現(xiàn)由以下兩種：1、電壓限制型；2、電壓開關(guān)型浪拓電子浪涌過電壓保護(hù)器件分為鉗位型和開關(guān)型器件。鉗位型過壓保護(hù)器件：瞬態(tài)抑制二極管TVS、壓敏電阻
2019-11-08 16:07:56
普通N MOS管給柵極一個(gè)高電壓 ，漏極一個(gè)低電壓，漏源極就能導(dǎo)通。這個(gè)GS之間加了背靠背的穩(wěn)壓管，給柵極一個(gè)4-10V的電壓，漏源極不能導(dǎo)通。是不是要大于柵源擊穿電壓VGSO（30v）才可以？
2019-06-21 13:30:46
為正時(shí)，它充當(dāng)增強(qiáng)型MOSFET。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管與P溝道場(chǎng)效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負(fù)載，當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
應(yīng)用角度來看，驅(qū)動(dòng)回路和功率回路共用了源極的管腳。MOSFET是一個(gè)電壓型控制的開關(guān)器件，其開通關(guān)斷行為由施加在柵極和源極之間的電壓（通常稱之為VGS）來決定?！ 膱D1模型來看，有幾個(gè)參數(shù)是我們需要
2023-02-27 16:14:19
，以及源漏電壓進(jìn)行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進(jìn)行了對(duì)兩個(gè)波形進(jìn)行了記錄：綠色：柵極源極間電壓；黃色：源極漏極間電壓；由于Mosfet使用的SiC材料，通過分析以上兩者電壓的導(dǎo)通時(shí)間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
過電流，一般會(huì)采用短路保護(hù)、過載保護(hù)，使用熱繼電器等方法來避免。2. 繼電器浪涌是怎么產(chǎn)生的在繼電器線圈注入能量以后，開關(guān)斷開的一瞬間，就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很大的浪涌電壓。這是自身產(chǎn)生的浪涌電壓，雖然是僅僅
2016-12-03 21:09:19
器件的柵極、源極，LD為漏極的封裝電感，LS為源極的封裝電感，LG為柵極的封裝電感，RG為內(nèi)部的柵極電阻總和?！ D1：功率MOSFET的寄生參數(shù)模型 電感中流過變化的電流時(shí)，其產(chǎn)生的感應(yīng)電
2020-12-08 15:35:56
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
線性浪涌抑制器LT4363。圖7 LT4363的電路架構(gòu)LT4363簡(jiǎn)介它能通過控制一個(gè)外部N溝道MOSFET的柵極，以在過壓過程中（比如：汽車應(yīng)用中的負(fù)載突降情況）調(diào)節(jié)輸出電壓。輸出被限制在一個(gè)安全
2022-04-02 10:33:47
電壓。將這些式子結(jié)合起來，可得到MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電壓是漏源電壓的函數(shù)：VGS=-(R2/R1)VDS二極管規(guī)格書下載：
2021-04-08 11:37:38
TG傳輸門電路中。當(dāng)C端接+5，C非端接0時(shí)。源極和襯底沒有連在一起，為什么當(dāng)輸入信號(hào)改變時(shí)，其導(dǎo)通程度怎么還會(huì)改變？導(dǎo)電程度不是由柵極和襯底間的電場(chǎng)決定的嗎？而柵極和襯底間的電壓不變。所以其導(dǎo)通程度應(yīng)該與輸入信號(hào)變化無關(guān)?。《鴷险f起導(dǎo)通程度歲輸入信號(hào)的改變而改變？為什么?求詳細(xì)解釋！謝謝！
2012-03-29 22:51:18
的最大額定值。②是在柵極-源極間增加外置電容器，降低阻抗，抑制柵極電位升高的方法。這里需要注意的是CGS也會(huì)造成損耗，因而需要適當(dāng)?shù)碾娙?。③是?b class="flag-6" style="color: red">柵極-源極間增加米勒鉗位用MOSFET的方法。通過在
2018-11-27 16:41:26
和漏極電荷Qgs：柵極和源極電荷柵極電荷測(cè)試的原理圖和相關(guān)波形見圖1所示。在測(cè)量電路中，柵極使用恒流源驅(qū)動(dòng)，也就是使用恒流源IG給測(cè)試器件的柵極充電，漏極電流ID由外部電路提供，VDS設(shè)定為最大
2017-01-13 15:14:07
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個(gè)電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
至nVo。因此初級(jí)總漏感Lk（即Lkp+n2×Lks)和Coss之間發(fā)生諧振，產(chǎn)生高頻和高壓浪涌，MOSFET上過高的電壓可能導(dǎo)致故障。反激式轉(zhuǎn)換器可以工作在連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)（如圖2）和不連續(xù)導(dǎo)
2018-10-10 20:44:59
極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)和期望，開發(fā)了一種測(cè)試板，其中測(cè)試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動(dòng)器也在另一塊板上實(shí)現(xiàn)，見圖3?！ D3.帶電壓源驅(qū)動(dòng)器（頂部）和電流源驅(qū)動(dòng)器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
碳化硅 （SiC） MOSFET 成為 MOSFET 市場(chǎng)的可見部分，需要能夠提供負(fù)電壓的特殊柵極驅(qū)動(dòng)器碳化硅 （SiC） MOSFET 成為 MOSFET 市場(chǎng)的可見部分，需要特殊的柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-02-27 09:52:17
！它在高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器源連接（R57、R58 和 R59）中也有 4R7 電阻，我不明白為什么需要這些。是否有任何設(shè)計(jì)指南可以告訴我如何定義柵極電阻器、自舉電容器以及為什么高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器可能需要對(duì) MOSFET 源極施加一些電阻？
2023-04-19 06:36:06
壓敏電阻、氣體放電管、TVS瞬態(tài)抑制二極管是電路保護(hù)中常用的浪涌抑制元件，本文主要介紹著幾種元件的工作原理及特性。壓敏電阻工作原理：壓敏電阻的電壓與電流呈特殊的非線性關(guān)系。當(dāng)壓敏電阻兩端鎖甲的電壓
2018-01-30 15:23:10
部分及其評(píng)估而進(jìn)行調(diào)整，是以非常高的速度進(jìn)行高電壓和大電流切換的關(guān)鍵。尤其在電路設(shè)計(jì)的初步評(píng)估階段，使用評(píng)估板等工具可使開發(fā)工作順利進(jìn)行。關(guān)鍵要點(diǎn):?使用專用柵極驅(qū)動(dòng)器和緩沖模塊，可顯著抑制浪涌和振鈴。?在損耗方面，Eon增加，Eoff減少。按總損耗（Eon + Eoff）來比較，當(dāng)前損耗減少。
2018-11-27 16:36:43
康華光主編的模電中講到N型的增強(qiáng)型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關(guān)于漏極飽和電流的問題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時(shí)候，而增強(qiáng)型MOSFET在柵源
2019-04-08 03:57:38
和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置中驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 的緊湊型雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅(qū)動(dòng)能力，適用于驅(qū)動(dòng) SiC
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
。第五種：柵極電涌、靜電破壞主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪涌和靜電而引起的破壞，即柵極過電壓破壞和由上電狀態(tài)中靜電在GS兩端（包括安裝和和測(cè)定設(shè)備的帶電）而導(dǎo)致的柵極破壞
2019-03-13 06:00:00
*VGS。給柵極施加所需要的電壓波形，在漏極就會(huì)輸出相應(yīng)的電流波形。因此，選用大功率VDMOS管適合用于實(shí)現(xiàn)所需的浪涌電流波形，<span] 運(yùn)放組成基本的反向運(yùn)算電路，驅(qū)動(dòng)VDMOS管
2018-09-25 11:30:29
瞬態(tài)電壓抑制器，是一種二極管形式的高效能保護(hù)元件。當(dāng) TVS管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時(shí)，它能以極快的速度，瞬間將其兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩?，吸收高達(dá)數(shù)千瓦的浪涌功率，使兩極間的電壓箝位于一個(gè)預(yù)定值
2019-07-22 12:17:19
紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般
2022-09-20 08:00:00
MOSFET中的開關(guān)損耗為0.6 mJ。這大約是IGBT測(cè)量的2.5 mJ的四分之一。在每種情況下，均在 800 V、漏極/拉電流 10 A、環(huán)境溫度 150 °C 和最佳柵極-發(fā)射極閾值電壓下進(jìn)行測(cè)試（圖
2023-02-22 16:34:53
`設(shè)計(jì)了一個(gè)D類功放，在不加大電壓的情況下，用示波器測(cè)量功放管的柵極處的驅(qū)動(dòng)信號(hào)是正常的，但是在管子漏極加70V電壓工作時(shí)，驅(qū)動(dòng)信號(hào)有毛刺，導(dǎo)致電源保護(hù)，請(qǐng)問大神們有遇到過這種情況的嗎，怎么解決？下圖分別為加入70V漏源電壓和不加漏源電壓時(shí)柵源極驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形。`
2019-02-21 11:23:53
兩層電源板，板子設(shè)計(jì)中有4個(gè)MOSFET管串聯(lián)，由于只有兩層，四個(gè)MOSFET管的3個(gè)源級(jí)要過大電流，所以用銅連接在一起；四個(gè)MOSFET管柵極串聯(lián)的線走在器件源級(jí)和漏極之間（請(qǐng)看圖片），不知道這樣的柵極走線會(huì)不會(huì)受影響？
2018-07-24 16:19:28
Q1的柵極、源極間電阻R1并聯(lián)追加電容器C2， 并緩慢降低Q1的柵極電壓，可以緩慢地使RDS(on)變小，從而可以抑制浪涌電流。■負(fù)載開關(guān)等效電路圖關(guān)于Nch MOSFET負(fù)載開關(guān)ON時(shí)的浪涌電流應(yīng)對(duì)
2019-07-23 01:13:34
數(shù)據(jù)嗎？這里有雙脈沖測(cè)試的比較數(shù)據(jù)。這是為了將以往產(chǎn)品和具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的SiC MOSFET的開關(guān)工作進(jìn)行比較，而在Figure 5所示的電路條件下使Low Side（LS）的MOSFET開關(guān)的雙
2020-07-01 13:52:06
Transil二極管改為電壓抑制器，例如，金屬氧化物變阻器(圖4中的綠色虛線)。變阻器置于EMI濾波器之后，濾波器阻抗(特別是共式扼流圈的差分式電感)可以限制變阻器吸收電流。 并聯(lián)多個(gè)變阻器以更好地限制浪涌電壓
2018-10-11 16:04:02
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)
2018-11-01 11:35:35
的影響，而且由于 RG_EXT 是外置電阻，因此也可調(diào)。下面同時(shí)列出公式（1）用以比較。能給我們看一下比較數(shù)據(jù)嗎？這里有雙脈沖測(cè)試的比較數(shù)據(jù)。這是為了將以往產(chǎn)品和具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的 SiC MOSFET
2020-11-10 06:00:00
極之間連接幾nF的電容。如果希望進(jìn)一步了解詳細(xì)信息，請(qǐng)參考應(yīng)用指南中的“SiC-MOSFET 柵極-源極電壓的浪涌抑制方法”。接下來是關(guān)斷時(shí)的波形?？梢钥闯?，TO-247N封裝產(chǎn)品（淺藍(lán)色實(shí)線
2022-06-17 16:06:12
高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過降低FET的體二極管的功耗來提高效率。體二極管是寄生二極管，對(duì)于大多數(shù)類型的FET是固有的。它由p-n結(jié)點(diǎn)形成并且位于漏極和源極之間。圖1所示
2022-11-14 07:53:24
雷擊和電壓浪涌產(chǎn)生及危害
電壓浪涌是指電子系統(tǒng)額定工作電壓瞬時(shí)升高，其幅度達(dá)到額定工作電壓的幾倍～幾百倍。電壓浪涌可能引起通信系統(tǒng)的數(shù)據(jù)
2010-05-15 15:01:29
35 浪涌電壓抑制器及其應(yīng)用
1浪涌電壓
電路在遭雷擊和在接通、斷開電感負(fù)載或大型負(fù)載時(shí)常常會(huì)產(chǎn)生很高的操作過電壓，這種瞬時(shí)過電壓（或過電流）
2009-07-09 14:59:52
2076 
繼電器線圈浪涌電壓抑制
繼電器線圈在注入能量以后，在開關(guān)斷開的一瞬間，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)巨大的直流浪涌電壓，這個(gè)電壓在高邊開關(guān)的時(shí)候是負(fù)電
2009-11-21 14:24:046015 本文對(duì)微浪涌電壓的發(fā)生機(jī)理及其對(duì)電機(jī)的影響作了分析，介紹了抑制微浪涌電壓的技術(shù)，以及最近出現(xiàn)的衰減微浪涌電壓的產(chǎn)品和采用細(xì)線徑傳輸為特征的微浪涌抑制組件的工作原理
2011-08-04 15:20:053790 LTC4366 浪涌抑制器可保護(hù)負(fù)載免遭高壓瞬變的損壞。通過控制一個(gè)外部 N 溝道 MOSFET 的柵極，LTC4366 可在過壓瞬變過程中調(diào)節(jié)輸出。在 MOSFET 兩端承載過壓的情況下，負(fù)載可以保持運(yùn)作狀
2012-09-21 11:37:09111 密集的、連續(xù)存在的、很窄的尖峰電壓。 本文對(duì)微浪涌電壓的發(fā)生機(jī)理及其對(duì)電機(jī)的影響作了分析，介紹了抑制微浪涌電壓的技術(shù)，以及最近出現(xiàn)的衰減微浪涌電壓的產(chǎn)品和采用細(xì)線徑傳輸為特征的微浪涌抑制組件的工作原理等。
2017-11-13 16:36:155 浪涌也叫突波，就是超出正常電壓的瞬間過電壓，一般指電網(wǎng)中出現(xiàn)的短時(shí)間象“浪”一樣的高電壓引起的大電流。從本質(zhì)上講，浪涌就是發(fā)生在僅僅百萬上之一秒內(nèi)的一種劇烈脈沖。浪涌電壓的產(chǎn)生原因有兩個(gè)，一個(gè)是雷電，另一個(gè)是電網(wǎng)上的大型負(fù)荷接通或斷開（包括補(bǔ)償電容的投切）時(shí)產(chǎn)生的。
2018-01-11 11:09:3234153 
凌力爾特的浪涌抑制器產(chǎn)品通過采用 MOSFET 以隔離高電壓輸入浪涌和尖峰。
2018-06-28 10:15:005038 
對(duì)于任何系統(tǒng)而言，保護(hù)敏感電子電路免遭電壓瞬變的損害都是不可或缺的部分，不管是汽車、工業(yè)、航天還是電池供電型消費(fèi)應(yīng)用皆不例外。凌力爾特憑借其浪涌抑制器系列為這些應(yīng)用提供了眾多的解決方案。LTC
2019-03-21 06:51:003907 中，我們將對(duì)相應(yīng)的對(duì)策進(jìn)行探討。關(guān)于柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”中已進(jìn)行了詳細(xì)說明。
2021-06-12 17:12:002563 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時(shí)，可能會(huì)發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對(duì)此采取對(duì)策。 在本文中，我們將對(duì)相應(yīng)的對(duì)策進(jìn)行探討。 什么是柵極－源極電壓產(chǎn)生的
2021-06-10 16:11:442121 SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。
2022-09-14 14:28:53753 從本文開始，我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22250 
在上一篇文章中，對(duì)SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路的導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行了解說。
2023-02-08 13:43:23291 
上一篇文章中，簡(jiǎn)單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動(dòng)電路的開關(guān)工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOSFET在LS導(dǎo)通時(shí)的動(dòng)作情況。
2023-02-08 13:43:23300 
上一篇文章中介紹了LS開關(guān)導(dǎo)通時(shí)柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時(shí)的動(dòng)作情況。低邊開關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作：下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時(shí)的電流動(dòng)作的等效電路和波形示意圖。
2023-02-08 13:43:23399 
在上一篇文章中，簡(jiǎn)單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開始，將介紹針對(duì)所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對(duì)策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2023-02-09 10:19:15696 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)：通過采取措施防止柵極－源極間電壓的正電壓浪涌，來防止LS導(dǎo)通時(shí)的HS誤導(dǎo)通。如果柵極驅(qū)動(dòng)IC沒有驅(qū)動(dòng)米勒鉗位用MOSFET的控制功能，則很難通過米勒鉗位進(jìn)行抑制。作為米勒鉗位的替代方案，可以通過增加誤導(dǎo)通抑制電容器來處理。
2023-02-09 10:19:15515 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負(fù)電壓浪涌，來防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對(duì)策電路的負(fù)載。
2023-02-09 10:19:16589 
關(guān)于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”中已進(jìn)行了詳細(xì)說明，如果需要了解,請(qǐng)參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:17707 
使用評(píng)估電路來確認(rèn)柵極電壓升高的抑制效果。下面是柵極驅(qū)動(dòng)電路示例，柵極驅(qū)動(dòng)L為負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)。CN1和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動(dòng)器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動(dòng)器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來確認(rèn)柵極電壓的升高情況。
2023-02-27 11:50:44556 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時(shí)，可能會(huì)發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對(duì)此采取對(duì)策。在本文中，我們將對(duì)相應(yīng)的對(duì)策進(jìn)行探討。
2023-02-28 11:36:50551 
)，基本上沒有問題。然而，直通電流畢竟是降低系統(tǒng)整體效率的直接因素，肯定不是希望出現(xiàn)的狀態(tài)，因此就有必要增加用來來抑制浪涌電壓的電路，以更大程度地確保浪涌電壓不超過SiC MOSFET的VGS(th)。
2023-02-28 11:38:21141 
下圖顯示了同步升壓電路中LS導(dǎo)通時(shí)柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過。要想抑制事件（II），即HS（非開關(guān)側(cè)）的VGS的正浪涌，正如在上一篇文章的表格中所總結(jié)的，采用浪涌抑制電路的米勒鉗位用MOSFET Q2、或誤導(dǎo)通抑制電容器C1是很有效的方法（參見下面的驗(yàn)證電路）。
2023-02-28 11:40:19149 
下圖顯示了同步升壓電路中LS關(guān)斷時(shí)柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過。要想抑制事件（IV），即HS（非開關(guān)側(cè)）的VGS的負(fù)浪涌，采用浪涌抑制電路的米勒鉗位用MOSFET Q2、或鉗位用SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）D3是很有效的方法（參見下面的驗(yàn)證電路）。
2023-02-28 11:41:23389 
紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-04-06 09:11:46731 
本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結(jié)篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對(duì)策、負(fù)電壓浪涌對(duì)策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02814 紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-05-08 11:23:14644 如何消除或抑制浪涌電流？抑制浪涌電流的方法有哪些？ 浪涌電流是指電流在電路中突然變化，導(dǎo)致電壓急劇變化。這種電流會(huì)破壞電子設(shè)備并對(duì)設(shè)備產(chǎn)生不可逆的影響。因此，消除浪涌電流和抑制浪涌電流的方法是非
2023-09-04 17:48:115621 MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121369 SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
2023-12-07 14:34:17223 
MOSFET柵極電路常見的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:40571 由于這種開關(guān)工作，受開關(guān)側(cè)LS電壓和電流變化的影響，不僅在開關(guān)側(cè)的LS產(chǎn)生浪涌，還會(huì)在同步側(cè)的HS產(chǎn)生浪涌。
2024-01-24 14:10:33139 
如何抑制電源轉(zhuǎn)換器中的浪涌電壓？ 電源轉(zhuǎn)換器是電子設(shè)備中常見的組件，其主要功能是將電源輸入轉(zhuǎn)換成穩(wěn)定的輸出電壓和電流。然而，在電源轉(zhuǎn)換過程中，常常會(huì)產(chǎn)生浪涌電壓，這可能對(duì)電子設(shè)備及其周圍的電路產(chǎn)生
2024-02-04 09:17:00322 
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